应把n/4与n/6的矛盾和解释写进教材

现行高校热学教材中的分子物理学部分,都明显地存在一个问题——“1/4 n(?)与“1/6 n(?)”的矛盾。每当讲到这部分内容时,学生总是质疑,争论不休,教材中存在着明显的矛盾,但教师在讲课时又不能迥避这个问题,与其让老师各自分别写补充材料解答,不如把对这一矛盾的统一解释明确地写入再版的热学教材里。现在笔者把对这一问题的认识写出来与各位同仁商榷。以求得认识的统一。 在讲气体分子速率分布律时,我们曾根据麦克斯韦速度分布律,准确地推算出单位时间内碰到单位面积器壁(即基准面 dA)上的气体分子数为n(?)/4=0个(这一结果一般作为公式来应用。有的教材则把这一结果作为一道练习题来处理,但在作完题之后,仍把     

μ-+Li6→He6+ν的俘获几率

本文计算了μ^-介子和原子核Li⁶在不同超精细结构状态上,μ^-+Li⁶→He⁶+ν的跃迁几率。指出在5％的误差范围以内,在两种超精细结构状态上俘获几率的比值和原子核矩阵元无关。     

关于=2～(1/2)的一个简易证明

在普通物理热学教学当中,碰到有气体分子平均相对速率u= 2 V的关系式,这个关系式在普通物理教科书中一般不作证明。现介绍一种不超出大学一年级学生知识范围的一种简易证明方法如下。 气体分子由于热运动,对于个别分子来讲它的运动是具有偶然性的。由这些分子组成的整个系统的运动服从统计规律。但在这个系统中两个分子的碰撞却依然服从力学规律。我们认为分子之间的碰撞是弹性的,分子的质量是m。在发生碰撞前两分子的速度为Vi和Vj,碰撞之后的速度为Vi和Vj,碰前Vi和 Vj的夹角为 a,碰后 Vi和 Vj的夹角为(01 02),其中 01是 V’t与 VJ的夹…     

拉曼光谱研究n型4H-和6H-SiC晶体的载流子浓度

半导体材料的纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)能够提供材料电学方面的相关信息。本文在室温下测得了n型4H-和6H-SiC的拉曼光谱,分析了掺入的杂质对于SiC晶体拉曼光谱的影响,通过拟合n型4H-和6H-SiC晶体的LOPC模的线型得到等离子体频率,并由此从理论上计算了载流子浓度。载流子浓度的理论计算值与霍尔测量的结果符合得很好。研究结果进一步证实了对于n型4H-和6H-SiC晶体,可以通过分析LOPC模的线形来较准确地给出相关材料的载流子浓度。     

对=2～(1/2)的一种定性说明

给出一种对公式=2～(1/2)的定性说明.     

n+6Li散射态中6Li的集团结构和交换效应

本文有略去α集团外核子与α内核子交换的共振群方法计算了n+⁶Li系统的弹性散射相移和微分截面, 并通过这些计算研究了⁶Li的d+α集团结构和反对称交换效应. 所得的结果表明, ⁶Li的d+α集团结构显著, 因此合理地选取⁶Li的d+α集团波函数, 特别是d与α的相对运动波函数是很重要的; 由于⁶Li的d+α集团结构显著, 且α束缚得委紧, 所以略去了α与n和d之间的反对称交换能得到与冗长的标准共振群方法相一致的结果.     

SnO2/CeO2表面反应速率方程和分子反应几率

介绍了反应温变测试装置原理及其实验规律,利用粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏传感器测试了反应温变;并用内插法给出了反应温变随酒气气体浓度变化的规律.对表面反应速率方程进行了推导,并对分子表面反应的几率进行了计算.给出了普遍的反应速率方程,它包括了两种常用的经验公式:双曲线型和幂函数型公式;同时得到了分子反应几率是小的概念,其值一般为10-3～10-5.     

(HgSe)n(n=1~6)团簇结构和性质的密度泛函研究

本工作采用LANL2DZ赝势基组、B3LYP方法对(HgSe)n(n=1~6)团簇进行了结构优化、自然键原子轨道和频率计算,得到(HgSe)n(n=1~6)团簇基态的平衡几何结构、电子状态、垂直电离势、垂直电子亲和势、偶极矩、三个基本热力学函数等相关性质,并系统分析了该团簇的几何构型、原子的净电荷布局、前沿分子轨道特征。结果表明：基态稳定结构(HgSe)2为平面四边形,(HgSe)n(n=3~6)为笼状结构,且稳定顺序为(HgSe)5>(HgSe)4>(HgSe)6>(HgSe)2>HgSe>(HgSe)3,极性顺序为：(HgSe)4>HgSe>(HgSe)3>(HgSe)5>(HgSe)6>(HgSe)2,(HgSe)6、(HgSe)2分子空间结构的对称性较好。(HgSe)n(n=1~6)团簇各体系都有较好的电子供体及受体等活性部位,随着n增大轨道离域现象明显,利于电子的转移,导电性增强。     

