栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响

用边界元法(BEM)和Monte Carlo方法,对一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的电子传输比进行了理论分析,通过模拟跟踪发射电子轨迹,证实改变阴极和栅极的相对高度,可以较大幅度地提高电子传输比阳极上电子的分布证实,我们设计的显示器结构能够满足高分辨率、高亮度的显示的要求,而且驱动电压低,工艺简单。     

平行栅结构氧化锌场致发射显示器的研制

用陈化处理过的锌粉为原料,采用高温气相氧化法制备四针状氧化锌材料。应用厚膜、光刻工艺和丝网印刷法制作氧化锌场发射阴极阵列。将阴极板与阳极荧光板制成了5英寸(12.7 cm)单色平行栅结构场致发射显示器(FED)并对其进行了场发射性能测试。分析讨论了影响发射性能的栅极电压、阳极电压以及阴极厚度等参数。该FED在约4000 V阳极电压和300 V栅极电压的驱动下能实现全屏发光。实验结果表明,氧化锌平行栅结构FED具有良好的栅极调控作用,场致发射性能良好,具有良好的应用前景。     

基于碳纳米管场发射三电极显示器的设计和实验

提出了一种基于碳纳米管场发射三电极大面积全彩色平板显示器模型,其特点是栅极和阴极在同一个平面上,驱动电压低,而电子传输比可以高达29.3%(达到阳极的电子与从阴极碳管上发射出来的电子之比),实验结果和理论模拟的结果符合得很好.阴极和栅极之间的沟槽可以用激光打标机刻蚀形成,用做阴极发射体的碳纳米管浆料用水浴法形成,显示器制作工艺简单.     

平栅极结构碳纳米管场发射性能实验

研究了碳纳米管(CNT)场发射显示器(FED)三电极结构的平栅极结构,得到了进一步降低场致发射的开启电压和缩小动态调制电压范围的方法,同时也为相关的场发射安全操作提供了借鉴。实验表明:二极结构场发射调制电压范围较大,调制电压达上千伏,而在三电极的平栅极结构中通过调节阳极电压不仅可控制显示亮度,还对栅极调制电路有保护作用。适当升高阳极电压、适当缩短阴极和阳极之间的距离以及阴栅极经老化后可减小栅极调制电压, 同时还能有效的降低场致发射的动态调制电压的范围。这对新一代的显示器研制提供帮助。     

日本平面低压荧光管的进展

日本双叶电子学公司研制了一种长寿命的荧光数字显示器,能显示5位数字,通过改进灯丝和阴极的设计,使工作寿命保证达到30,000小时以上。 这种显示器的型号是5-LT-03,专为用在测量仪器上而设计的,字体的高度是     

简讯

日本Sony(即)电器公司把阳极、阴极、引线、绝缘等都印刷在同一平板上,作成夹心式多位显示板,取名叫Planitron(取意平面管——译注)。它实际上是由一片玻璃底板和与之封接的另一玻璃板组成,底板上制备有厚膜集成线路。 把一块印刷线路板和另一块璃玻板叠封起来,本来不是常见电子管的样子,但是该公司却用这种结构来制造一种新型的多位辉光显示平面板。一般辉光显示管中,在数字迭层或笔     

后栅结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研制

为了解决二极结构FED驱动电压高的问题,设计制作了后栅式三极结构纳米ZnO场致发射显示器,进行了场致发射实验,验证这种结构的可行性。采用丝网印刷厚膜技术实现后栅极结构FED的制作,工艺简单,实现了较低电压的调制。对影响场致发射性能的栅极电压、阳极电压进行了分析讨论。将阴栅极板和荧光屏封装成5英寸三极结构的场致发射显示器,实现了稳定的场致电子发光显示。     

数字寻址的平板式阴极射线管

美国近年研制一种平板结构的阴极射线管,以数字寻址的电子束显示,叫“Digis-play”其结构示意于下图。由平面阴极板产生的电子通过视频调制板(或栅极),以视频信号调制电子束流,又通过多层开关板,每块板上有排成阵列的小孔作为电子通     

器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)

基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.     

