准一维体系的电子关联函数

对于具有库仑相互作用的准一维电子体系,本文根据电子气的集体振荡行为给出了该体系的多体波函数,并由此求出了准一维体系的电子关联函数g(|z₁₂|)。 关键词：     

二维电子气的关联函数

本文在少粒子体系波函数数值解的基础上讨论了强磁场中二维电子气的二体关联函数.在数值计算的意义上给出了有限集团体系二体关联函数的计算公式. 关键词：     

金属电子关联函数的实空间变分计算

本文求解了在相关基函数理论框架下得到的实空间关联函数的积分方程,得到了金属铝(r_s=2.07)和铯(r_s=5.65)的关联函数,关联能和多体波函数。改进了其它多体理论,本文得到的关联函数是恒正的,并且满足归一化条件。 关键词：     

半导体反型层中的电子关联和多体波函数

本文运用CBF(correlation basis function) 理论, 由电子间的有效势V_eff_(R) 和电子气的集体振荡行为, 给出准二维电子体系— 半导体反型层中的电子的关联因予U (R), 得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数. 关键词：     

半导体反型层中的电子关联和多体波函数

本文运用CBF(correlation basis function)理论,由电子间的有效势V_eff(R)和电子气的集体振荡行为,给出准二维电子体系——半导体反型层中的电子的关联因子U(R),得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数。 关键词：     

二维电子体系的关联和多体波函数

本文利用二维电子气的集体振荡行为和静态结构因子确定了体系的多体波函数,同时在坐标空间中建立了关联函数g(R)的积分方程,从而给出了一种计算二维电子气的多体波函数、关联函数和关联能的新方法。本方法可保证对任意的r_s关联函数恒为正,避免了其他方法中在r_s较大时出现g(0)<0的不合理结果,并为研究低温下二维电子体系的特殊性质提供了一个合理基础。     

金属表面的电子关联函数(Ⅰ)——Hartree-Fock近似

本文在Hartree-Fock近似下,计算出金属表面的非均匀电子体系的电子关联函数g(r₁,r₂)。 关键词：     

电子关联动力学

应用高分辨快电子能量损失谱仪，绝对测量了He原子各种光学允许和光学禁戒的双电子激发过程的动量转移依赖特性，报道了作为动量转移函数的以内禀关联量子数K，r和A表征的电子态：(0，1)：‘P0，：(1，0)；s。和：(1，0)；’D。的FarIo参数q以，p。／和．s，同时对：(一1，0)；‘s。和：(1，0)：的波函数作出定性检验．从而在实验上通过激发动力学过程研究了电子关联效应．     

中性孤子的关联函数

本文研究了自旋非简并体系的关联函数,用来讨论了中性孤子(孤子能级上只有一个正自旋电子)的带自旋的关联函数,在Hartree-Fock(HF)近似下求得各种自旋关联函数的图象,并讨论了这些关联函数的性质。 关键词：     

电子关联和孤子

聚乙炔中的电子关联和孤子可用相关基函数方法(CBF)来研究,通过考虑完全的电子-电子相互作用,得到含有单个电荷的奇数原子链的稳定位形为孤子的结论,随着电子-电子互作用强度U和互作用程α/β的增加,孤子定域性加强,产生能降低,因此,即使计入电子-电子相互作用,孤子仍然是导电聚合物中的主要载流子。 关键词：     

电子相互作用和孤子元激发(Ⅰ)——电子关联对孤子定域性的影响

研究了电子相互作用对孤子定域性的影响．由于导电聚合物具有宽能带，不宜用Hub-bard模型来描述电子相互作用，需要改用屏蔽库仑势．结果表明，在电子关联对孤子定域性的影响中，屏蔽起了关键作用：弱屏蔽时，电子相互作用会增强孤子的定域性；强屏蔽时，则会削弱其定域性．还从屏蔽与电子关联之间的关系，说明了产生上述结果的物理原因 关键词：     

电子相互作用和孤子元激发(Ⅱ)——电子关联对孤子激发能的影响

电子相互作用对孤子的激发能是增加还是减小，各种理论相互矛盾．分析了产生矛盾的原因，提出了计算孤子激发能的新方法，结果表明：电子相互作用使荷电孤子对的激发能增加，其增加的幅度小于电子-空穴对激发能的增加幅度 关键词：     

海洋噪声场的时空相关函数

本文借助于方向性点源的平面波展开式导出了海洋中噪声场的时空相关函数的普遍表式。用演绎法将该表式用于分层不均匀浅海与分层不均匀深海,建立了噪声场的时空相关函数与海洋环境参数的有机联系。
文中利用接收器附近点（噪声）源的奇性条件简化了浅海中噪声场时空相关函数的计算。接着用简正波理论计算了均匀浅海中噪声场的时空相关函数。     

利用概率分布计算电子束聚焦状态

世界各国的学者对电子束的聚焦性能已经做了广泛的研究,提出了许多分析电子束聚焦性能的方法,在这些方法的基础上,试图利用概率分布函数来描述电子束的聚焦过程。该方法将电子的发射看做是随机过程,并从轨迹的落点的概率分析了电子束的形状和大小,避免了杂散小峰的影响。     

AI在GaAs(110)面上的吸附

用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。 关键词：     

完全相干场的二阶关联函数的分解性质

关键词：