窄禁带半导体的非线性极化率和光学双稳性

本文改进了半导体两带模型,计算了窄禁带半导体的非线性极化率.运用所求得的极化率,研究了InSb的光学双稳性,所得到的稳态曲线、临界开关光强与入射光频率的关系以及动态特性都与实验结果有较好的符合.     

量子盘中的三阶非线性光学极化率

利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率,导出了近共振条件下的三次揩波的解析表达式,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且,选取适当的参量,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：     

用光波导方法测量Ⅱ—Ⅵ族半导体的光学非线性和光学双稳

本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收,光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。     

非线性光纤环：1.光纤双稳态

利用传输矩阵统一处理各种光纤环谐振腔的线性和非线性特性，发现各种纤环谐振腔在非线性条件均可产生光学双稳现象，对各种非线性纤环双稳特性进行了计算，分析和比较，确定了器件设计原则。     

Ab Initio/有限场方法计算尿素分子的非线性光学极化率

用有限场（ＦＦ）方法在４－３１Ｇ＋２ｐ２ｄ水平上研究了外加电场强度对尿素分子的偶极矩,极化率,一阶超极化率,二阶超极化率的影响。计算发现,要获得上述性质的稳定计算结果,电场强度需确定在０．００１－０．００４ａ．ｕ．范围内。在此电强度范围内,与耦合微扰Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｒｋ（ＣＰＨＦ）法的计算结果符合较好,且可有效地利用二级微扰方法（ＭＰ２）进行电子相关计算。     

光学双稳态半导体激光器的理论分析

引入了正切函数作为非线性光－电流关系函数，借地速率方程，建立了光学双稳半导体激光器的理论模型。对器件本身进行了理论分析，讨论了器件的主要特性，给出了数值分析结果，提出了器件性能改进方法。     

半导体超晶格子带间跃迁的光学双稳

运用Kronig-Penney(KP)模型的新形式,研究半导体超晶格中子带间跃迁的光学双稳特性。由二子能带模型密度矩阵方法,导出了子带间光跃迁的Maxwell-Bloch(MB)方程。从MB方程的定态解出发,得到了环形腔中超晶格子带间跃迁的光学双稳态方程,进而讨论了这种光学双稳的特点以及实现的条件。 关键词：     

Ab initio研究尿素分子的非线性光学极化率

用ＣＰＨＦ法研究了ａｂ ｉｎｉｔｉｏ计算尿素分子的极化率、一阶超极化率和二阶超极化率时,基函数及分子构型对计算结果的影响。结果表明,在基函数中引入极化和弥散函数对计算值有较大影响,而不同水平上得到的分子构型引起的差异较小。并用ＴＤＨＦ法分别计算了外场频率为７０和１０６４ｎｍ时分子的动态极化率和超极化率。     

施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率

利用量子力学中的紧致密度矩阵方法,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(光整流系数),得到了此系统的光整流系数的解析表达式.数值计算的结果表明,随着电场强度的增加,光整流系数几乎线性随之增加,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级,这是由于我们所选模型本身的非对称性以及电场进一步使这种非对称性增强的缘故.     

掺铒光纤吸收增加光学双稳态

报道了的掺铒光纤中观测到的吸收增加非线性和无腔光学双稳运转。双稳是低功率的（亚毫瓦级）。分析了掺铒光纤吸收增加双稳态产生的机理     

非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率

本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式.最后,以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例作了数值计算.数值结果表明,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关,系统的非对称性越大,二次谐波极化率越大.     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

半导体纳米材料非线性光学性质的研究进展

半导体纳米材料由于具有重要的理论研究意义和潜在的巨大应用前景而成为当今理论和材料研究的特点，该文综述了半导体纳米材料非线性光学性质的研究进展。     

有三重态的四能级系统的光学双稳态

对一种有着单重态和三重态的典型的有机物的四能级系统的光学双稳进行了研究。由密度矩阵的速率方程近拟推导出了光学双稳的状态方程。对单重态和三重态吸收或色散情况下的双稳情况用数值解的方法进行了讨论。文中分析了单重态和三重态的合作参数、原子失谐参数和腔失谐参数对双稳的影响。     

4-戊基-4'-氰基联苯液晶的分子二阶非线性光学极化率测量方法

在玻璃衬底上制得单层硬脂酸的Langmuir-Blodgett(LB)膜,做为4-戊基-4''-氰基联苯(5CB)液晶的取向层,在取向层上旋涂一层5CB液晶,用透射二次谐波方法测量出5CB液晶分子二阶非线性光学极化率,其值为β=7×10-29esu.对比文献值,测量得到的结果符合较好.     

推拉型偶氮化合物的三阶非线性和光学双稳效应

本文报道从推拉型偶氮化合物中测得了非常高的三阶非线性极化率,X~(3)～6×10~(→3)esu.这对于引起光学双稳现象是至关重要的.利用波长为488nm的氩离子激光为光源,从这类材料掺杂的玻璃态聚合物薄膜的Kretschmann型态中,进一步观察到了光学双稳现象.与此同时,联系这类材料的顺反异构化反应历程,从电子吸收机制或光诱导的折射率变化机制对有关问题进行了讨论.     

低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。     

Teflon AF/非线性光学聚合物驻极体双层膜的极化稳定性

提出制备Teflon AF/非线性光学聚合物驻极体双层膜系统来提高主客体掺杂型非线性光学聚合物驻极体中偶极分子的有序取向稳定性的设想.样品用恒压电晕充电法极化,通过测量电光效应的等温衰减监测偶极子有序取向稳定性,用开路热刺激放电、等温表面电位衰减测量等手段分析了材料的电荷动态特性.结果表明双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合物驻极体,其松弛规律可用KWW扩展指数函数来描述. 关键词：