金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射角的关系

推导出高能原电子斜入射时的金属的有效真二次电子发射系数的表达式，它与入射角的余弦近似成反比，并对结果进行了讨论.     

电子入射角度对聚酰亚胺二次电子发射系数的影响

采用具有负偏压收集极的二次电子发射系数测试系统, 对聚酰亚胺样品的二次电子发射系数与入射电子角度和入射电子能量的关系进行了测量. 测量结果表明, 在电子小角度入射样品的情况下, 随着入射角度的增加, 二次电子发射系数单调增加, 并符合传统的规律, 但是在电子大角度入射时, 却与此不符合. 测量显示, 出现偏差时对应的临界电子入射角度随着入射电子能量的降低而减小. 采用简化的电子弹性散射过程和卢瑟福弹性散射截面公式对这种偏差的出现进行了分析, 并推导出修正后的二次电子发射系数的计算公式. 修正后的二次电子发射系数的计算结果更加符合实验结果.     

PSII技术中考虑靶表面二次电子发射的等离子体鞘层演变

本文建立了ＰＳＩＩ技术中靶表面有二次电子发射的等离子体鞘层演变平板模型。在某些简化下，对随时间变化的鞘层边界位置和速度作了计算。计算表明，靶表面二次电子发射对鞘层演变影响很小，可忽略不计，这跟实验是相符的。     

固体金属二次电子发射的Monte-Carlo模拟

二次电子的发射在生产实践中有着广泛的应用,但其相关测量结果受实验环境和实验仪器的影响很大．在实验中难以精确测量．所以本文建立了一个包含二次电子激发、在固体内部传输和最后逸出固体表面的二次电子系统模型．采用Monte-Carlo的模拟方法仿真二次电子运动轨迹,定量分析二次电子的发射系数和能谱分布．并探讨它们与一次电子的入射角度和入射能量的关系．仿真结果表明：本文建立的二次电子系统模型能较好地反映实际情况．通过该模型仿真,可以定量得到二次电子发射系数和能谱分布与一次电子的入射能量和入射角度的关系．     

高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系

提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论：不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时, 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。     

高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系

 提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系，然后用实验数据证明了该理论的正确性，最后对结果进行了讨论。得到了如下结论：不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时， 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量，有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。     

非晶态碳薄膜对金属二次电子发射的影响

非晶态碳薄膜由于具有极低的二次电子发射系数(secondary electron yield, SEY),在真空微波器件与设备异常放电领域引起了广泛关注.然而,非晶态碳薄膜对二次电子发射影响的动态过程及微观机理仍缺乏了解.本文采用Monte Carlo方法,建立了Cu表面非晶态碳薄膜的二次电子发射数值模拟模型,能够精确地模拟电子与薄膜及基底材料的散射及二次电子发射的微观物理过程.结果表明,随着薄膜厚度从0 nm增加至1.5 nm时, SEY峰值下降了大约20%;继续增大厚度, SEY峰值不再下降.然而,当薄膜厚度大于0.9 nm时,SEY曲线呈现出双峰形态,但随着薄膜厚度增加至3 nm,第二峰逐渐减弱甚至消失.电子散射轨迹和二次电子能量分布结果,表明这种双峰现象是由于电子在两种材料中散射所致.相比以往模型,所提模型考虑了功函数的变化以及界面势垒对电子散射路径的影响.该模型从微观层面上解释了SEY曲线双峰现象形成的原因,相关的计算结果为非晶态碳薄膜对SEY的抑制规律提供了理论预测.     

微通道板的噪声因子与首次碰撞时二次电子发射系数的关系

本文着重讨论微通道板的噪声因子与首次碰撞时二次电子发射系数的关系，研究表明，在微通道板输入端通道内蒸镀适当深度的高二次发射系数的氧化镁材料，能显著地降低噪声因子。     

场致发射与二次电子倍增效应的程序开发

与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块,使得OPAL具备了进行3维复杂结构中场致发射与二次电子倍增效应模拟的能力,可用于优化复杂高频/微波器件的结构设计从而抑制暗电流发射或二次电子倍增效应。     

场致发射与二次电子倍增效应的程序开发

与瑞士保罗希尔研究所合作,在双方合作开发的通用加速器模拟程序库OPAL中添加了3维复杂几何处理模块及场致发射与二次电子发射模块,使得OPAL具备了进行3维复杂结构中场致发射与二次电子倍增效应模拟的能力,可用于优化复杂高频/微波器件的结构设计从而抑制暗电流发射或二次电子倍增效应。     

近玻尔速度Ne2+离子穿过碳膜引起的电子发射

本文测量了入射能为2–25 keV/u的Ne²⁺离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向 (分别对应出射表面和入射表面) 电子发射产额. 实验中通过改变炮弹离子的能量, 系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献. 结果表明, 离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献, 前向、后向电子发射产额分别与Ne²⁺离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系, 其中电子能损很低 (对应于离子能量很低) 的时候, 反冲原子对电子发射的贡献不能忽略. 关键词： 近玻尔速度 电子发射 电子能损 反冲原子     

D_2~+强场解离的电子局域化随激光波长的非线性变化

研究了周期量级激光脉冲的波长变化对氘分子离子D_2~+强场解离过程中电子局域化的影响.通过求解波恩,奥本海默近似下关于核波包演化的双能级含时薛定谔方程,发现电子局域化的不对称性对激光波长有反常的依赖关系.电子局域程度随着波长的增加呈现增强的趋势,但在某些波长范围内电子局域化出现了显著的衰减.导致电子局域化程度被削弱的直接原因是在某些波长下不同振动态的电子局域化对脉冲载波包络相位的响应出现了反相抵消.分析表明,当波长发生变化时,决定电子局域化的核运动和电子运动在外场作用下出现不一致的运动响应,最终导致了电子局域化的非线性变化.     

