X波段极低噪声低温放大器

介绍了X波段极低噪声低温放大器的研制。在≤15K的环境温度下,X波段100MHz带宽内,实测放大器的等效噪声温度:≤8.8K;增益:>36dB;带内起伏:<0.4dB;输入反射损耗:<-22dB;输出反射损耗:<-20dB。它的研制成功,将可以替代进口产品满足X波段低温接收机的研制需要。     

极低噪声测试系统的方法研究

介绍了可变负载温度法和低温衰减器法。两种方法都应用了所谓的Y因子测量技术。当前S波段致冷放大器的噪声温度已达到小于7K的水平。测量如此低的噪声温度,对于电缆的损失、衰减器和接头以及仪器和传感器的校准,必须给予极大的关注。两种方法噪声温度的测量已经被应用并作了比较,整个测量的估值精确度小于1K。     

X波段宽带极低噪声低温放大器

介绍了8～9GHz极低噪声低温放大器的研制。在≤15K的工作温度下,实测放大器的主要性能指标如下:等效噪声温度≤7.9K;增益>31dB,带内起伏≤1dB;输入反射损耗<-21dB;输出反射损耗<-23dB。它的研制成功,实现了深空探测、天文观测等X波段宽带低温接收机的核心器件国产化。     

低温低噪声放大器测试平台的结构设计

本文介绍了低温低噪声放大器的应用情况,以及确保它正常工作所需的结构设计方面的一些问题。     

S波段低温低噪声放大器技术研究

介绍了低温低噪声放大器使用的HEMT(高迁移率晶体管)器件噪声模型的建立,对HEMT用S参数和噪声参数讲行仿直,获取适合的模型.给出了实例,放大器在低温10K工作,增益≥30dB,噪声温度≤4K.     

低温低噪声放大器产品详细规范制定研究

介绍了低温低噪声放大器产品结构、功能和用途。分析了现行低温低噪声放大器相关标准的适用情况,针对噪声温度、可靠性等质量特性,提出了包含产品全部要求和内容的详细规范制定方案,研究了详细规范中性能参数、测试方法和环境试验等关键技术要素的制定。结果表明:该标准规范了低温低噪声放大器详细要求的制定方法,适用于该产品的设计、制造及质量评价。     

Ku波段低温低噪声放大器设计

本文采用插指电容新结构设计了一个Ku波段低温低噪声放大器(LNA),并通过优化的封装工艺制备了放大器样品,分析了隔离器对LNA性能的影响.在77K温度下测试结果表明,放大器增益约10dB,噪声系数小于2.0dB,反射系数小于-17dB.     

低温放大器组装技术分析研究

本文分析了低温放大器中温度应力影响和质量隐患,从芯片和印制板贴装、引线键合和盒体封装三个方面对低温放大器装配工艺进行了研究,给出了低温放大器组装工艺的关键工序,提出了组装工艺改善方法,对低温放大器的组装技术具有一定参考作用。     

X波段低温低噪声放大器的研制

介绍了X波段低温低噪声放大器的设计和实验结果。该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz~8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0~40GHz内无条件稳定。     

S波段低温低噪声放大器

中介绍了S波段低温低噪声放大器的研制.在15K左右的环境温度下,300MHz带宽内,实测放大器的等效噪声温度≤4.6K,增益≥35dB,增益平坦度≤1.0clB,输入、输出回波损耗≤-20dB.它已经成功运用于射电天文等领域.     

S波段低温低噪声放大器的研制

介绍了基于ADS仿真的低噪声放大器的设计与制作方法;重点研究了LNA的直流偏置、稳定性分析、匹配设计、版图制作和调试;提出了源级负反馈和栅极加并联阻抗的方法来实现了电路全频段稳定和低温正常工作。采用ATF-34143制作了中心频率在2.25的低噪声放大器,在77K温度下,该放大器带内输入输出驻波比小于1.2,增益达到23dB,噪声系数为0.24dB。     

低温低噪声放大器的发展概况及其结构设计综述

介绍了低温低噪声放大器的研制历史、现状及应用情况 ,举例分析了在该类放大器的结构设计中需要解决的关键技术 ,对军事和民用装备的有关领域有参考作用。     

低温放大器噪声测试平台结构设计与测试方法

本文介绍了一种低温放大器快速准确噪声测试方法,及低温测试平台的结构设计,分析了测试系统的测量误差,并给出测试平台在L波段低温放大器测试结果,噪声测试误差<±1.5 K。结果表明,高精度噪声测试系统的建立为低温放大器的研制提供了必要条件。     

