硒化共溅射Cu—In合金法制备CuInSe2多晶薄膜

用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS）多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌春电学性质,分析结果,Cu-In合金膜仅有单峰,晶面间距约2．13A,CIS薄膜的几个主峰与PDF卡中的数据对应得好,并且（112）峰有择优取向,CIS样品的电学参数随着Cu/In比例和基片种类的不同而变化,而电阻从几个到几十个Ω／□,面载流子浓度达10^18/cm^2数量级,迁移率在0．1－3．0cm^2/V.s之间,并讨论了Cu/In比例对两种薄膜性质的影响,分析结果显示,In占总溅射面积的3％是Cu/In比例的转折点,此时,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化,而且用扫描电镜形貌分析也证明了这一点。     

电化学制备Ni-Cu/Cu超晶格多层膜

采用单槽双脉冲恒电位制备了超晶格Ｎｉ－Ｃｕ／Ｃｕ多层膜，测试结果表明：Ｎｉ－Ｃｕ层与Ｃｕ层间界面清晰，各层均匀连续、相互覆盖，具有良好的周期结构；Ｎｉ－Ｃｕ４．６ｎｍ／Ｃｕ１．４ｎｍ是具有良好外延生长的超晶格结构，铜、镍生长的择优取向面为［１１１］晶面，该材料表现出特殊的阳极溶解性能．     

液态Bi－Te和Bi－Se系合金的电阻率与金属－非金属转变

测量了含Ｔｅ４０％～７０％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｔｅ合金在７００～８５０℃和含Ｓｅ４０％～６５％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｓｅ合金在７００～９００℃的电阻率．得到在所述成分范围内，液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属导电性；而对于液态Ｂｉ－Ｓｅ合金，当成分接近Ｂｉ２Ｓｅ３配比时，发生金属－非金属转变．从原子间键合方式和能态特征，解释了液态Ｂｉ－Ｓｅ合金发生金属－非金属转变，而液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属性的原因．     

液态Hg－Na和Te－Se合金电输运性质及金属－非金属转变的研究

系统测量了液态Ｈｇ－Ｎａ及Ｔｅ－Ｓｅ合金的电阻率和热电势，发现液态Ｈｇ－Ｎａ合金的电阻率随成分变化虽有反常行为，但没有金属－非金属转变；而液态Ｔｅ－Ｓｅ合金的电阻率随成分变化并无反常出现，但当Ｓｅ成分大于３０％（ａｔ．）时，出现金属一非金属转变．本文考虑了液态Ｈｇ－Ｎａ合金中有Ｈｇ２Ｎａ瞬时短程序形成的因素，采用Ｆａｂｅｒ－Ｚｉｍａｎ理论，计算了液态Ｈｇ－Ｎａ合金的电阻率，计算结果与上述实验测量值符合很好．同时也定性解释了液态Ｈｇ－Ｎａ合金热电势极小值及液态Ｔｅ－Ｓｅ合金在大于３０％（ａｔ．）Ｓｅ时出现金属－非金属转变的原因．     

电沉积Zn-Ni-P合金的研究Ⅱ.NaH_2PO_2对锌-镍合金电沉积的影响的研究

用循环伏安法研究了ＮａＨ２ＰＯ２对锌镍合金电沉积的影响．结果表明：镀液中加入了ＮａＨ２ＰＯ２后，可以使合金电沉积时的阴极极化增大，并且出现成核生长的电流环，与Ｚｎ－Ｎｉ合金、Ｚｎ镀层相比，所获得的锌镍磷合金镀层的阳极溶解峰电位正移，因而可以予计Ｚｎ－Ｎｉ－Ｐ合金耐蚀性的提高     

二乙醇胺衍生物对纤维素膜的增塑作用

以Ｎ，Ｎ－双（２－羟乙基）正丁胺、正己胺、正庚胺和正辛胺作为再生纤维素膜的增塑剂．用红外光谱、差热分析以及力学性能测量研究了增塑后膜的结构与性能．实验表明，这４种二乙醇胺衍生物对纤维素膜具有较好的增塑作用，并且随碳原子数的增加，增塑效果下降，但增塑剂与纤维素分子间相互作用增强．经Ｎ，Ｎ－双（２－羟乙基）正己胺、正庚胺和正辛胺增塑的再生纤维素膜，其耐水洗性明显高于甘油增塑的膜     

