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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
世人瞩目的诺贝尔物理学奖在2014年授予蓝光发光二极管(LED)的三位发明者,他们的经历值得借鉴,也发人深省,带来许多有益的启示,引发我们更深入地理解基础与应用的关系和更恰当地评价物理研究的科学价值和社会价值.  相似文献   

2.
2 0 0 0年的诺贝尔物理奖奖给了集成电路的发明人 ,从“纯理论”转向“技术科学”体现了科学交叉与融合 ,并结合我国国情进行了思考和展望。  相似文献   

3.
何景棠 《物理学进展》2003,23(3):299-311
本文论述2002年诺贝尔物理奖获得者,R.Davis在探测太阳中微子丢失的成就;M.Koshiba在证实存在太阳中微子丢失,探测超新星中微子和大气μ中微子丢失以及证明μ中微子振荡的成就。此外,本文还叙述2002年诺贝尔物理奖给我们的启示。  相似文献   

4.
集成电路器件微波损伤效应实验研究   总被引:6,自引:11,他引:6       下载免费PDF全文
 主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。  相似文献   

5.
主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。  相似文献   

6.
The optoelectronic integrated transmitter and receiver for 650 nm plastic optical fiber (POF) communication applications realized in 0.5 μm BCD (Biplor, CMOS and DMOS) process is first described in this paper. The 650 nm resonant cavity light emitting diode (RCLED) is used as light source. It is first proposed for optoelectronic integration of the transmitter by bonding RCLED to the driver chip. Temperature compensation technology is employed in the driver circuit to compensate for the modulation current. In the monolithic optoelectronic integrated receiver, large area multi-finger PIN photodetector (PD) that is compatible with standard IC process, transimpedance amplifier and post amplifier are presented. Measurement results show that the responsivity and capacitance of PD is 0.25 A/W and 5 pF, respectively. The sensitivity of receiver is −14.6 dBm at 180 Mb/s and BER is less than 10−9 for 650 nm input light by POF. A clear eye diagram is demonstrated for 180 Mb/s PRBS. These indicate that optoelectronic integrated chips can be employed in high-speed POF-based Fast Ethernet systems for broadband access network applications.  相似文献   

7.
This paper represents a novel digital readout for infrared focal plane arrays with 2.33 Ge charge handling capacity while achieving quantization noise of 161 e. Pixel level A/D conversion has been realized by pulse frequency modulation (PFM) technique supported with a novel method utilizing extended integration that eliminates the requirement for an additional column ADC. Digital pixel operates with two phases; the first phase is as ordinary PFM in charge domain and the second phase is in time domain, allowing the fine quantization and low quantization noise. A 32 × 32 prototype has been manufactured and tested. Measured peak SNR at half well fill is 71 dB with significant SNR improvement for low illuminated pixels due to extremely low quantization noise. 32 × 32 ROIC dissipates only 1.1 mW and the figure of merit for power dissipation is measured to be 465 fJ/LSB, compared to 930 fJ/LSB and 1470 fJ/LSB of the state of the art.  相似文献   

8.
设计了一种能够在不同的光谱波段范围内测试超微弱光子辐射 (UPE)的实验装置 ,并成功地进行了生物样品在不同波段内的 UPE测试 .测试结果表明 :从紫外、可见光到红外的宽波段范围内均存在着 UPE;从而进一步获得重要结论 :UPE几乎与波长无关 .这一结论对于证明生物光子场的相干性具有重要意义 .  相似文献   

9.
介绍三代微光和超二代微光夜视技术的发展概况:阐明了它们各自的原理、技术特点和关键课题;着重指出了两者间的异同和相互联系。  相似文献   

10.
设计了一种能够在不同的光谱波段范围内测试超微弱光子辐射(UPE)的实验装置,并成功地进行了生物样品在不同波段内的UPE测试.测试结果表明:从紫外、可见光到红外的宽波段范围内均存在着UPE;从而进一步获得重要结论:UPE几乎与波长无关.这一结论对于证明生物光子场的相干性具有重要意义.  相似文献   

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