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利用开孔Z扫描技术研究了吸收峰分别为553 nm和503 nm的两种尺寸CdSe/ZnS核-壳结构量子点溶液的非线性吸收性质.对于532 nm,6 ns激光脉冲,两种材料均表现出饱和吸收向反饱和吸收转化的现象.数值模拟结果表明:当吸收峰波长大于激光波长时,饱和吸收过程由快、慢两种机制组成,分别对应基态载流子被激发至不同的激发态,而强光下的反饱和吸收与快过程相关;当吸收峰波长小于激光波长时,饱和吸收主要由快过程机制引起,强光下的反饱和吸收源自激发态吸收和双光子吸收.我们的研究结果表明半导体量子点是研制光开关和光限制器件的理想候选材料. 相似文献
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利用开孔Z扫描技术研究了吸收峰分别为553nm和503nm的两种尺寸CdSe/ZnS核-壳结构量子点溶液的非线性吸收性质.对于532nm,6ns激光脉冲,两种材料均表现出饱和吸收向反饱和吸收转化的现象.数值模拟结果表明:当吸收峰波长大于激光波长时,饱和吸收过程由快、慢两种机制组成,分别对应基态载流子被激发至不同的激发态,而强光下的反饱和吸收与快过程相关;当吸收峰波长小于激光波长时,饱和吸收主要由快过程机制引起,强光下的反饱和吸收源自激发态吸收和双光子吸收.我们的研究结果表明半导体量子点是研制光开关和光限制器件的理想候选材料. 相似文献
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系统研究了罗丹明6G和罗丹明B的非线性吸收特性和荧光猝灭特性,结果表明它们在532nm的激光波长作用下,呈饱和吸收特性,在355nm的激光波长作用下呈现反饱和吸收特性,通过理论拟合得到了激发态吸收截面和能级寿命;并对荧光猝灭现象进行了解释,首次提出激发态吸收诱导荧光猝灭的理论. 相似文献
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PSⅡ的荧光光谱特性 总被引:5,自引:4,他引:1
采用激励光源为82MHz、514.5nm的皮秒荧光光谱装置对PS颗粒、内周天线CP43、CP47三种样品进行研究,通过探测三种样品的荧光总光谱强度随激光功率的变化,测得PS颗粒样品在激光功率为120mW时,荧光强度趋于饱和;CP43在激光功率为73mW时,荧光趋于饱和,但当激光功率为82mW时,荧光强度有下降趋势;而在激光功率为20~96mW的范围内,CP47的荧光强度与激光功率几乎是线性关系.依据它们的荧光量子产额与激光功率的关系,认为CP47中存在较强的激子效应.几种样品的荧光光谱范围分别为700~780nm(PS颗粒);640~780nm(CP43);630~775nm(CP47).CP43和CP47的最大荧光峰分别为680nm和690nm,荧光寿命分别为3.543ns和3.222ns.在514.5nm激光激发下,CP43和CP47中最先受激发的是β-Car分子,发射荧光的是Chla分子,理论计算认为在CP43和CP47中Chla分子发射荧光的效率分别为38.3%和40.6%. 相似文献
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近年来,在法国Bennett和Cerez以及在西德赵克功、Glaser和Helmcke研究了利用氦3-氖20激光辐射的612nm,630nm和640nm 波段的碘分子超精细结构谱线.Bennett等人首先发现了在612nm波段碘-127分子R(47)9-2的21条超精细结构谱线.赵克功等人首先发现了在612nm波段内碘-129分子P(110)10-2的28条超精细结构谱线。由于赵克功等人精密地测量了超精细结构谱线的间隔,标准误差仅为 ±30kHZ,所以在分类计算中,对碘分子常数进行了较好的修正,使得理论计算与测量结果很好的一致.利用他们发现的谱线作为对612nm氦3-氖20激光的稳频参考谱线,这些谱线的波… 相似文献
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稳频激光的研究是二十年来在物理学与计量学界十分重要的研究课题.它可在不同的电磁波波段内建立波长(频率)的基准,而科学家们也一直希望建立从紫外到微波及无线电波段内直接测量电磁波频率的方法,这样对原子、分子物理学,激光光谱学,以及对用化学方法研究新物质、新材料等都是十分有价值的. 1980年以前,国际上只在515nm、612nm、633nm和3.39μm波长范围内建立了高稳频激光器.1980年左右,法国巴黎北大学物理系Creze教授和英国国家物理研究所Bennet博士合作,企图研究碘分子在640nm范围内的超精细结构谱线和利用它对640nm 激光器进行稳频。但… 相似文献
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利用纳秒脉冲激光下的z扫描方法对两种新型卟啉衍生物在450 nm—490 nm范围内的反饱和吸收进行了研究.通过与四苯基卟啉的比较发现,在Soret和Q吸收带之间,两种新型卟啉衍生物都具有大的反饱和吸收.采用五能级模型对实验结果进行了分析,比较了在不同波长范围内各个样品的优势.实验结果表明,在450 nm—490 nm范围内,两种新型的卟啉衍生物有着比四苯基卟啉更好的光限制应用前景.
