基于OrCAD/Pspice的IGBT驱动器EXB841的改进与仿真

分析了IGBT专用驱动器EXB841的组成和触发工作原理,针对EXB841对过流故障信号不能锁存而导致IGBT损坏这一缺陷,设计了延时软关断电路加以改进,并通过Or CAD/PSpice软件进行了仿真原理图设计与仿真分析。仿真结果验证了延时软关断电路的正确性和可行性。改进后的电路已投入太阳能电源控制系统中使用,结果表明所设计的电路完善了EXB841的过流保护能力,具有良好的实用性。     

IGBT的电路仿真模型及其特性模拟

以通用电路仿真软件 PSPICE中的器件模型为基础 ,采用组合模型的方法建立了 IGBT模型 ,并对其静态特性和动态特性进行了仿真 ,其结果与厂家给出的实验结果符合得很好     

TTL门电路的Pspice仿真分析

应用Pspice对分立元件TTL反相器的逻辑特性和电气特性进行定量分析，加深对TTL门电路工作原理的理解。     

基于Pspice的超级电容器宏模型建立及仿真分析

超级电容器宏模型的建立为其应用设计开发提供了便捷有效的计算机辅助研究手段,对节约项目研发成本和缩短研发周期有着重要意义.笔者采用Pspice电子电路仿真软件,以超级电容器的元件标称参数及其电学等效模型为基本构架,提出一种效果显著且在技术上易于实现的超级电容器建模方法.实验结果表明,该模型具有良好的拟合度,恒流充电阶段时域仿真与实测结果偏差小于10％,能够充分模拟出超级电容器的等效性能和储能特性,可用于各种类型超级电容器的仿真研究,为超级电容器的实际应用提供可靠的数据支持.     

IGBT数值模型建立及在三电平逆变电路的应用

采用PSpice仿真分析N沟道IGBT数值模型,该数值模型体现了MOSFET和双极型PNP晶体管特征。目前的许多仿真工具都很复杂,而且不能反映工作温度变化对器件参数的影响。本文参照测量和数据手册参数,提出了一种新颖、简捷的IGBT建模方法。根据FGW50N60HD型IGBT参数,建立该型号IGBT模型,并在三电平逆变电路中验证。该模型在外部温度环境变化时,容易修改模型的内部参数。仿真与实验结果证明了在不同温度条件下该模型的正确性。     

25t转炉自适应静态模型动态化控制

针对中小转炉不宜增设副枪检测,无法进行动态控制的实际状况,提出了自适应静态模型动态化控制的思想;首先建立自适应终点静态控制模型;然后根据枪位－加料模型进行吹炼并自动动态化控制知识库,修正枪位－加料模型及控制量,最后启动预报模型进行终点预报指导出钢。根据实际吹炼数据验证,终点控制模型具有良好的跟踪性,终点预报模型的终点Ｃ,Ｔ命中率分别达到６８％和６３％。     

IGBT驱动器的选择

随着电力电子技术的发展,IGBT以其优异的性能已经取代BJT广泛应用于航空航天,工业控制,家用电子消费领域。在IGBT的应用中,根据系统要求的整体性能,针对不同的IGBT特性选取合适的驱动器是至关重要的,它不仅影响了IGBT的动态性能,同时也影响系统的成本和可靠性。根据IGBT对驱动电路的要求,就其中常用3种不同驱动电路及选择时注意事项作了分析,使IGBT的应用更广泛。     

大功率IGBT特性及在变频器中应用研究

目的为能够更全面透彻地理解绝缘栅双极晶体管(IGBT)的结构、特性及应用中的注意事项,正确选择和使用IGBT器件及其系统,更好地将IGBT应用于变频器中。方法具体深入地分析IGBT特性,从实践出发对IGBT在变频器方面的应用进行研究。结果详尽分析了IGBT的静态和动态特性、擎住效应、安全工作区等,并从系统构成和实际应用角度对影响IGBT特性的主要因素进行了分析研究;探讨了IGBT在变频器应用中被易损坏的原因及解决的措施。结论 IGBT的结构、特性及应用的深入理解对正确选择该器件有一定的实用价值。     

非线性电阻Pspice模型的建立

提出一种基于Ｐｓｐｉｃｅ上新颖的非线性器件的方法，并以非线性电阻为例具体加以实现，该模型是一个通用子电路模型，并且可以应用于任何电路仿真及电力半导体器件建模中，由于在该模型的建立中采取了非线性函数的曲线拟和方法，使得原先在Ｐｓｐｉｃｅ中无法实现的非线笥器件可以通过易于实现的受控源来模拟拟和多项式函数。     

IGBT的PSPICE模拟

提出了一种用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）特性的方法。首先详细介绍了ＩＧＢＴ的ＰＳＰＩＣＥ模型的建立,以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验证,证明了该方法的可行性。     

IGBT的工作原理及其保护问题分析

文章介绍了IGBT基本工作原理,重点论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题,并结合实际应用,总结出一些保护方法,有一定工程应用价值.     

H桥IGBT栅极驱动设计与应用

以具体实例对H桥IGBT栅极驱动电路的设计做了分析.得出IGBT的驱动条件是栅极正电压、栅极负电压、栅极串联电阻与其主要运行特性的关系,并推导出H桥IGBT栅极驱动电流、驱动功率、栅极电阻的计算公式及死区时间的确定方法.为驱动电路的设计提供了可靠依据.     

IGBT的驱动与死区补偿

通过分析IGBT的短路特性，提出了驱动与保护电路、缓冲电路的设计方法，最后介绍了一种实用的死区补偿方法，提高了整机的可靠性，有效减少了因开关时滞、死区造成的逆变器输出电压畸变。     

在大功率应用时IGBT和IGCT的选择

在不同的应用领域，由于较大的功率和较高的频率冲击，对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的，因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多，但今后的开关器件在600V以上的场合应用时，无外乎两三种：IGBT,IGCT和GTO。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

80C552单片机控制IGBT逆变焊机的研究

以半桥式逆变焊机为例,研制了以８０Ｃ５５２单片机为核心的控制系统,介绍了该控制系统的控制原理及硬、软件的组成．经过实验研究表明：采用该系统控制自行研制的ＺＸ７－５００ＩＧＢＴ焊机,焊接参数稳定,电流控制精度为２Ａ,并具有恒流带外拖静特性和动特性响应速度快的特点．     

驱动与吸收电路对IGBT失效的影响

文章分析了驱动和吸收电路对功率器件IGBT开关过程的影响及其失效原因，提出了应采取的措施。     

基于IGBT并采用自校正算法的ASVG装置的研制

针对国内外研制的静止无功发生器(ASVG)的现状,介绍了一种基于IGBT智能模块并采用自校正算法的ASVG装置的研制理论和方法.在系统结构的实现上,该装置的主电路采用基于IGBT的智能模块IPM构成三相桥三电平变流器;控制器采用双CPU结构,以DSP(TMSF240)作为主控制器,其任务是采样、计算和实时控制;以80C196作为辅助控制器,专门处理外挂键盘输入、数据显示查询及与上位机通信.在装置的控制策略上,采用电流间接控制和基于自适应的自校正PID调节算法,以实现装置的动态无功补偿.实验结果表明,该装置响应快,精度高,结构简单,易于维护.