聚邻苯二胺修饰玻碳电极的制备及电催化性能

在磷酸盐缓冲溶液中研究了邻苯二胺在玻碳电极表面的聚合过程,探讨了各氧化还原峰的变化机理,用扫描电镜表征了聚邻苯二胺膜的形态结构。发现制备的聚邻苯二胺膜修饰电极对H2O2有显著的电催化还原特性,线性回归方程为:Δipa(μA)=-1.63 1.07cH2O2(mmol.L-1)(R=0.9947,n=19),线性范围为:5.89×10-2mmol.L-1~44.4 mmol.L-1,检出限为:0.02 mmol.L-1(3S/k),这对与产生H2O2的氧化酶相结合制备出响应各种底物的电化学生物传感器非常重要。考察了制备条件对膜电极电催化还原活性的影响,发现只有在弱酸条件下制备的膜电极才有较高的电催化活性。探讨了影响膜电极电催化还原灵敏度的因素,并考察了膜电极的稳定性。     

抗坏血酸在聚甲苯胺蓝膜修饰的玻碳电极上的电催化氧化及流动注射分析

在玻碳电极上用循环伏安法电聚合一层聚甲苯胺蓝膜,该膜修饰电极对抗坏血酸(VC)的氧化具有良好的电催化作用,能够降低其过电位约100mV。将该修饰电极应用于流动注射能大大提高VC的检测灵敏度,其线性范围为2.0×10-7～1.2×10-3mol·L-1,检出限为4.8×10-8mol·L-1,连续注射检测,其电流信号能够保持稳定24h。     

聚刚果红修饰玻碳电极的制备及其电催化性能

在含刚果红的硼砂缓冲溶液中,用循环伏安法扫描,在玻碳电极上形成聚合物薄膜.在 -0. 8V~+1. 8V(vsAg/AgCl)的扫描电位范围形成的薄膜具有较高的电活性和稳定性.该电极对抗坏血酸、邻苯二酚的电化学氧化有催化作用,增大了氧化峰电流.催化峰电流与抗坏血酸和邻苯二酚浓度分别在 20 ~1 200mmol/L, 50 ~2 000mmol/L范围内呈良好的线性关系.     

抗坏血酸在聚阿魏酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究

研究了抗坏血酸(AA)在聚阿魏酸修饰电极上的电化学性质。在AA存在的条件下,电极过程由扩散控制,测得扩散系数为8.18×10-8cm2/s。AA浓度在0.01~5.0 mmol/L范围内与峰电流呈现良好的线性关系。通过计时安培法测得催化速率常数为8.6×103mol-1.L.s-1。     

聚溴酚蓝修饰玻碳电极的制备及电化学性质

在含溴酚蓝的磷酸缓冲溶液中,应用循环伏安法于经预处理的玻碳电极上形成聚合物薄膜.结果表明,在-1. 0V~+1. 8V(vs.Ag/AgCl)扫描电位之间形成的薄膜具有较高的电活性和稳定性.该电极对抗坏血酸电化学氧化有催化作用,既使抗坏血酸的氧化电位负移了 270mV,又增大了其氧化峰电流.催化峰电流与抗坏血酸浓度在 2. 5~250μg/mL范围内呈良好的线性关系.     

氢氧化钴修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

采用循环伏安法成功制备了氢氧化钴薄膜修饰玻碳电极。考察了影响膜电沉积的因素 ,确定成膜液最佳pH为7.5 ,最佳扫描电位范围为1.00～ -0.20V。讨论了成膜过程及机理 ,成膜关键是Co2 +在电极表面的氧化。制得的膜修饰电极具有表面吸附反应特征 ,表面覆盖量相当于5～6个单层的氧化还原活性物质。膜修饰电极具有良好的稳定性 ,并对H2O2 表现出较高的电催化活性。线性回归方程为 :ΔIpa(μA)=15.92+4.99×104c(H2O2)(mol·L -1)(r=0.9976 ,n=18) ,线性范围为1.72×10 -5～9.92×10 -3mol·L -1,检出限为4.25×10 -6mol·L -1(S/N=3)。     