近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

用Monte Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C，Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额，并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例，对C，Cu和Al其值分别是05，055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子（E＞10O eV）对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论，只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶，δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好. 关键词： 二次电子发射 Monte Carlo模拟 近程碰撞 δ电子     

掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究

运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明：掺B及吸附H₂O的碳纳米管(BCNT+H₂O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(E_f)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H₂O比CNT+H₂O有更好的场发射性能. 关键词： 掺硼碳纳米管 吸附 密度泛函理论 电子场发射     

氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究

对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明：掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳. 关键词： 氮掺杂 水吸附 密度泛函理论 电子场发射     

Characteristics of secondary electron emission from few layer graphene on silicon (111) surface

As a typical two-dimensional (2D) coating material, graphene has been utilized to effectively reduce secondary electron emission from the surface. Nevertheless, the microscopic mechanism and the dominant factor of secondary electron emission suppression remain controversial. Since traditional models rely on the data of experimental bulk properties which are scarcely appropriate to the 2D coating situation, this paper presents the first-principles-based numerical calculations of the electron interaction and emission process for monolayer and multilayer graphene on silicon (111) substrate. By using the anisotropic energy loss for the coating graphene, the electron transport process can be described more realistically. The real physical electron interactions, including the elastic scattering of electron—nucleus, inelastic scattering of the electron—extranuclear electron, and electron—phonon effect, are considered and calculated by using the Monte Carlo method. The energy level transition theory-based first-principles method and the full Penn algorithm are used to calculate the energy loss function during the inelastic scattering. Variations of the energy loss function and interface electron density differences for 1 to 4 layer graphene coating GoSi are calculated, and their inner electron distributions and secondary electron emissions are analyzed. Simulation results demonstrate that the dominant factor of the inhibiting of secondary electron yield (SEY) of GoSi is to induce the deeper electrons in the internal scattering process. In contrast, a low surface potential barrier due to the positive deviation of electron density difference at monolayer GoSi interface in turn weakens the suppression of secondary electron emission of the graphene layer. Only when the graphene layer number is 3, does the contribution of surface work function to the secondary electron emission suppression appear to be slightly positive.     

Stereodynamics of the reactions Ne+H2+/Ne+D2+/Ne+T2

The vector correlations between products and reagents for the reactions Ne+H + 2 , Ne+D + 2 , and Ne+T + 2 are calculated by means of the quasi-classical trajectory method on a new potential energy surface constructed by Lü et al. [J. Chem. Phys. 2010 132, 014303]. The polarization-dependent differential cross-sections (2π/σ)(dσ 00 /dω t ), (2π/σ)(dσ 20 /dω t ), (2π/σ)(dσ 22+ /dω t ), and (2π/σ)(dσ 21 /dω t ), and the distributions of P (θ r ), P (φ r ), and P (θ r ,φ r ) are calculated. The isotopic effect, which is associated with the difference in mass factor among the three reactions, is revealed.     

H2+在阿秒以及双色飞秒激光脉冲中解离时电子位置的相干控制

通过求解含时薛定谔方程, 提出了利用三束激光脉冲控制H₂⁺解离以及解离过程中电子位置的方案. 第一束阿秒激光脉冲将H₂⁺从1sσ_g激发至2pσ_u, 在H₂⁺的解离过程中, 引入两束波长分别为800 nm 与400 nm 的飞秒激光脉冲控制电子在分子内部的运动. 通过改变两束激光脉冲的绝对相位, H₂⁺解离后电子的位置可以得到有效控制(最大有86%的概率使得电子附着在某一个原子核上). 现有的激光技术条件可以在实验上实现这一理论方案. 关键词： 相干控制 电子位置 不对称性参数 2⁺')" href="#">H₂⁺     

Theoretical simulations of emission spectra of Fe^7＋ and Fe^＋8

The energy levels, oscillator strengths, spontaneous radiative decay rates, and electron impact collision strengths are calculated for Fe VIII and Fe IX using the recently developed flexible atomic code （FAC）. These atomic data are used to analyse the emission spectra of both laboratory and astrophysical plasmas. The nf-3d emission lines have been simulated for Fe VIII and Fe IX in a wavelength range of 6-14 nm. For Fe VIII, the predicted relative intensities of lines are insensitive to temperature. For Fe IX, however, the intensity ratios are very sensitive to temperature, implying that the information of temperature in the experiment can be inferred. Detailed line analyses have also been carried out in a wavelength range of 60-80 nm for Fe VIII, where the solar ultraviolet measurements of emitted radiation spectrometer records a large number of spectra. More lines can be identified with the aid of present atomic data. A complete dataset is available electronically from http：//www.astrnomy.csdb.cn/EIE/.