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1.
采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力.Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4 在LiNbO3中具有抗光折变能力.采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体. 相似文献
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在铌酸锂(LiNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1;的CeO2,以提拉法从不同[Li]/[Nb]摩尔比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体.测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度.结果表明:随着[Li]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的协同作用,[Li]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[Li]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围.测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好.并分析了不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理. 相似文献
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采用提拉法生长了不同Li/Nb比(Li/Nb=0.85,0.94,1.05,1.20,1.38)的Mg:In:Fe:LiNbO3(LN)单晶.测试了Mg:In:Fe:LN晶体的红外透射光谱,紫外吸收光谱,抗光致散射能力,响应时间和指数增益系数.实验结果显示:Li/Nb=0.85晶体的OH-吸收峰在3481cm-1附近, Li/Nb=0.94、1.05、1.20的晶体的OH-吸收峰在3505cm-1附近,而Li/Nb=1.38晶体的OH-吸收峰有三个,分别在3466cm-1、3481cm-1和3518cm-1附近.随着Li/Nb比的增大,晶体的紫外吸收边发生紫移,抗光致散射能力增强,响应速度加快,指数增益系数增大.结果表明:Li/Nb=1.38的晶体是性能最为优良的光折变晶体材料. 相似文献
4.
Ce:Nd:LiNbO3晶体具有优良的光折变性能,它作为全息记录介质,用于实现了光学图象微分和全息关联存储。 相似文献
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在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3,以Czochralski技术生长Zn(7mol;):Fe(0.03;):LiNbO3,Zn(3mol;):Fe(0.03;):LiNbO3和Fe(0.03;):LiNbO3晶体.测试晶体的吸收光谱,Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对Fe:LiNbO3晶体发生紫移.测试晶体的红外光谱,Zn(7mol;):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3529cm-1.测试晶体抗光致散射能力,Zn(3mol;):Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,Zn(7mol;):Fe:LiNbO3晶体比Fe:LiNbO3晶体高二个数量级.测试晶体的衍射效率和响应时间,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率降低.对吸收边和OH-吸收峰移动的机理,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力增强的机理进行了研究. 相似文献
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通过吸收光谱的研究,确诊γ射线辐照引起民的LiNbO3晶体内出现Vo等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ce:LiNbO3晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高,我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大,使载流子的电离和迁移运动更为有利。 相似文献
9.
本文报道采用Ce:Fe:LiNbO3晶体由多波作用产生的相位共轭波(双泵浦、自磁浦相位共轭、四波混频);获得了44%的双泵浦相位共轭反射率。对以上现象我们理论上进行了分析。 相似文献
10.
用双掺杂Zn:Fe:LiNbO3晶体作全息记录介质,另一块Cu:KNSBN晶体作自泵浦位相共轭反射镜,同全光学实时图象边增强。本文以Zn:Fe:LiNbO3晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。 相似文献
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双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质 总被引:8,自引:0,他引:8
采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5=48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体. 相似文献
13.
本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为.在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场.而纯铌酸锂晶体的紫外光致吸收以及紫外光折变性能则具有相似的组分依赖关系.它们随组分的增加过程可分为两个不同的阶段:当组分小于49.70 mol;时,随组分增加缓慢升高,而当组分高于49.70 mol;时,随组分突然猛增并迅速升高.上述实验结果也可采用本征缺陷由Q极化子主导向双极化子主导的渐变过程进行解释. 相似文献
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Hongxin Shi Changyu Ren Suhua Luo Qingxin Meng Xiudong Sun 《Crystal Research and Technology》2011,46(9):931-934
Hf:Fe:LiNbO3 crystals were grown in air by the Czochralski technique with various [Li]/[Nb] ratios ([Li]/[Nb]=0.94, 1.05, 1.20) in melt. The defect structure and location of doped ions were analyzed by the UV‐visible absorption spectra. The optical damage resistance of Hf:Fe:LiNbO3 crystals was investigated by the photoinduced birefringence change and the transmitted light spot distortion method. The results show that the optical damage resistance ability of Hf:Fe:LiNbO3 crystals decreases with the increase of the [Li]/[Nb] ratio. The dependence of the optical damage resistance of Hf:Fe:LiNbO3 crystals on the defect structure is discussed in detail. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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Zhaopeng Xu Weihong Bi Binliang Jiao Yongzhi Ben Qizhu Lu Huihui Tang 《Crystal Research and Technology》2010,45(1):85-88
Mg:Ce:Fe:LiNbO3 crystals were prepared with fixed concentrations of Fe2O3 and CeO2, and differing concentrations of MgO by the Czochralski technique. Their infrared transmission spectra were measured in order to investigate their defect structures and their optical damage resistance was characterized by the photoinduced birefringence change and transmission facula distortion method. The optical damage resistance of Mg:Ce:Fe:LiNbO3 crystals increases remarkably when the concentration of MgO exceeds a threshold concentration. The dependence of the optical damage resistance on the defect structure of Mg:Ce:Fe:LiNbO3 crystals is discussed in detail. (© 2010 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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Liu Bo Li Chunliang Bi Jiancong Sun Liang Xu Yuheng 《Crystal Research and Technology》2008,43(3):260-265
Hf(2mol%):Fe(0.05wt%):LiNbO3 crystals with various [Li]/[Nb] ratios of 0.94, 1.05, 1.2 and 1.38 have been grown. The photorefractive resistant ability increases with the accretion of [Li]/[Nb] ratio. When the ratio of [Li]/[Nb] is 1.20 or 1.38, the OH‐ absorption band shifts to about 3477cm‐1. The mechanisms of the photorefractive resistant ability increase and the absorption band shift have been discussed. The exponential gain coefficient (Γ) of the crystals was measured with two‐beam coupling method and the effective charge carrier concentration (Neff) was calculated. The results show that Γ and Neff increase with the accretion of [Li]/[Nb] ratio. The temperature effect of codoped Hf:Fe:LiNbO3 crystals was also studied, it was found that the exponential gain coefficient increase dramatically at about 55°C, 70°C and 110°C, this is due to the inner electric field which is resulted from structure phase change. (© 2007 WILEY ‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献