石墨烯修饰玻碳电极对多巴胺的电催化氧化

通过3-巯丙基三乙氧基硅烷(METMS)将氧化石墨烯(GO)固载到玻碳电极(GCE)表面, 用电化学方法还原GO制备石墨烯修饰玻碳电极(rGO-METMS-GCE). 利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 拉曼光谱(Raman)、 扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等技术对GO和rGO-METMS-GCE的结构和表面形貌进行表征. 采用循环伏安(CV)和差分脉冲溶出伏安(DPV)法研究了rGO-METMS-GCE对多巴胺(DA)的电催化氧化性能及反应机理. 结果表明, 与裸GCE相比, DA在rGO-METMS-GCE电极上的氧化还原峰电流(i_pa和i_pc) 增大4倍, 氧化峰电位负移106 mV, 氧化峰与还原峰电位差(ΔE_p)从202 mV降低至66 mV, DA电化学氧化可逆性明显改善, 表明rGO-METMS-GCE对DA电化学氧化具有显著电催化作用. DA在rGO-METMS-GCE上的反应机理为单电子转移过程.     

磷脂-月桂酸膜修饰玻碳电极测定多巴胺及其电化学行为

本文报道了多巴胺 (DA)在磷脂 -月桂酸修饰的玻碳电极上的电化学行为 ,在+ 0 .7～ -0 .4V(vs.Ag/ Ag Cl)电位范围内 ,于 p H 6.4的 0 .0 1 mol/ L的 KH2 PO4 -Na2 HPO4 底液中 ,多巴胺产生很灵敏的氧化峰电流。氧化峰电流与多巴胺浓度在 3 .1× 1 0 - 7～ 1 .2× 1 0 - 4mol/ L范围内呈良好线性关系。该电极可作为检测多巴胺的新型的高灵敏度电化学生物传感器     

聚拉莫三嗪修饰玻碳电极测定痕量铜(Ⅱ)的研究

在稀H2SO4介质中,采用循环伏安法制备了聚拉莫三嗪膜修饰玻碳电极(PLTG/GCE),将制得的膜修饰电极(PLTG/GCE)在一定电位下选择性预富集Cu(Ⅱ),并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu(Ⅱ)的富集作用明显强于裸玻碳电极.对电聚合条件、富集和溶出介质、富集时间及富集电位等实验参数进行了考察,在优化实验条件下,Cu(Ⅱ)的浓度在4.0×10-9～1.3×10-7mol· L-1范围内与溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.9999,检出限为1.5×10-9 mol·L-1.该修饰电极具有较高的灵敏度和选择性,用于实际水样的分析,平均回收率为98.7％.     

碳纳米管膜修饰玻碳陶瓷复合材料电极对亚硝酸盐的电催化还原

制备了碳纳米管膜修饰的玻碳陶瓷复合材料电极,研究了亚硝酸盐在修饰电极上的电化学行为,碳纳米管膜对亚硝酸盐的还原展现了良好的催化活性。评估了溶液pH值和施加电位对亚硝酸盐电流响应的影响,并初步探讨了催化机理。在优化的实验条件下,该修饰电极对亚硝酸盐的测定线性范围为5.0×10-5~3×10-3mol/L;检出限(3σ)为2×10-5mol/L。     

铁氰化锰修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

采用循环伏安法成功制备了铁氰化锰 (MnHCF)膜修饰玻碳 (GC)电极。探讨了影响膜电沉积的各种因素 ,通过扫描电位范围对膜电沉积的影响 ,确定MnHCF膜的组成为Mn3 + Fe3 + (CN) 6[普鲁士黄类似物Fe3 + Fe3 + (CN) 6]。首次发现在整个膜电沉积过程中存在 3个阶段 ,最后阶段对制备均匀、致密的MnHCF/GC电极至关重要。阴离子的种类对MnHCF/GC电极的伏安特性及电催化活性有显著的影响 ,只有当支持电解质中含有HPO2 -4离子时 ,MnHCF膜修饰电极对H2 O2 的电氧化才表现出良好的电催化作用。在 0 .10mol/LNa2 HPO4溶液中 ,催化电流Δipa与过氧化氢浓度 (CH2 O2 )的线性关系为 :Δipa(μA) =2 .84 32 +2 .2 2 89× 10 4CH2 O2 (mol/L) (R =0 .994 4 ,n =9) ;线性范围为 1.4× 10 -5～ 1.8× 10 -3 mol/L ;检出限为 3.6× 10 -6mol/L (S/k =3)。     