关键词:
反饱和吸收
z扫描')" href="#">z扫描
卟啉衍生物 相似文献
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文章报道了一个二极管激光抽运的1123 nm被动调Q激光器. 激光晶体为混晶Nd:LuYAG, 饱和吸收体选为Cr4+:YAG晶体. 在连续运转情况下, 最高输出功率为2.77 W, 对应的光-光转换效率为29.53%. 调Q运转时, 在9.38 W吸收抽运功率下, 最高输出功率为0.94 W. 脉冲宽度整体在105 ns左右. 在最高吸收抽运功率下, 1123 nm激光的输出重复频率为9.40 kHz, 对应的单脉冲能量可达100 μJ, 高于目前报道的单晶Nd:YAG 1123 nm单脉冲能量, 证明其在能量存储方面较单晶Nd:YAG更具优势. 另外, 据我们所知, 这是关于混晶Nd:LuYAG 1123 nm输出的首次报道. 相似文献
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本文采用双包层掺镱光纤作为增益介质,用单壁碳纳米管作为饱和吸收体,获得最高输出功率为336 mW的锁模脉冲激光.用飞秒激光诱导水击穿法直接在单模光纤上制备出D形区,通过在D形光纤上滴涂单壁碳纳米管溶液,成功制备出碳纳米管饱和吸收体,并对其饱和吸收特性进行测试,发现其调制深度为27%.利用该饱和吸收体作为锁模器件,制备出具有环形腔结构的锁模光纤激光器.当抽运功率为4W时,获得了脉宽为93.8 fs,中心波长为1083.8 nm,3 dB谱宽为8.6 nm,重复频率为5.59 MHz,平均功率为336 mW的飞秒脉冲激光输出. 相似文献
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为了解决激光瑞利散射技术诊断燃烧场时存在的米散射和背景杂散光干扰问题,发展了基于碘分子超精细吸收凹陷的滤波技术。介绍了分子滤波的原理和碘分子的吸收光谱,设计了用于产生稳定数密度的碘分子滤波器,并采用种子注入、可调谐Nd:YAG激光器测量了碘分子的吸收谱。采用碘分子滤波器,在稳态燃烧场和瞬态燃烧场上分别进行了结构诊断的滤波瑞利散射实验,获得了清晰的燃烧场结构图像。实验表明碘分子滤波器能够有效抑制532nm激光瑞利散射实验中的米散射和背景杂散光,提高信号图像的清晰度。 相似文献
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碘、碘离子和碘三离子的紫外吸收光谱 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了碘I2、碘离子I- 和碘三离子I-3 水溶液的紫外吸收光谱,测定了三种型体的摩尔吸光系数。I2水溶液在203 nm呈现一吸收峰,摩尔吸光系数为1.96×104 L·mol-1·cm-1;I- 水溶液在193和226 nm呈现双吸收峰,摩尔吸光系数分别为1.42×104和1.34×104 L·mol-1·cm-1;当I2水溶液与KI溶液混合时,在288和350 nm出现两个吸收峰,表明I-3的形成。利用饱和法测得I-3在288和350 nm处的摩尔吸光系数分别为3.52×104和2.32×104 L·mol-1·cm-1。 相似文献
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利用波长为532 nm的皮秒脉冲激光,研究了掺Er3 玻璃的光限幅特性和反饱和吸收.当入射功率不断增加且超过一定阈值时,透射功率不再随着入射功率快速增大,而是逐渐趋向于较稳定状态,从而实现了对强激光的光限幅效应.进一步利用布居速率方程讨论了其机制并给出了激发态的吸收截面,结果表明激发态吸收是其主要的光限幅机理. 相似文献
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C60高聚物复合固体材料的反饱和吸收过程研究 总被引:4,自引:2,他引:2
本文报导了新型材料C_(60)α-甲基苯乙烯/苯乙烯共聚物薄板的制作,并利用530nm,10ns激光研究此固体材料的激光透过特性.观测到反饱和吸收过程,即实现了光限制效应. 相似文献
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采用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和四氢呋喃(THF)为溶剂,用离散法制备二硫化钼(MoS2)悬浮溶液,并用开孔Z扫描方法研究其在可见和近红外区域的非线性光学特性.结果显示,在强激光照射下,MoS2(in THF)悬浮溶液在可见波段(530 nm)透过率增强为常光透过率的1.54倍,表现为饱和吸收;在近红外波段(790 nm)透过率减弱为常光透过率的0.6倍,表现为反饱和吸收,具有很好的波长选择性光限幅效应.而作为对比的MoS2(in DMF)悬浮溶液在全波段透过率降低,呈现反饱和吸收特性,波长选择性不明显.机理解释可能为饱和吸收和热效应导致的自衍射两种机制联合作用. 相似文献
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内腔激光磁共振吸收及饱和特性 总被引:3,自引:2,他引:1
从气体激光运转特性出发,我们得到了内腔激光磁共振吸收及其无多普勒展宽饱和吸收的一阶微商信号的数学表达式.并以NO作为吸收分子研究了激光磁共振信号强度与样品气压和激光光强的关系,同时对内腔激光磁共振中无多普勒饱和吸收特性进行了详细的讨论. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜.对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙.单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性.将薄膜作为可饱和吸收体插入LD端面抽运的Nd:YVO4激光器内,分别实现1342 nm和1064 nm激光的被动调Q,得到脉宽分别为29 ns和22 ns的脉冲序列.理论分析认为,纳米Ge晶粒形成的界面态和缺陷态对1342 nm激光产生的饱和吸收作用,是导致被动调Q的主要原因. 相似文献