PCB盲孔镀铜填孔添加剂研究进展

盲孔孔径的减小对孔金属化工艺提出了新的挑战,盲孔孔金属化采用填铜结构可以有效提高印制电路的稳定性。文章介绍了盲孔电镀工艺中常用的四种添加剂,并对国内外填铜添加剂的研究进展进行了概述。     

硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究

分析了影响硅基板盲孔制备及填镀铜质量的因素,进行了硅基板盲孔制备、绝缘层/阻挡层/种子层淀积、硅孔填镀铜等试验,通过对硅基盲孔填镀前处理、盲孔填镀铜等关键技术进行分析,得出加工过程中应该控制的要点和注意事项。     

添加剂在电镀填微盲孔不同阶段作用机理研究

通过研究新一代填孔药水的填孔过程,验证了分阶段式的电镀填微盲孔过程。在此基础上,采用控制断电流法着重研究了填孔过程前两个阶段添加剂对电镀填孔的作用情况。结果发现,在填孔起始期断电流对填孔品质的影响要大于在爆发期内断开电流,且不同的断电流持续时间对填孔影响有较大差异。文章从添加剂作用的角度分析了引起填孔差异的原因,加深对电镀填孔不同阶段添加剂作用机理的理解。     

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术.通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果.     

直接使用半固化片填机械盲孔的研究

机械盲孔是指采用机械钻孔方式形成的盲孔,机械盲孔均需要做填孔处理,并必须保证盲孔被填满,否则,填不满盲孔在后续制程中藏药水,造成盲孔孔铜腐蚀,影响可靠性。业界主要采用两种方式来填机械盲孔:一种是盲孔层采用树脂填孔工艺,另一种是压合时直接利用半固化片熔融的树脂填孔。采用半固化片直接填机械盲孔具有流程短、成本低的特点,是一种优异的加工技术流程。本文对直接使用半固化片填机械盲孔进行了系统的研究,总结出半固化片的树脂种类、Filler含量、树脂含量、生产厂家以及压合程序设计对半固化片填盲孔能力的影响,并分析这些因素影响半固化片填盲孔能力的机理。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率...     

不同添加剂镀铜效果的研究

对两种不同添加剂镀液在通孔和盲孔电镀过程深镀能力的研究,说明其各自对于通孔和盲孔电镀的优势所在。并确定对于通孔和盲孔同步电镀镀液添加剂的选择。     

系统级封装深盲孔化学镀铜的研究

作为超越摩尔定律发展起来的技术,系统级封装（SIP）由于务实地满足市场的需求而越来越受到重视。文章通过优化化学镀铜工艺和配方,成功实现在高深径比的系统级封装微盲孔（深径比1.5:1～2.0:1,孔径100或150μm）内部镀上连续的种子层铜,并使用我公司的电镀铜镀液通过直流电镀的方法成功填满盲孔。     

脉冲电镀在微盲孔填孔上的应用

电子产品的轻薄短小的发展趋势要求印制线路板的布线密度越来越高,这就使得板上的孔(包括通孔、埋孔和盲孔)径必须越来越小。在导通盲孔上直接叠孔的结构是实现最高布线密度的有效方法之一。作者通过水平脉冲电镀进行了微盲孔填孔电镀实验,在最佳的工艺条件下,在厚径比达到1.4:1的情况下仍然获得了良好的填孔效果,并对影响微盲孔填孔能力的一些因素进行了初步的探讨。     

镀铜用的添加剂

本文概述了酸性硫酸铜镀铜用的添加剂组成,可以改善低电流密度部分的镀层的均镀能力和光亮性,适用于孔金属化印制板的光亮镀铜。     

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。     

电镀填盲孔取消闪镀直接填铜工艺研究

文章主要阐述HDI电路板在电镀填孔制作中的一种填铜新工艺，经垂直沉铜后取消闪镀，直接进行填铜。用正交表L16（45）安排不同介质厚度、浸酸时间、浸酸浓度、三因素进行电镀试验，进行综合分析得到了填铜的最佳参数。     

喷流方式对电镀填孔影响分析

电子产品更轻、更薄的发展趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面临挑战。微孔堆叠技术是一种用来实现高密度互连的方法。如今,电镀填孔工艺已得到广泛的应用,主要是通过对流使填孔光剂产生吸附、消耗和扩散,从而填充盲孔。本文着重从底喷的对流的方式来介绍其对盲孔填孔的影响。     

电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨

超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。     

Electrochemical investigations for copper electrodeposition of through-silicon via

This study uses electrochemical techniques with a rotating disk electrode (RDE) to investigate the effects of Cu²⁺ concentration and additives on electrodeposition of through-silicon vias (TSV). The plating bath with both PEG and SPS has an obvious suppression effect on Cu-RDE with a thin boundary layer from −350 to −634 mV (vs. Hg/Hg₂SO₄) and a wide potential range for the via-filling operation. The impedance and potentiodynamic scans show the adsorption of small molecule SPS is more stable than PEG, and the effect of PEG or SPS depends on the thickness of boundary layer obviously only in Tafel region. This study obtained high filling powers in both deep and shallow vias using the plating bath of 50 g/L Cu²⁺, and TSV filling in wafer-segment scale, with 20 μm via diameter and 100 μm via depth, verifies the performance predicted by the electrochemical techniques.     

Investigations of solution variables in a contactless copper electrodeposition process for 3D packaging applications

A novel electrochemical method for contactless electrodeposition of copper onto silicon wafers has been investigated. Deposition parameters such as applied current, concentrations of deposition solution and supporting electrolyte were optimized to achieve high deposition rates as well as homogenous deposition of copper. Copper sulfate solution temperature of about 65 °C was shown to be suitable for achieving stable and high values of current density that translated to copper deposition rates of~2.4 µm/min with good deposition uniformity.     

不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。     

电镀铜中添加剂的吸附机理解析

应用电化学方法解析铜电镀中添加剂的吸附机理.     

HDI印制电路板水平脉冲电镀填孔技术的研究

目前HDI印制电路板盲孔电镀填孔通常是采用水平电镀加垂直连续电镀填孔然后再减铜的方法,该方法工序复杂、耗时长且浪费电镀液。相反采用水平脉冲电镀填孔技术,可以简化工序,不需要减铜,节约了成本。本文主要采用水平电镀+水平填孔的方式实现一阶盲孔填孔,进行正交试验获取最佳的工艺参数,并通过金相显微切片观察和热应力测试来分析盲孔填孔效果。研究结果表明采用优化后参数进行水平电镀填孔,可以实现可靠的盲孔填孔,同时控制Dimple<10 m,超出了IPC标准Dimple<15 m的要求。     

通孔电镀铜填孔浅析

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通孔的填充介质目前主要有三种,分别为导电膏、树脂、纯铜。比较此三种填充方式,纯铜填孔技术工艺流程短,可靠性高。该文介绍了通孔填孔的反应机理,并论述了通孔填孔电镀技术的优势。