OSP板件回流焊后变色的探讨

主要是围绕PCB的OSP表面处理工艺在无铅装配中存在变色问题的因素剖析及板面变色情况是否影响可焊性进行论证,以寻求OSP表面处理工艺在优化控制范围的基础上,能够满足未来无铅化装配的品质保证。     

选择性OSP中异色问题的研究和改善

主要针对选择性OSP中出现异色（如发黑、发红和色差等）问题的表观现象和进行原因分析,并对此问题的解决提出一些改善措施。     

微蚀与混合金属OSP

文章介绍了混合金属基板OSP及选择合适的微蚀剂能有效抑制贾凡尼效应,防止因贾凡尼效应而引起的品质隐患,杜绝金面变色;同时介绍了不同微蚀体系对可焊性影响。     

工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

表面活性剂对厚膜电子浆料流平性的影响

通过测量丝网印刷后膜层的表面粗糙度来表征厚膜电子浆料的流平性,研究了常用表面活性剂司班 85 及卵磷脂含量对浆料流平性的影响。结果表明,随着有机载体中表面活性剂含量增加,厚膜电子浆料的流平性变差。此外,还初步分析了表面活性剂对提高浆料的分散性和稳定性的作用。     

适合选择性化金板的新型抗贾凡尼效应——过一硫酸氢钾微蚀刻液(OSP/SENIG)

就贾凡尼效应的产生及对PCB生产工艺中带来的危害进行分析,并介绍了相应的改善措施。     

PDLC的膜厚对其性能的影响

用光聚合相分离的方法制备了不同厚度的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了膜厚对于PDLC膜形态和电光性能各方面的影响,考察了不同厚度PDLC膜的聚合物网络形貌、饱和电压及对比度等方面。研究发现随着膜厚的增加,PDLC膜中聚合物网络的网眼分布均匀;其暗态的透过率降低,对比度明显增大;PDLC膜的饱和电压也随着膜厚的增加而升高。试验结果表明,当膜厚在30μm左右时,PDLC膜综合性能较好。     

PDLC的膜厚对其性能的影响

用光聚合相分离的方法制备了不同厚度的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了膜厚对于PDLC膜形态和电光性能各方面的影响,考察了不同厚度PDLC膜的聚合物网络形貌、饱和电压及对比度等方面.研究发现随着膜厚的增加,PDLC膜中聚合物网络的网眼分布均匀;其暗态的透过率降低,对比度明显增大;PDLC膜的饱和电压也随着膜厚的增加而升高.试验结果表明,当膜厚在30μm左右时,PDLC膜综合性能较好.     

聚酰亚胺薄膜厚度均匀性分析

聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film),简称PI薄膜,是世界上最好的绝缘类高分子材料,本文简单论述了聚酰亚胺薄膜的生产工艺,并重点分析了厚度均匀性对薄膜力学性能、电气性能的影响以及测试和改进方法。     

一种基于焊点形态的可焊性分析方法

通过扫描电镜对润湿不良（不充分）焊盘进行分析,背散射电子图像下在焊料润湿边界处可观察到一条带状区域,在此称之为润湿过渡层。经过大量观察分析发现润湿过渡层是焊料在焊盘表面润湿焊接界面反应的起始位置,因而其形态随着焊接条件以及焊盘的状态变化而变化。文章通过对回流贴装焊接过程中回流温度、老化引起的润湿过渡层形态差异变化的分析,总结出通过润湿过渡层形态观察对被焊面润湿性进行焊接后评估的方法,为可焊性失效分析提供新的分析思路。     

干膜与阻焊油墨对化镍金厚度的影响

感光阻焊与干膜析出物,是化镍金表面工艺金、镍缸控制寿命的原因之一,旨在改善黑焊盘缺陷。由于阻焊、干膜种类繁多,且阻焊、干膜与化镍金药水属于不同公司或厂家,鉴于配方专利等原因,单方对其相互影响原理甚至现象鲜有研究,此方面文献更是屈指可数。本文简述了"黑焊盘"发生的基本原理,并利用干膜以及不同阻焊油墨进行试验,通过测量镍金层厚度评估干膜与油墨对化镍金工艺的影响。通过机理验证试验,验证阻焊油墨析出物抑制化镍反应,而非目前业界所认知的加速反应。本实验一则为PCB厂家提供经验数据,利于生产控制;二则抛砖引玉,促进阻焊油墨、干膜、化镍金药水及PCB厂家对其进一步研究。     

