LiNbO3晶体中Eu^3＋激发态的无辐射跃迁

测量了ＬｉＮｂＯ３：Ｅｕ＾３＋晶体的吸收、激发和发射光谱，较全面地确定了Ｅｕ＾３＋的能级位置，观测了该晶体的荧光发射强度随温度的变化，确定了Ｅｕ＾３＋在ＬｉＮｂＯ３晶体中的无辐射跃迁机理。     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递

首次合成了Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋共激活氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋，Ｅｕ＾２＋高效绿色荧光粉，报道了它们的漫反射光谱、激发和发射光，观察到氯硅酸镁钙中Ｃｅ＾３＋ Ｅｕ＾２＋     

掺杂Gd^3＋对Y2O2S：Eu^3＋发光特性的影响

在红色荧光粉Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＾３＋的制备过程中掺入了不同浓度的Ｇａ２Ｏ３;发现在掺入适当浓度的Ｇａ２Ｏ３的情况下,可以增强发射强度并改善其电压特性,即在保证所要求的发光颜色、粒径和其它物理及化学特性的条件下,可改善发射强度与激发电压间的关系,讨论和分析了强度被增强的起因。Ｇａ＾３＋对Ｙ＾３＋的置换,减少了因Ｅｕ＾３＋对Ｙ＾３＋转换所引起的晶格的畸变,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失     

光谱纯Y2O3,La2O3,Lu2O3中微量杂质的光致发光谱研究

测定了光谱纯稀土化合物Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３中微量杂质在４８８．０ｎｍ和５１４．５ｎｍ激光线激发下的光致发光谱以及在可见光４４５～７４１ｎｍ范围内吸收谱，Ｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３样品在４４８．０ｎｍ和５１４．５ｎｍ激光激发下都有发光效应，而Ｌａ２Ｏ３样品只在４８８．０ｎｍ激光激发下才发光，分析了结果表明，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３的发光谱分别是由其存在的微量Ｅｒ＾３＋，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ     

杂质对（Ce,Gd,Tb）MgB5O10灯用荧光粉发光量子效率的影响

研究了杂质对Ｃｅ０．１ｇＤ０．６ｔＢ０．２ｍＧｂ５ｏ１０发光量子效率的影响。低浓度的Ｐｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、ＤＦ＾３＋、Ｈｏ＾３＋和Ｅｒ＾３＋不能有效地与Ｇｄ＾３＋和Ｔｂ＾３＋竞争Ｃｅ＾３＋离子的激发能。此外，因电子传递过程，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ３＋使Ｃｅ＾３＋的发光效率大大降低。     

SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋荧光材料的发光性质

我们在本文中制作了五种不同ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋和Ｄｙ＾３＋的样品。样品分别是ＳｒＡｌ２Ｏ４基质的α相和β相的粉末和片状样品,以及单晶样品。我们对所有样品进行了形貌的ＳＥＭ研究。我们还对α相和β相粉末样品及片状样品以及α相单晶样品的荧光发射谱进行了测量。它们的荧光发射的中心波长为５２０ｎｍ,对应于ＳｒＡｌ２Ｏ４基质中的Ｅｕ＾２＋的４ｆ＾６５ｄ＾１的＾２ｅｇ激发态到４ｆ＾７的＾８Ｓ７／２的跃迁发     

稀土（Eu^3＋,Tb^3＋）含氮杂环配合物的合成,表征及其荧光性质

在无水乙醇溶液中分别合成了Ｅｕ＾２＋离子、Ｔｂ＾３＋离子与２，２‘－联吡啶、１，１０－邻菲罗啉押种配合物，研究了配合物的荧光性质，由于Ｐｈｅｎ含有较大范围的共轭π键和较好的刚性平面，含Ｐｈｅｎ配合物的荧光强度均要比配合物的强；配合物的高分辨荧光光谱表明，Ｅｕ＾３＋离子在Ｅｕ（Ｄｉｐｙ）２Ｃｌ３’２Ｈ２Ｏ和Ｅｕ（Ｐｈｅｎ）２Ｃｌ３．２Ｈ２Ｏ配合物中处于Ｃ１或Ｃ２或Ｃ５的对称性位置。     

Synthesis and Spectroscopic Properties of GdAl3(BO3)4 Poly-crystals Codoped with Yb3+ and Eu3+

