a—Si等离子体刻蚀的研究

将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。     

沟道刻蚀型a—SiTFT矩阵的制造工艺

沟道刻蚀型a-SiTFT是TFT的一种。本文介绍了沟道刻蚀型a-SiTFT矩阵的结构和原理．重点介绍了它的制造工艺。     

α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。     

一种新的等离子体寻址有源矩阵技术

引言视频全色平板显示已成为多年来显示研究工作者想达到的目标,实现这一目标的关键技术是有源矩阵技术。在那里,用集成开关矩阵来控制加到电-光材料上的模拟数据电压,典型的是用薄膜晶体管(TFT)寻址液晶(LC)层来完成的。全色显示要求每个基色有全程亮度,因而,有源衬底必须有一个基本功能:即可独立地、任意地在每1/60秒内,将模拟电压加到每一个显示象素上。这模拟数据电压必须一直     

微小等离子体发生器刻蚀机理的研究

采用二维流体模型对扫描刻蚀加工中的微小等离子体发生器的刻蚀机理进行了数值仿真研究.该微小等离子体发生器为微空心阴极放电器件,当工作气体为SF6,工作气压在5 kPa～9 kPa时,空心阴极处微孔半径为0.25 tzm时,空心阴极外部区域的F原子的有效弥散长度在0.5 μm～1.8μm之间变化,且浓度在3×lO11 cm-3～1.7×1012cm-3之间,基本满足扫描刻蚀加工的需求.     

有源矩阵基板用两块光刻版a—SiTFT阵列

1.前言当今社会正迎来高度信息化的时代,而 LCD(液晶显示)等显示器件以及光敏阵列等感光器件则是构成信息输入、输出终端的关键性器件。为提高上述器件的性能,有源矩阵板的应用研究十分活跃。有源矩阵基板是在玻片等衬底上,按矩阵状配置以晶体管为代表的众多有源元件。其中采用有源矩阵基板的 LCD(AM-LCD),是一项旨在实现可与 CRT 匹敌的高象质平板显示的强劲技术,尤其受到人们的关注。     

新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究

本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。     

等离子体横向刻蚀性的特性研究

研究了用SiO2 Al作掩模，SF6 O2混合气体等离子体对Si的横向刻蚀，其结果表明，在SF6 O2等离子体气氛中，AL是很好的保护膜，可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此，预计用这种技术，可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米，具有优良高频性能的MEMS RF/MW无源器件，如开关、传输线、电感和电容等。     

电子回旋共振等离子体的刻蚀技术

用电子回旋共振等离子体进行了硅基材料的刻蚀技术研究,进行了沟槽刻蚀实验,得到了较为陡直的侧壁.制作了精细图形,等离子体损伤较低.     

高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战.     

InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求.研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.     

等离子体刻蚀工艺中的OES监控技术

采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用。实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl₂为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线。实验结果表明：OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断。最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论。     

等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术

采用傅里叶红外光谱仪(FHR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.     

常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.     

相变材料等离子体刻蚀的研究进展

首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在等离子体刻蚀工艺中产生的刻蚀损伤进行了分类和表征,并基于该分析结果提出了工艺优化方案。最后总结了相变材料等离子体刻蚀技术的反应机理,相变材料的刻蚀是自发反应与离子辅助化学反应相结合的过程,同时物理溅射与低挥发性产物的离子激发脱附也起着重要的辅助作用。     

等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展

先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势.     

CVD外延生长SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究

采用等离子体刻蚀工艺 ,以四氟化碳 ( CF4 )和氧气 ( O2 )的混合气体作为刻蚀气体 ,对常压化学气相淀积工艺制备的β- Si C单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明 ,在 Si C薄膜的等离子体图形刻蚀中 ,金属铝 ( Al)是一种很有效的掩模材料 ;可刻蚀出的图形最小条宽为 4μm,图形最小间距为 2μm,并且刻蚀基本为各向同性 ;文中还对影响图形刻蚀质量的一些因素进行了讨论。     

微波电子回旋共振等离子体刻蚀技术

本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。