动态触觉传感顺速度的求解方法

提出了利用触觉传感器动态触摸物体表面时产生的信号求触摸速度的方法。该方法利用不同深度的触觉传感单元垂直采样信号，并对停号的时－空频率特性分析，从而求出速度。仿真结果表明，该方法可以对一定范围内的速度较精确地测量。     

应用于人工皮肤的压电驻极体触觉传感阵列研究

基于聚丙烯压电驻极体(Piezoelectret)设计了一种应用于人工皮肤的触觉传感器。该传感器具有柔性良好、压电效应稳定、制备简单、成本低廉等特点。通过触压、滑动、同时触压与滑动、恒定力重复触压等实验,可观察到该传感器对不同触觉信号具有明显的特征差异,且阵列传感器的信号检测稳定性比单路传感器高40%。将该传感器置于假肢手指前端反馈触觉信号,并根据触觉信号调控假肢手的抓握力,可实现对易脆和光滑物体的稳定抓握。     

电容式触觉传感阵列单元的理论设计

本文主要分析了16×16电容式触觉传感阵列中一种新的单元结构——异型膜结构的理论设计.建立了异型膜模型,并首次通过求解大挠度情况下的挠曲微分方程,对异型膜进行数值模拟,研究了异型膜的结构参数对传感器灵敏度的影响,并估算出外力的动态范围.结合实践,为阵列单元设计提供了可靠的理论依据.     

动态触觉传感中速度的求解方法

提出了利用触觉传感器动态触摸物体表面时产生的信号求触摸速度的方法。该方法利用不同深度的触觉传感单元垂直采样信号，并对信号的时－空频率特性分析，从而求出速度，仿真结果表明，该方法可以对一定范围内的速度较精确地测量。     

一种电子皮肤的触觉传感性能研究

皮肤是人类感知外界信息的重要器官,人类通过皮肤产生的触觉感来判定环境变化,从而做出相应的反应。该文以聚偏二氟乙烯(PVDF)为主材料,设计制备了液体芯PVDF压电纤维、电子皮肤柔性触觉传感器。为了测试该电子皮肤的触觉传感性能,实验以推力计施加压力,使压电纤维发生形变,则电荷改变。通过机器学习误差逆向传播(BP)神经网络算法、分类学习对数据训练,即可通过6根纤维的信号大小来判断压力的大小及位置。其中BP神经网络的回归分析图中回归系数(R)值为0.87,分类学习中接受者操作特征曲线(ROC)下的面积(AUC)为1。结果表明该电子皮肤灵敏度高,对于力的捕捉精确。     

应用于人工皮肤的压电驻极体触觉传感阵列研究北大核心CSCD

基于聚丙烯压电驻极体(Piezoelectret)设计了一种应用于人工皮肤的触觉传感器。该传感器具有柔性良好、压电效应稳定、制备简单、成本低廉等特点。通过触压、滑动、同时触压与滑动、恒定力重复触压等实验,可观察到该传感器对不同触觉信号具有明显的特征差异,且阵列传感器的信号检测稳定性比单路传感器高40%。将该传感器置于假肢手指前端反馈触觉信号,并根据触觉信号调控假肢手的抓握力,可实现对易脆和光滑物体的稳定抓握。     

基于SOI材料的偏振不敏感的阵列波导光栅

阵列波导光栅(AWG Arrayed Waveguide Grating)是实现多通道密集波分复用(DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing)光网络的理想器件,偏振敏感性是它的一个重要性能指标。本文针对SOI材料的阵列波导光栅,分析了如何采用特殊的波导结构来减小它的偏振相关性,并对16通道、间隔为0．8nm的AWG解复用器进行了计算,结果表明其偏振敏感性低于0．06nm。     

基于CMAC的触觉传感信号自适应逆滤波器设计

CMAC是模仿人类小脑工作机理的一种神经网络,它具有自适应补偿能力。本文首次在机器人PVDF触觉传感器领域使用了基于CMAC神经网络的逆滤波系统,目的是消除在通过触觉传感器的应力信息反求被触摸物体的轮廓过程中系统模型产生的结构误差。使用ARMA模型对触觉传感器模型进行了较好的逼近,保证了整个系统能有效工作。设计了基于频域特性的物体轮廓高程估计逆滤波器系统,此逆滤波器具有较快的速度和很强的通用性。     

SOI材料的场助键合技术

本文报道了SOI（Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术，其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英，GaAs－玻璃等的键合，利用各种检测手段对键合材料的键合面积，键合强度，界面形貌及电学特性进行了测试，文中还讨论了场助键合机理，等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例,结果表明，场助健合技术是一种很大潜力的技术。     

三种SOI材料工艺的电气和辐射特性

近来,人们正在开发许多种绝缘体上硅膜(SOI)材料工艺。这些工艺的每种电气或物理特性都会影响其潜在应用。本文描述了哈里斯半导体公司开发的三种SOI材料工艺的特性研究,即SIMOS,按比例缩小介质隔离及圆片粘合工艺。本文还评论了这些材料质量的现状,报道了制成的典型CMOS器件的电气及辐射的响应特性,并评述了这三种工艺的生存能力。     

SOI技术特点及晶圆材料的制备

随着微电子技术发展,要使器件水平进一步提高,除了进一步缩小芯片的特征尺寸外,采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案,阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点。文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法,目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX（Seperation by Impolanted Oxygen）方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI（Bonding-Etchback SOI）方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法。指出了SOI很有可能成为今后高性能和高可靠集成电路材料的主流。     

提高汽车性能的微加工传感器

提高汽车性能的微加工传感器最新的微加工技术造价低廉，而用这种技术制作的传感器却可使汽车安全得多Ｃｌｉｆｆｏｒｄ　Ｍｅｔｈ新一代的微加工传感器不仅使汽车驾驶起来更加安全，而且也可降低制造费用。微（机械）加工（ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）决不是一种新技...     

SOI／SIMOX材料导电类型反型的研究

采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明，该样品表层硅膜的导电类型由ｐ型反型为ｎ型。ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，ＳＩＭＯＸ样品中氧施主的电离能为０．１５ｅＶ，与早期文献报导的实验值一致。     

颇具竞争力的SOI硅集成技术

主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面 的优越性以及在微电子领域中的广泛应用。     

新型的SOI技术

本文较合面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括建键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。     

采用SDB／SOI衬底的PH传感器

采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。     

SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(下)

4.SOI的应用领域4.1SOI的高端应用—8英寸和12英寸的薄膜SOI国际SOI市场95%的应用集中在8英寸(1英寸=25.4毫米)和12英寸大尺寸薄膜SOI,其中绝