色氨酸在普鲁士蓝修饰玻碳电极上的电化学行为研究

采用电沉积法制备了普鲁士蓝修饰玻碳电极(PB/GCE),使用循环伏安法(CV)研究了色氨酸(Trp)在修饰电极上的电化学特性,并建立了一种电化学检测色氨酸的新方法。实验结果表明,在优化实验条件下,色氨酸在8.0×10-6～5.0×10-4mol·L-1浓度范围内与峰电流呈良好线性关系,线性回归方程为Ip(μA)=5.8954c(μmol·L-1)-32.91,相关系数r=0.9999(n=8),方法检出限(S/N=3)为3.5×10-7mol·L-1。将该修饰电极用于色氨酸样品的测定,结果满意。初步的反应机理探讨表明,色氨酸在普鲁士蓝电极上的反应可能是以两步进行的两电子氧化过程。     

六氰合铁酸锰铬修饰电极的制备及其电化学行为

应用循环伏安法在活化玻碳电极(GCE)表面制备六氰合铁酸锰铬(MnCrHCF)膜修饰电极(MnCrH-CF/GCE)并研究其电化学性质.探讨影响膜电沉积的因素,研究pH值以及不同支持电解质等制备条件对该修饰电极性能的影响,优化制备工艺,分析其反应机理.     

铁氰化锰修饰玻碳电极的制备及其电化学性能

A thin film of manganese hexacyanoferrate （MnHCF） was electrochemically formed on a glassy carbon （GC） electrode to prepare a chemically modified electrode （CME）. The mechanism of film formation of MnHCF and its growth process were investigated in detail by cyclic voltammetry. The results show that the stoichiometric composition of MnHCF is Mn^ⅢFe^Ⅲ（CN）6, an analogue of prussian yellow. There exist three clear-cut stages in the whole modification process and the last stage is indispensable to the fabrication of homogenized, stable MnHCF film and must last for an appropriate time. The surface morphology of MnHCF/GC electrode was characterized by scanning electron microscopy （SEM）, which further verified the effective deposition of MnHCF film on GC. The kinetic constants of MnHCF/GC electrode process were also evaluated. The resulting MnHCF film modified electrode presented good stability and high electrocatalytic activity toward the oxidation of H2O2, indicating that MnHCF film possesses function of catalase and can be expected for analytical purposes.     

6-巯基嘌呤在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为及其分析应用

将固体多壁碳纳米管置于10g·L-1叫六偏磷酸钠溶液中,通过超声搅拌制成均匀分散的悬浮液.取此悬浮液10μL,滴加于经抛光的玻碳电极的表面,在红外灯下烘干后即制成多壁碳纳米管修饰的玻碳电极(CNT/GCE).在pH 7.0的磷酸盐缓冲介质中,6-巯基嘌呤(6-MP)在0.357 V(vs.Ag/AgC1)处出现一灵敏的氧化峰,其峰电流(Ip)与6-MP浓度在5×10-7～1×10-4mol·L-1叫之间呈线性关系,检出限为5.0×10-8mol·L-1.应用此方法测定了3个模拟血清样品中6-MP含量,并测得方法的回收率在98.0%～104.7%之间.在6-MP浓度水平为1×10-5mol·L-1叫的条件下,测得方法的RSD(n=10)为4.2%.     

