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《发光学报》1976,(3)
9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH… 相似文献
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《发光学报》1975,(2)
一、发光的一般问题: n一F族半导体的某些光学特征(部分I和且) AD一753562 电磁场激发的光谱宽度对无幅射过程速度的影响 Chem.Ph,5.Lett.,1973,23(4)541 非补偿和部分补偿的杂质能级激活能的确定 Phys.Status Solidia,197凌,21 (1)377 铁、钻、镍在硫化锌、镐发光时起碎灭作用的某些规律性 狱。11。C 1974,20(1)59 21届发光会议材料(晶体磷光体) H3B.AHCCCP eep.中。3.,1974,38 (6),1 129 硫氧化物中电子空穴过程对杂质中心发光动力学的影响 同前1213 发光材料与超纯物质〔9〕 C6.uay二.Tp.BHHH二lomoHo中opoBH oeo6o。从HeT。… 相似文献
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《发光学报》1976,(5)
磷化稼发光二极管显示器 ’~J.“‘队’,阴西德专利(公开)250395。利用同步加速器辐射研究发光晶体GaAsP发光二极管 Tp.中。3.二。一Ta AH CCCP同前2517一978 1975.80 140一173发绿光的磷化稼发光二极管(有掺锌层)及 其制备方法 一’一~~‘“同前2531一405电致发光显示器电致发光半导体器件 New Eleetron(GB)s荷兰专利7407一812电致发光显示屏GaP发光二极管 美国专利3913一090日本特许公报5037一994长寿命的电致发光元件高效GaAs红外发光二极管 美国专利3919一589日本公开特许公报1002一393平板电致发光显示器件 美国专利3928一864… 相似文献
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《发光学报》1975,(1)
一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜… 相似文献
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《发光学报》1974,(6)
一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末… 相似文献
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《发光学报》1974,(4)
一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc… 相似文献
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《发光学报》1975,(3)
一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度… 相似文献
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《发光学报》1976,(4)
1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场… 相似文献
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《发光学报》1974,(5)
一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。… 相似文献
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《发光学报》1974,(2)
一、发光的一般问题: 硫化锌中的发光 AD 751 302 11一砚族半导体的某些光学特性 AD 753 562 晶格位错的动力学理论 AD 753 576 稀土材料在发光方面的应用 A D 758 760 施主受主对中的构形相互作用 AD 762 909 掺过渡金属离子的11一硕族化会物的发光 Lumin。Cryst.,Mol.,Solutions,proe.Int。Conf.,1972,553一63。 施主受主对光谱中的位形相互作用和交连效应 同上,628一37。 强合金半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1058一68。 强合金补偿的非简并半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1069一80。磷光体老化防止剂 特许公报昭48一9709 … 相似文献
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