两亲性卟啉－紫精化合物LB膜的光电性质

两亲性卟啉－紫精化合物具有分子内光电子转移体系．用ＬＢ膜技术在透明导电玻璃基片上制备成分子排列规则的超薄膜材料，并用两种光电池（导电玻璃／ＬＢ膜／Ｉ３，Ｉ－／导电玻璃，导电玻璃／ＬＢ膜／Ｈｇ探针）测量了ＬＢ膜的光量子产率和光电开关性能．作为分子光电二极管，其最大光量子产率为３．１７×１０－６，光电开关的响应起始时间和驰豫时间分别约为０．２和０．３ｓ，并具有较好的光电响应寿命．     

制备方法及载体对非晶态NiB合金催化性能影响初探

首次采用化学还原法与机械混合法或浸渍法相结合将非晶态ＮｉＢ合金固定在Ａｌ２Ｏ３上，并考察了不同的制备方法和载体对非晶态ＮｉＢ合金催化加氢及抗硫性能的影响。用ＸＲＤ和ＩＣＰ鉴定结构和分析组成；用ＤＳＣ测定晶化温度；用ＴＰＲ、ＴＰＤ、ＣＯ化学吸附法等表征了合金催化剂的表面性质。结果表明固定化非晶态ＮｉＢ合金催化剂活性高，稳定性好，抗硫性能强；浸渍法优于机械混合法。其原因为载体与合金之间存在相互作用，使     

关于F-正则性的注记

引进－环的Ｆ－正则根，具体讨论ｆ－正则性，得到了ｆ－正则－环的几个特征刻划以及结构定理，推广了Ｆ－正则－环的相应结果．举出ｖｏｎＮｅｕｍａｎｎ（弱、Ｆ－、ｆ－）正则的－环，而不是结合环的实例，并阐明上述几种正则性的区别．     

LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能

用磁控溅射法在Si（111）基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3（LNO）薄膜,基片温度370℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理（500℃,10min）。使用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况。分析发现：LNO薄膜经退火处理后,其中的Ni／La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1：1,其导电性能也越好。另外,我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极,四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能,实验发现：（1）LNO薄膜的电阻率随膜厚的增加而降低,在大约300nm厚时略又有增加趋势;（2）LNO薄膜的红外吸收系数随其厚度的增加而增加,且随红外波长的增大而减小。     

用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜

利用非平衡磁控溅射法,用一对石墨溅射靶,以N     

射频交替溅射法制备的NiZn铁氧体薄膜的结构与磁性

使用交替靶射频溅射的方法在不同基底上制备得到了成分为NixZn1-xFe2O4的铁氧体薄膜,研究了NiZn铁氧体薄膜的生长条件,探讨了不同工艺条件对薄膜性能的影响,目的是提高薄膜饱和磁化强度Ms,降低薄膜矫顽力Hc,改善薄膜的软磁性能,以满足其在高频薄膜器件应用方面的需要．实验表明：沉积态薄膜即为尖晶石结构．并且通过不同实验条件对NiZn铁氧体薄膜性能影响的研究,得到了最佳的NiZn铁氧体薄膜的制备条件．     

低温衬底的射频反应溅射法制备a-SiO_2薄膜的研究

低温衬底使器件在制膜过程中避免热伤害． 研究得到强水冷衬底的射频反应溅射法制备ａ－ＳｉＯ２ 薄膜的最佳工艺条件． 所制得的薄膜具有好的致密度和抗腐蚀性．     

环形磁控溅射成膜生长速率及厚度均匀性研究

对目前广泛用于制备高Ｔｃ（转变温度）超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型，采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果．通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化关系的三维曲线，得到了生长大面积均匀薄膜、快速生长薄膜的最佳位置，并同使用较广泛的平面磁控溅射的一些计算结果进行了比较．     

近距离升华薄膜装置的研制及特性

详细介绍了近距离升华（CSS）薄膜装置的研制及其特性,并对利用该装置及利用射频溅射沉积的CdTe膜的结构进行了XRD分析。结果表明,CSS方法所得的CdTe膜具有较大的晶粒尺度,结晶效果更好。     

非晶GeO2-SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

采用锗－硅复合靶射频反应溅射技术,制备了ＧｅＯ_２含量ｘ＝０％～８１％的非晶ＧｅＯ_２－ＳｉＯ_２复合薄膜．用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ_２的含量．用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ_２含量的变化关系,并讨论了其结构特征．     

溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响

采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射     

Au-LiNbO_3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析．观测到 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合频粒膜在５９３ ｎｍ 波段存在强等离子体共振吸收     

C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构

利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元素具有类石墨性质.