纳米金修饰玻碳电极测定邻苯二酚

采用恒电位沉积方法将HAuCl4直接还原成纳米金并修饰于玻碳电极表面,制备了对邻苯二酚具有电催化氧化作用的纳米金修饰电极。邻苯二酚在该修饰电极上发生一可逆的氧化还原反应。在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.5)中,当邻苯二酚的浓度为3.0×10-3mol.L-1时,与裸玻碳电极相比,其Epa负位移了170 mV,Epc正位移了50 mV,ΔE下降为60 mV,且峰电流显著增大,氧化峰电流与邻苯二酚浓度在5.0×10-6~4.2×10-3mol.L-1范围内呈线性关系,相关系数为0.997 6,检出限(3σ)为5.0×10-7mol.L-1。在浓度为5.0×10-4mol.L-1测得RSD(n=10)为2.9%,回收率在98.0%~101.0%之间。     

对乙酰氨基酚在分子印迹膜修饰玻碳电极上的电化学行为及测定

以对乙酰氨基酚（PCT）为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,采用光引发原位聚合法在玻碳电极（GCE）表面聚合成膜,以甲醇-甲酸将模板分子洗脱,制得对乙酰氨基酚分子印迹膜修饰电极（MIP-GCE）,建立了该电极直接测定PCT的分析方法。结果表明,该传感器具有较高的选择性和灵敏度,PCT浓度在5.0×10-5~1.0×10-3 mol?L-1范围内与其峰电流呈良好的线性关系,检出限为1.4×10-6 mol?L-1。应用该法测定药物中PCT的含量,在干扰物质共存情况下的回收率为96%~105%。     

钴/玻碳离子注入修饰电极伏安法测定呋喃妥因的研究

呋喃妥因 (NFT)在 0 .1mol/LHAc NaAc (pH 4 .0 )溶液中于钴 /玻碳 (Co/GC)离子注入修饰电极上产生一灵敏的伏安还原峰 ,峰电位为 - 0 .2 6V(vs.Ag/AgCl) ,峰电流与NFT浓度在 6 .0× 10 -8～ 5 .0× 10 -6mol/L范围内呈线性关系 (r =0 .9987) ,检出限为 1.0× 10 -8mol/L。用线性扫描伏安法和循环伏安法研究了NFT的伏安行为、吸附特性和电极反应机理。测定了电子转移数 (n =4 )、转移系数 (α =0 .5 8)和参与反应的质子数 (X =4 )等电化学参数。结果表明该电极过程为一具有吸附性的不可逆过程。该法用于片剂中NFT含量的测定 ,得到满意的结果。用标准加入法测得该法的回收率为 94 .0 %～ 98.5 %。     

木犀草素在玻碳电极上的直接电化学行为及其测定

应用循环伏安法研究木犀草素于玻碳电极的电化学行为.在磷酸盐缓冲液中(pH 4.0),-0.2~+0.8V电位区间内,木犀草素于玻碳电极表面发生的电极反应是吸附控制的准可逆2电子转移过程,电子转移系数α=0.66;建立了检测木犀草素含量的差示脉冲伏安法(DPV).在富集电位+0.4 V下,经富集240 s后,测得木犀草素氧化峰电流Ip与其浓度在1.0×10-8~1.0×10-6mol.L-1范围内呈良好的线性关系,最低检出限为5.0×10-9mol.L-1.本法操作简单、快速、灵敏、准确,可为木犀草素药物质量的控制和检测提供一种简便的新方法.     

甲氧苄啶在多壁碳纳米管-Nafion修饰电极上的电催化氧化及电分析方法

用循环伏安法(CV),计时库仑法(CC),计时电流法(CA),线性扫描伏安法(LSV)及电流-时间曲线研究了甲氧苄啶(trimethoprim, TMP)在碳纳米管-Nafion修饰电极(MWCNTs-Nafion/GCE)上的电化学行为,电化学动力学性质以及电分析方法.结果表明,TMP在GCE上有一个极弱的氧化峰,而在MWCNTs-Nafion/GCE上出现一个敏锐的氧化峰,表明MWCNTs-Nafion/GCE对TMP电化学氧化具有良好的催化作用.在扫描速度为10～800 mV/s时其氧化峰电流与扫描速度平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明TMP在MWCNTs-Nafion/GCE上的伏安行为是受扩散控制的电化学过程.TMP在MWCNTs-Nafion/GCE上氧化峰电流与浓度在5.0×10-6～1.0×10-3 mol/L范围内呈良好线性关系;检出限为6.6×10-7 mol/L;RSD在0.75%～1 69%之间;加标回收率在98.1%～101.1%之间.本方法简便快捷,测定结果令人满意,可用于TMP的电化学定量测定.