GdAl3(BO3)4 polycrystals co-doped with Yb3+ and Eu3+ has been synthesised by combustion method with urea. Upon the excitation at 465 nm (Eu3+/7F6-->5D2 transition), emission bands centered at 590, 613, 697 and 702 nm in the wavelength region of 550-750 nm have clearly been observed, assigned to the electronic transitions of 5D0-->7FJ (J=1, 2, 4 and 5) of Eu3+ ions, respectively. Meanwhile, an intense emission centred at 980 nm along with a shoulder at 1,040 nm has also been observed by exploiting a cross-relaxation process between the transitions of Eu3+/5D0-->7F6 and Yb3+/2F7/2-->2F5/2. On the contrary, an intense red up-conversion emission centred at 613 nm originated from the 5D0-->7F2 transition of Eu3+ has been observed upon excitation with 980 nm laser diode. The quadratic dependence of the red up-conversion intensity on the pump-laser power reveals a cooperative energy transfer mechanism from a pair of Yb3+ ions to one Eu3+ ion.     

Mg3Bo3F3:Mn2+, R3+(R=Eu、Sm、Dy)的阴极射线发光

本文研究了具有长余辉发光特性的红色Mg3BO3F3:Mn2+,R3+(R=Eu,Sm,Dy)的阴极射线发光性能,以及R3+离子的掺杂对Mg3BO3F3:Mn2+的发射光谱、色坐标等的影响.     

五磷酸钆中Eu3+的光谱

本文对GdP5O14:Eu3+(GdPP:Eu,x:0～1)。晶体的紫外可见吸收、激发光谱、荧光光谱、红外吸收光谱和结构进行了测定和分析。给出了GdPP中Eu3+离子的能级图。讨论了Gd3+—Eu3+离子间的能量转移和猝灭。     

惰性离子(La3+,Y3+,Gd3+)对配合物苯乙酮酸邻菲咯啉铕荧光性能的影响

以苯乙酮酸和邻菲咯啉为配体,不同摩尔比铕和惰性离子(La3 ,Y3 ,Gd3 )为中心离子,合成了系列配合物EuxRE1-xL3phen(RE=La,Y,Gd),测定了其荧光激发光谱和荧光发射光谱,研究了惰性离子(La3 ,Y3 ,Gd3 )对Eu3 荧光性能的影响.结果表明,配合物激发光谱相似,均在350～360 nm范围内出现最大激发,属于配体的吸收峰,在398 nm附近出现弱的激发为Eu3 的吸收峰;系列配合物荧光发射光谱相似,均显示Eu3 离子的特征发射光谱,位于583,595,617,654,703 nm附近出现5组强度不同的发射峰,分别归属为Eu3 的5D0-7F0,5D0-7F1,5D0-7F2,5D0-7F3,5D0-7F4能级跃迁.发射光谱表明,系列配合物中La3 离子对Eu3 的荧光发射峰峰位影响最大,EuxLa1-xL3phen中La3 的摩尔分数为0.7时,Eu3 的5D0-7F2跃迁可改变5.2 nm,而Y3 和Gd3 对Eu3 的荧光发射峰峰位影响较弱,配合物EuxY1-xL3phen和EuxGd1-xL3phen中Eu3 的荧光发射峰位变化较小,最大时仅改变2 nm;发射光谱强度表明,La3 对Eu3 的荧光发射影响最大,EuxLa1-xL3phen中La3 含量为0.7时,可使其相对荧光强度增大2倍以上,对其具有很好的敏化作用.这对人们寻找发光性能好、价格便宜的发光材料提供了理论依据.     

Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La):Eu3+(或Dy3+,Bi3+)的合成及发光性能的研究

本文报导了Eu3+,Dy3+在Ba2RV3O11(R=Y,Gd,La)基质中的光谱性质、Bi3+对Dy3+发射强度的影响及温度对Dy3+发射强度的猝灭情况.研究了被取代离子R3+(R=Y,Gd,La)对基质电行迁移带、Eu3+的红橙比、Dy3+黄蓝比的影响,还给出了Dy3+的浓度猝灭值.     