三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研究

针对二极式场致发射显示器(field emission display, FED)驱动电压过高的问题, 设计制作了前栅极式三极结构纳米ZnO场致发射显示器, 并进行了场致发射实验, 验证这种结构的可行性.前栅极结构采用喷砂工艺结合光刻技术, 制作出微细的栅孔结构, 实现了较低电压的控制.同时对影响场致发射性能的栅极电压、栅孔开口尺寸和介质层厚度进行了分析讨论.实验结果表明:采用三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器具有良好的发射性能, 是一种有前途的场致发射显示器.     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

单壁碳纳米管在场发射显示器中的应用研究

采用丝网印刷法将利用电弧放电法制备的单壁碳纳米管印刷在玻璃板上作为场发射显示器阴极材料，利用荧光粉阳极测试了其发光亮度，并研究其场发射性能.实验结果表明，单壁碳纳米管作为场发射显示器阴极材料具有较低的开启电场和较大的场发射电流密度，显示出良好的场发射特性.     

场致发光器件工作电路的改进

过去用半导体开关元件控制场致发光的方法如图1所示。图中显示器是场致发光器件,用从发生器来的交流电压激发。发生器的一头和显示器直接相联,另一头则通过一个串联电路(用直流电源供电)与显示器相联。串联电路中有一个开关晶体管,两个半导体开关元件的阳极一阴极     

场致发射显示器驱动电路研究进展及其性能研究

场致发射显示是一种新型的平板显示技术,场致发射显示器继承了传统的阴极射线管显示器的优良特性,兼有液晶等薄型平板显示器的优点,具有广阔应用前景。介绍了几种不同阴极结构的场发射显示器工作原理及相应的驱动电路,分析并比较了二极管型和三极管型两种场致发射显示器的驱动电路,对新型场致发射平板显示器的理论研究具有参考意义。     

微束斑X射线源LaB_6阴极电子枪的设计

LaB6阴极电子枪是微束斑X射线源的关键组成部件之一。详细的讨论了电子枪的各组成电极 ,即LaB6阴极、Wehnelt栅极和阳极的设计。采用边界元法 (BEM )对电子枪内部电场电位和场强分布进行了有效的数值计算 ,并从阴极开始起利用四阶Runge Kutta法追踪电子的运动轨迹。给出了当阳极端口处电子束半径为设计值时各电极电压、电极结构等工作参量 ,利用该LaB6阴极电子枪可以满足微束斑X射线源需要高亮度、微细电子束发射的要求。     

用灯泡演示电子热发射的实验

实验电原理图如下图所示: 用一个60～100W的白炽灯泡灯丝作为阴极,将一块宽约40ram长约100mm的金属板制成半圆形紧扣在灯泡的顶端作为阳极,一台0～5kV的可调高压电源作为阳极电源,用一     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y_2O_2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

多丝室在北京试验束中的应用

介绍了北京正负电子对撞机直线加速器附设e,p试验束多丝室的结构及工作机理。该室间隙6 mm,窗口面积80 mm×80 mm,位置灵敏面积50 mm×50 mm;阳极丝和阴极丝分别采用直径为20 mm和50 mm镀金钨丝,阳极丝距2 mm,阴极丝距0.7 mm,每6根阴极丝并联构成阴极条,阴极条间距4.2 mm。采用阴极条感应重心读出分辨位置,对5.9 keV的γ光子,获得优于0.3 mm (FWHM)的位置分辨;对1.1 GeV电子束流,获得0.224 mm (FWHM)的位置分辨。     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y2O2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

多丝室在北京试验束中的应用

 介绍了北京正负电子对撞机直线加速器附设e,p试验束多丝室的结构及工作机理。该室间隙6 mm,窗口面积80 mm×80 mm,位置灵敏面积50 mm×50 mm;阳极丝和阴极丝分别采用直径为20 mm和50 mm镀金钨丝,阳极丝距2 mm,阴极丝距0.7 mm,每6根阴极丝并联构成阴极条,阴极条间距4.2 mm。采用阴极条感应重心读出分辨位置,对5.9 keV的γ光子,获得优于0.3 mm (FWHM)的位置分辨;对1.1 GeV电子束流,获得0.224 mm (FWHM)的位置分辨。