Rh_nAl(n=1～6)团簇结构和磁性的研究

用密度泛函理论中的广义梯度近似方法研究了Rh_nAl(n=1～6)团簇的结构和磁性.结果表明:Rh(_n-1)Al和Rh_n(n=2～7)团簇结构是相似的,结合能随团簇尺寸变化趋势一致,原子间的s,p,d轨道杂化使得Rh_nAl团簇更加稳定.几乎所有Rh原子都是电子受体,Al-Rh键长越小.Rh原子得电子就越多.团簇磁矩主要来自Rh原子的贡献,Rh原子的4d轨道磁矩是Rh原子磁矩的主要部分.Al原子失去的电子越多,则其磁矩就相对越小.     

RhnAl(n=1-6)团簇结构和磁性的研究

用密度泛函理论中的广义梯度近似方法研究了RhnAl(n=1~6)团簇的结构和磁性。结果表明：Rhn-1Al和Rhn (n=2~7)团簇结构是相似的,结合能随团簇尺寸变化趋势一致,原子间的s,p,d轨道杂化使得RhnAl团簇更加稳定。几乎所有Rh原子都是电子受体,Al-Rh键长越小,Rh原子得电子就越多。团簇磁矩主要来自Rh原子的贡献,Rh原子的4d轨道磁矩是Rh原子磁矩的主要部分。Al原子失去的电子越多,则其磁矩就相对越小。     

云母1/4波片

本文叙述了双轴昌体云母的光学性质,用于制造1/4波片的原理和方法以及快慢轴如何确定。最后对几个问题进行了讨论。     

关于“=2~(1/2)的一个简易证明”的讨论

普通物理中一些言而不详的问题是普通物理教学中难以处理的问题之一。《大学物理》83年第5期上朱湘桂同志的“关于u=2v的一个简易证明”一文是解决上述问题的一个有意义的尝试.但对其中有些论述我有不同看法,特提出讨论.一、我认为得出u=2v这个结论,正是运用了麦克斯韦速率分布率的结果,避免运用麦克斯韦速率分布率这个前提,是得不出这个结论的.二、相对速率与各个分子速度之间的夹角是有关系的,但只要研究某一时刻所研究的分子与各个分子速度之间的夹角就行了,不必要既求碰撞前的,又求碰撞后的.这有利于节约教学时间.三、证明了各速度之间…     

Structures,thermochemistry, and electron affinities of the disilicon fluorides,Si2F n /Si2F− n (n = 1–6)

A systematic investigation of Si₂F_n/Si₂F^? _n systems is carried out with five density functional (DFT) methods in conjunction with DZP++ basis sets. For each system, various structures, including minima, transition states, and energetically low lying saddle points, are optimized. The geometries and the relative energies are discussed and compared. Three kinds of electron affinity and dissociation energy pertaining to the global minimum for each compound are reported. The theoretical predictions are in good agreement with the limited experimental results. The zero-point vibrational energy (ZPVE) corrected adiabatic electron affinities (EA_ad) are predicted as 1.97 (Si₂F), 1.92 (Si₂F₂), 2.39 (Si₂F₃), 2.02 (Si₂F₄), 2.68 (Si₂F₅), and 0.73 (Si₂F₆)eV by the BHLYP method, which is considered to be the most reliable method in the present study for predicting the EAs. These theoretical predictions are quite different from those for the analogous silicon hydrides and fluorocarbons. For example, both Si₂F₂ and its anions have vinylidene-like (Si-SiF₂) global minima. The anion SiSi bond distance is about 0.1 Å shorter than that for the Si—SiF₂ neutral. Both Si₂F₃ and its anion have carbyne-like (Si-SiF₃) global minima, with the anion SiSi distance about 0.05 Å shorter. Both Si₂F₄ and its anion have carbene-like (FSi-SiF₃) global minima, again with the negative ion SiSi distance ～0.05 Å shorter. Surprisingly, doubly bridged structures of Si₂F₄ are energetically competitive. For the ethyl-radical-like Si₂F₅, the expected longer SiSi distance (by 0.13 Å) for the anion is predicted. Whereas Si₂H₄, C₂F₄, Si₂H₆, and C₂F₆ do not have significant electron affinities, Si₂F₄ and Si₂F₆ do bind an electron. However, the unexpected Si₂F^? ₆ species has a significantly longer SiSi distance (by 0.15 Å) than that of neutral Si₂F₆.     