具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器

该文的工作是设计和制作了一种具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器。在低温75K环境下,工作频段为250-350MHz的范围内,该低温低噪声放大器具有优异的性能,噪声系数小于0.4dB,增益为14.4dB,增益平坦度小于0.05dB,输入反射损耗S11<-20dB,输出反射损耗S22<-20dB。同时在工作频段外的高温超导滤波器寄生通带内,该低温低噪声放大器成功实现了传输陷波响应,加强了系统对前端高温超导滤波器产生的寄生通带的衰减和抑制。     

低温低噪声放大器的预修正设计与实现

本文给出了一种设计低温LNA的预修正设计方法.首先按照LNA常温设计方法设计低温LNA,然后,测量出低温情况下LNA的S参数.忽略匹配网络常低温下的变化,利用软件抠除输入输出匹配网络对S参数的影响.然后,利用这个低温参数模型优化匹配网络使低温LNA各项性能均达到设计要求.最后利用这种方法设计并实现了一款频率范围0.8GHz～2.4GHz驻波小于1.5,增益大于23dB,纹波小于1,噪声小于0.5dB的低温低噪声放大器.     

低噪声放大器有意电磁干扰效应

低噪声放大器(LNA)是高功率微波“前门”效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致,表明基于SPICE电路模型微波效应研究方法的有效性。研究表明,LNA增益压制脉宽随注入微波脉冲脉宽的增大具有饱和效应,该饱和值基本等于LNA直流偏置电路RC时间常数,并且出现饱和现象对应注入微波脉宽拐点约为150~250 ns。最后,给出了LNA微波脉冲效应定性物理解释和机理探讨。     

X波段接收机低噪声放大器设计

设计了一种采用Ga As p HEMT管芯的小型化宽带超低噪声放大器,利用ADS微波仿真软件进行原理图设计、优化。其中管芯采用单电源加电,避免了双电源输入端隔直电容对噪声的引入;另外,电路结构采用电阻负反馈拓展了带宽,同时也增加了电路的稳定性,实现较好的输入输出匹配特性。设计的低噪放在7GHz—10GHz频率范围内噪声系数小于0.7d B,增益大于30d B,输入输出回波损耗小于-10d B。低噪声放大器的尺寸仅为23mm×18mm×10mm。     

L波段低温低噪声滤波放大组件设计研究

仿真和设计了一种以超导滤波器和低温低噪声放大器为核心的滤波放大组件,在77K温度下,该组件带外抑制大于100d B,在工作频段内,噪声系数优于0.44d B,增益为29.9±0.4d B,输入回波损耗优于-13.8d B,满足设计指标要求。     

低场磁共振系统的低噪声前置放大器研究设计

噪声前置放大器是磁共振射频接收子系统中的重要组件,它的性能优劣直接决定了最终磁共振图像的好坏.目前市场上的低噪声前置放大器大多基于中高场磁共振系统开发,而针对低场磁共振系统的很少;另外,商用低场磁共振系统的低噪声前置放大器价格相对较贵,并且多采用两级放大结构,结构复杂、调试难度大、成本相对较高.在此背景下,针对0.5 T低场磁共振设备利用Keysight公司的先进设计系统（ADS）软件对低噪声前置放大器进行研究设计,采用一级放大结构,探索电路设计与布局对放大器性能的影响.实测结果表明自主设计的低噪声前置放大器在21 MHz共振频率附近噪声系数为0.5 dB左右,增益达到了30 dB,能够满足低场磁共振应用的要求.     

极低温散粒噪声测试系统及隧道结噪声测量

介观体系输运过程中载流子的离散性导致了散粒噪声.通过测量散粒噪声可以得到传统的基于时间平均值的电导测量无法得到的随时间涨落信息,因而作为一种重要手段在极低温量子输运研究中得到了一定的应用.极低温环境下的噪声测量是一种难度很大的极端条件下的微弱信号测量,通常需要在低温端安装前置放大器并且尽量靠近待测器件以提高测量信噪比和带宽,因此对放大器的噪声水平和功耗都有严格的要求.提出了在稀释制冷机内搭建的散粒噪声测量系统,以及利用此套系统得到了在mK温区超导隧道结散粒噪声的测量结果.自行研制的高电子迁移率晶体管低温前置放大器采用整体封装,便于安装在商用干式稀释制冷机的4 K温区,本底电压噪声为0.25 nV/√Hz,功耗仅为0.754 mW.通过对隧道结进行散粒噪声测量,得到的Fano因子和理论计算吻合.