光学材料 光学晶体、液晶

O713 2005064433 单轴晶体中的负折射现象研究=Investigation of negative refraction in a uniaxial crystal[刊,中]/罗海陆(华南师范 大学传输光学实验室．广东,广州(510631))．胡巍…∥光 学学报．-2005,25(9),-1249-1253 分析了在各向同性介质和单轴晶体界面实现负折射 的最佳条件。计算发现,通过调节光轴角和各向异性参量     

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O734 2006032640类蜂窝状结构完全带隙二维光子晶体=Photonic crystalwith absolute band gap in a two-di mensional quasi-honey-comb structure[刊,中]/林旭彬(中山大学光电材料与技术国家重点实验室.广东,广州(510275)) ,陈钰杰…∥光学学报.—2006 ,26(1) .—126-130通过在二维三角晶格中引入两个完全一样的介质圆柱构成了类蜂窝状结构光子晶体,并对其光子能带进行了频域计算。借助数值方法分析了介质柱位置改变对光子能带的影响,计算结果表明,这种类蜂窝状结构二维光子晶体可以产生很宽的带隙,而且在一定填充率下,可以通过调整介质柱…     

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O734 2005021488 二维光子晶体的制备及应用=Fabrication and application of two-dimension photonic crystals[刊,中]／方斌(浙江大 学硅材料国家重点实验室．浙江,杭州(310027)),李东升 …//光电子技术与信息．-2004,17(5)．-6-9 主要论述二维光子晶体的制备方法和二维光子晶体 器件,着重讨论了光子晶体在未来的光学器件集成方面广 阔的应用前景。图4参18(严寒)     

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O734 2005043065 含负折射率材料的一维光子晶体的光学传输特性= Transmission properties of one-dimensional photonic crys- tals containing negative refraction materials[刊,中]／尹承平(南昌大学物理系,江西,南昌(330047)),刘念华／／发光学报,-2005,26(2),-173-177 采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的光学传输特性,计算了这种含负折射率材料的一维光子晶体的透射谱和色散关系。结果表明,在正入射时,含负折射率材料的光子晶体的带隙要比传统的光子晶体大得多,并具有狭窄的透射带,从光学薄膜理论的色散关系出发解释了形成上述现象的原因。讨论了在不同的偏振模式下,光以中心波     

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O734 2006065400 ZnO光子晶体的制备及其光子带隙特性研究=Growth and photonic band gap properties of ZnO photonic crystals [刊,中]/谢娟(电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都(610054)),邓宏…//半导体光电．—2006,27 (3)．—300-302利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体。通过扫描电镜图谱,透射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征。结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸。制得的样品有较宽的光子禁带,且禁     

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O482.31 2004053854 K_2YF_5:Tm~(3 )单晶的光谱和能级结构=Spectroscopic study and crystal field analysis of Tm~(3 ) in single crystal K_2YF_5[刊,中]/李云峰(中国科学技术大学结构分析重点实验室,安徽。合肥(230026)),尹民…∥发光学报,—2003,24(5),—505-511 在12K的温度下,测量了水热法生长的K_2YF_5:     

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O722 2006043600碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析=Measurement and a-nalysis of lattice distortion of CdZnTe single crystal[刊,中]/曾冬梅(西北工业大学材料学院.陕西,西安(710072)) ,介万奇…∥人工晶体学报.—2006 ,35(1) .—58-62在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布喇格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定。此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方程组的求解,避开了一般应变测定方法中难以确定无应力状态下衍射角的问…     

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O734 2005010670 二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系= Study on relation between structure parameters and comptete bandgap of two dimensional dielectric-column photonic crystals[刊,中]／张晓玉(中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室。四川,成都(610209)),姚汉民…∥光电子·激光．-2004,15(7)．-835-838 利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge 3种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶体结     

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O722 2005053902 Hg1-xCdxTe／Cd1-zZnzTe的X射线反射率及半峰全宽的动 力学研究=X-ray reflectivities and FWHM of Hg1-x CdxTe／Cd1-zZnz Te materials[刊,中]／王庆学(中科院上海 技物所半导体材料与器件研究中心．上海(200083)),杨建 荣…∥光学学报．-2005,25(5)．-712-716 用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe／Cd1-zZnzTe 本征反射率曲线,研究了组分、膜厚分别对本征反射率和 半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的 本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖 关系,且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收 的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰 形、半峰全宽和反射率的重要因素,当薄膜厚度小于穿透 深度时,表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有 直接的关系。对于(333)衍射面,碲镉汞材料厚度大于7 μm后,本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。图6 参13(杨妹清)     

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O722006010691CsI∶Tl晶体对高能X光照射量的响应关系研究=Studyon the response characteristic of CsI∶Tl crystal to high-energy X-ray radiation[刊,中]/江孝国(中物院流体物理所.四川,绵阳(621900)),王伟…∥光学学报.—2005,25(10).—1429-1432在X光探伤系统中使用效率较高的CsI∶Tl晶体作为X光转换体。CsI∶Tl晶体对X光的响应关系是精密图像处理、定量测量所需的一项重要参量,理论推导出CsI∶Tl晶体对X光的响应呈现线性关系,并针对性地设计了在60Co放射源上的定量测量实验,所获数据不仅充分证明了理论推导的正确性,还证…     

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O7212006054609晶体吸收对X射线衍射峰形状的影响=Peak shape of X-ray diffraction effected by absorption of crystal[刊,中]/陈惠芬(上海应用技术学院材料系.上海(200233)),刘克家//常熟理工学院学报.—2006,20(2).—39-41,81考虑到不同深度的晶面对X射线的吸收的差别,得出了晶粒衍射线的峰形曲线,此峰形曲线近似平方反比曲线(I∝1/(Δθ)2)。图2(严寒)O7342006054610折射率正负交替的光子晶体的光学特性研究=Study ofoptical properties of a photonic crystal with NI M-PI Mal-ternant multilayer[刊,中]/王慧琴(南昌大学近代…     

光学晶体、液晶

O734 2004010667 PbWO_4闪烁晶体的发光动力学模型=Luminescence dynamic model of PbWO_4 scintillator[刊,中]/施朝淑(中国科学技术大学物理系.安徽,合肥(230026)),魏亚光…∥发光学报.—2003,24(3).—229-233 在对PbWO_4闪烁晶体的光谱特性,发光衰减及其温     

光学晶体、液晶

O482.31∥O7342007010771GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光=Photoluminescence ofGaAs/Al GaAs superlattice[刊,中]/贺利军(山东大学物理与微电子学院.山东,济南(250100)),程兴奎…//量子光学学报.—2006,12(3).—184-186在室温下测量了GaAs/Al GaAs超晶格的光致发光,发现在波长λ     

光学晶体、液晶

O734 2004032283 变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究=Study ofirradiation damage of Bi-doped PbWO_4 crystal[刊,中]/梁玲(同济大学物理系.上海(200092)),顾牡…∥高能物理与核物理.—2003,27(6).—526-531 采用剂量为4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长     

光学晶体、液晶

以一维光子晶体为例,研究了其带隙相对宽度随其介质折射率比值变化的规律。利用光学传输矩阵理论,从理论数值上验证了在其结构不变的情况下,带隙相对宽度随介质比的增大而增大,并作出了变化关系曲线,进而得出介质比在一定区间可以近似看作成正比关系的结论。同时还得出结构与介质比不变的情况下,带隙随介质取值的变化