(CoAl)n (1 ≤ n ≤ 6)合金团簇的结构、稳定性和磁性理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似 (DFT-GGA)对(CoAl)n (1≤n≤6)合金团簇的几何、电子结构和磁性进行了系统的研究。计算结果表明(CoAl)n (1≤n≤6)合金团簇在基态附近出现许多能量十分接近的低能量态,有能量简并态存在,表现出经典的过渡金属密堆积结构;同时在(CoAl)5和(CoAl)6团簇中,有磁性双稳态存在。合金团簇的结合能随着团簇尺寸的增大而增大。CoAl团簇获得了最大的带隙,表现出强的化学惰性,带隙在n>3之后出现明显的奇偶变化规律,且整体呈下降趋势,这种现象源于团簇中共价键、离子键的相互竞争。(CoAl)n ( 1≤n≤6)的总磁矩随尺寸大小呈半梯形状的变化趋势,其中CoAl团簇的磁矩为2 μB,(CoAl)2,(CoAl)3 磁矩为4μB,(CoAl)4,(CoAl)5,(CoAl)6 为6μB,这种磁性变化规律在文中也从磁序排列、电荷转移以及自旋极化等方面进行了详细讨论。     

In-plane London penetration depths near the critical temperature of Tl2Ba2Ca n−1Cu n O2n+4 and (Bi,Pb)2Sr2Ca n−1 Cu n O2n+4 (n=2,3)

From isothermalM(H) curves nearT _c , measured on polycrystalline Tl₂Ba₂Ca _n–1Cu _n O_2n +4 and (Bi, Pb)₂Sr₂Ca _n–1Cu _n O_2n+4 (n=2,3) samples, we deduce the in-plane penetration depths _ab as functions of temperature. An estimate according to the BCS weak-coupling clean-limit fit, which produces the data nearT _c very well, yields _ab(0)=3100 Å, 2320 Å 2210 Å, and 1960 Å for Bi₂Sr₂CaCu₂O₈, Bi_1.6Pb_0.4Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀, Tl₂Ba₂CaCu₂O₈, and Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O₁₀, respectively. A comparison between strong-coupling and weak coupling fitting curves clearly favours the weak-coupling temperature dependence of _ab nearT _c .     

(GaP)n,(GaP)+n和(GaP)-n(n=1～6)团簇的几何结构与稳定性

用密度泛函理论(DFT)的B3L YP方法,在6-31G*水平上,对(GaP)n,(GaP)n 和(GaP)n-(n=1~6)团簇的几何结构、红外光谱和热力学稳定性及电子态进行了研究.得到了(GaP)n,(GaP)n 和(GaP)n-(n=1~6)团簇的基态结构.结果表明:团簇的电荷状态对簇合物的结构有影响;在(GaP)n,(GaP)n 和(GaP)n-(n=1~6)团簇中,n=3,5团簇的基态结构较稳定.     

新系列超导相TlBaCan-1CunO2n+2.5(n=2,3)的晶体结构和超导电性

本文用粉末烧结法合成了Tl-Ba-Ca-Cu-O体系TlBa₂Ca_n-1Cu_nO_2n+2.5新系列超导相,用粉末衍射法测定了n=2和3的晶体结构,属简单四方单胞,空间群为D_4h¹-P4/mmm,点阵常数a相同,而c值不同,随n值而增大。a=3.847?,c分别为12.73?和15.89?,每单胞含一个化合式单位,阳离子沿四方晶系的(0,0,z)和(1/2,1/2,z)位置交替排列,排列的顺序相同,n=3比n=2依次多增加Ca和Cu及相应的氧离子。TlBa₂Ca_nCu_nO_2n+2.5,n=3时,零电阻超导转变温度T_c(0)=112K;n=2时,T_c(0)=101K,与Tl₂Ba₂Ca_n-1Cu_nO_2n+4型体心四方晶胞超导相不同,TlBa₂Ca_n-1Ca_nO_2n+2.5结构中缺氧类钙钛矿型结构单元[Ba₂Ca_n-1Cu_nO_2n+1]仅被TI-O单层所隔开,当n相同时,Tl-O双隔层的体心四方单胞比Tl-O单层的简单四方单胞的超导转变温度高10K左右,这说明Tl-Ba-Ca-Cu-O体系中超导相的转变温度不仅与类钙钛矿结构单元的[CuO₄]和[CuO₅]的数目有关,而且与Tl-O的隔层数目有关。 关键词：     

Cs蒸气中的碰撞能量合并和6P3/2和6P1/2间的激发转移

通过激发转移和碰撞能量合并研究了Cs(62P)精细结构混合.单模半导体激光器激发基态Cs原子至6P3/2态,直接荧光是由6P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(6P3/2→6P1/2)=(1.5±0.5)×10-15cm2,与其它实验结果进行了比较.     

Ba原子6s6p1P1←6s6s1S0跃迁的光腔衰荡光谱

建立了一套光腔衰荡原子束吸收光谱测量装置,并对Ba原子的6s6p¹P₁←6s6s¹S₀吸收谱线用光腔衰荡光谱方法进行了测量,得到了Ba原子在553.548nm不同温度下的吸收谱线线型.实验结果表明,该装置测量吸收灵敏度达到6×10^-7. 关键词： 光腔衰荡 吸收光谱 Ba原子