纳米Gd2O3:Eu3+中Judd-Ofelt参数的实验确定

报道用Judd-Ofelt理论研究立方相纳米晶Gd2O3:Eu3+材料在77K下的光谱性质.以几乎不受周围晶场环境影响的5D0→7F1跃迁为参考，利用5D0→7F2和5D0→7F4跃迁，从实验上确定强度参数Ωλ(λ＝2，4).发现纳米Gd2O3:Eu3+材料晶场强度参数Ωλ随纳米晶粒径的变化而改变,与体材料相比有显著的不同.随微晶粒径减小，发射能级5D0的寿命变短、量子效率降低.这是因为微晶粒径越小，量子限域效应越强，表体比越大，在无序体调制的表面上表面缺陷作用增强而引起的.对电荷(Eu3+-O2-)迁移态和多声子过程另外两种无辐射通道也进行讨论. 关键词： 纳米Gd2O3:Eu3+ 强度参数 辐射与无辐射弛豫 量子效率     

RVNb2O9(R=Y,Gd, La)：Eu3+(或Dy3+)的合成和光谱性质的研究

本文用R2O3(R=Y,Gd,La),V2O6,Nb2O5和高温固相反应法合成了复合钒铌酸盐RVMb2O3,并以此为基质研究了Eu3+和Dy3+在其中的光谱性质.实验表明,Eu3+在这三个化合物中均处于偏离反演对称中心的格位上,Eu3+的荧光强度的红/横比(R/O)和Dy3+的黄/蓝比(Y/B)均随R3+的电荷半径比的减小而下降.同时还研究了Bi3+和温度对Dy3+的发射强度的影响.     

Eu3+激活的硼钒酸钇的光致发光

找出了合成Eu3+激活的硼钒酸钇铕发光粉的适宜条件和发光最佳化学组分,它是(Y0.94Eu0.06)(V0.69B0.31)O3.7.对其发光光谱的温度依赖关系的研究指出,发光最佳温度在350℃左右.发光的这种温度依赖关系与基质和Eu3+对能量的吸收,以及基质向Eu3+能量传递效率的提高有关.此外,试验结果还表明,在365nm激发下,少显Gd2O3、Zn2GeO4·GeO2:Mn2+等添加剂的加入提高了样品的发光亮度.     

Eu3+摩尔浓度对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料光谱的影响

用高温固相法制备了Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 红色长余辉材料。测量了该材料的余辉曲线,余辉时间为1h以上;由X射线衍射得到晶体结构为Y2O2S.测量了不同Eu^3 摩尔浓度下的激发光谱和发射光谱,得到从^5DJ(J=0,1,2,3)^-7FJ(J=0,1,2,3,4,5)的发射谱线,并得到位于260,345,468和540nm激发峰。由于激活剂饱和效应,Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 发射光谱中513．6,540．1,556．4,587．3和589．3nm属于从^5D2,^5D1到^7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁的发射峰随Eu^3 摩尔浓度的增加相对削弱;激发谱包括位于350nm左右属于电荷转移态吸收(Eu^3 -O^2-,Eu^3 -S^2 )的激发主峰和在可见光区位于468,520和540nm属于Eu^3 离子4f-4厂吸收的激发峰。随着Eu^3 摩尔浓度的增加,位于468,520和540nm的激发峰相对增强。     

Clustering study in Eu(DBM)3Phen-doped polymer optical fibers by optical properties and near-field scanning microscopy

The clusters of Eu3+ ion in Eu(DBM)3Phen-doped polymethyl methacrylate (PMMA) have been studied by three means. The relative fluorescence intensity ratio of the 5D0 → 7F2 to 5D0 → 7F1 transitions with different concentrations of Eu3+ in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA and metastable-state (5D0) lifetime dependence on Eu3+ concentration are analyzed. The analysis indicates that there are no clustering effects in Eu3+ ions of Eu(DBM)3Phen-doped PMMA when the Eu3+ doping concentration is up to 1.0 wt.-%. At the same time, the clustering effect has not been observed by the scanning near-field optical microscopy (SNOM) in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA with 1.0 wt.-% of Eu3+ ions. The analysis reveals that a high concentration of Eu3+ can be incorporated into polymer optical fiber (POF) without clustering effect.OCIS codes: 180.5810, 300.6280, 250.5460, 160.5690.