不同条件下化学镍钯金的可焊性研究

可焊性是印制电路板组装产品极重要的性能之一。文章讨论了化学镍钯金(ENEPIG)的可焊性,首先对化学镍金(ENIG)和化学镍钯金的特点进行了对比,然后通过实验对影响产品焊接的可能因素进行了验证,得出钯层的有效控制能解决化学镍钯金的可焊性问题。     

镍氧化对镀金板可焊性影响的深入探讨

镀金板的可焊性问题,也是业界经常面临的难题。业内普遍认为是镍层有机污染严重、阻焊残留导致,而系统深入地研究很少。本文由生产实际出发并结合相关试验测试,从镍氧化的角度,对镀金板可焊性不良的机理进行了深入分析,找到关键影响因素,为改善提供切实有效的理论依据。     

Effect of film thickness on the surface,structural and electrical properties of InAlN films prepared by reactive co-sputtering

InAlN films of different thicknesses (150 nm, 250 nm, 380 nm, 750 nm and 1050 nm) were grown on Si (111) by means of reactive co-sputtering at 300 °C. Surface morphology results indicated an increase in the grains size and their spacing with increase of the film thickness. The surface of InAlN remained smooth with a slight variation in its RMS roughness from 1.29 nm to 6.62 nm by varying the film thickness. X-ray diffraction patterns exhibited InAlN diffraction peaks with preferred orientation along (002) plane in the thickness range 250 nm to 750 nm, however, the preferred orientation of the film was changed towards (101) plane at 1050 nm. An improvement in the crystallinity of InAlN was observed with increase of the film thickness. Electrical characterization revealed a decrease in the film's resistivity by increasing its thickness to 750 nm, however, the resistivity was found to increase at 1050 nm. The electron concentration indicated an increasing trend whereas changes in the electron mobility were found to be inconsistent with increase of the film thickness.     

深孔内表面检测点云拼接技术研究

深孔内表面检测系统获取的单视角点云无法体现深孔零件内表面全貌,为实现深孔内表面完整面形的三维重建,提出了一种深孔内表面检测系统的位姿标定技术,用于提供深孔内表面重建的点云拼接初值。首先,介绍了深孔内表面检测技术原理,分析并建立了深孔零件测量点云的坐标变换模型,确定了坐标变换模型中需要标定的系统位姿参数;然后,分析了系统在内表面上的测量轨迹,以旋转轴转角描述测量轨迹,并对点云逆向重建;之后以系统参数的求解误差作为损失函数优化测量轨迹模型,实现了系统位姿参数标定;最后,对直圆筒和凹槽部分的点云拼接实验表明:该方法适用于深孔内表面检测,易于操作,拼接误差不大于0.08 mm,与其他方法相比均有一定优势。     

MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

在大规模集成电路的制造过程中，MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVD TiN厚度对于W填充能力的影响。     

The influence of the AlN film texture on the wet chemical etching

The influence of the aluminum nitride (AlN) film texture on the chemical etching in KOH solution was invested. The AlN films with the different texture and crystal quality were prepared by sputtering. It is found that the chemical etching behaviors, including the etch rate, the activation energy, the surface morphology and the anisotropy, are strongly dependent on the film texture. There is a faster etching in the case of mixed (1 0 0) and (0 0 2) texture and a lower rate in the case of only (0 0 2) texture. The etch rate also decreases with the crystal quality. The sample with the only (0 0 2) texture forms discontinuous column structure after etching and exhibits lower porosity compared to that of the mixed (1 0 0) and (0 0 2) texture. Due to the strong anisotropy of the AlN wurtzite structure, the morphology of the film deposited at 700 °C shows the homogeneous pyramid shape after etching. The cross-section micrographs of etching patterns indicate that the anisotropy of the chemical etching is improved with the improving of the crystal quality.     

高可焊性电镀纯锡工艺及镀层性能测试

在可伐合金基体上电镀纯锡,采用SEM、X射线荧光镀层厚度测试,能谱及可焊性测试对样品镀锡层的厚度,表面成份及镀层的可焊性进行了表征。结果表明,镀锡层致密,表面平整,无锡须形成;镀层中锡的质量分数为99.4%。在96℃下,蒸汽老化8h后,对可焊性影响不大。锡层的厚度在7～18μm范围内,样品具有良好的可焊性,但热处理对镀层可焊性影响较大。