插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2变为金属性的Ag1/4TiSe2,导电性质得到明显改善.     

退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响

针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱测试,系统的分析了不同退火温度对ALD法制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：退火温度为600 ℃时,薄膜的晶体质量得到改善,且(100)衍射峰的强度明显增强。结合PL和UV-Vis吸收光谱的测试分析得出：退火温度为600 ℃时,能明显促进薄膜中Mg组分的增加使薄膜的禁带宽度进一步增大。从而说明适当温度的退火处理可有效的改善ZnMgO薄膜的晶体质量及光学特性。     

插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag_1/4TiSe₂及TiSe₂的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag_1/4TiSe₂系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示：Ag以较强的离子性结合于Ag_1/4TiSe₂中.Ag的插入使得半金属性的TiSe_{2关键词： 1/4}TiSe₂')" href="#">Ag_1/4TiSe₂ 电子结构 插层化合物 第一性原理计算     

三聚氰胺/Tb3+插层的聚二炔纳米片的制备及其热致变色可逆性研究

聚二炔(PDA)是一类具有层状结构的共轭聚合物. 在插层过程中,客体组分可插入PDA的层间,形成插层结构. 在这些结构中,一部分插层复合物具有近乎完美的组装结构,并展现出完全可逆的热致变色特性. 迄今为止,已报到的具有近乎完美组装结构的PDA复合物中仅成功插入了单个客体组分. 本文选择其一侧的羧基可与Tb³⁺离子或三聚氰胺(MAs)作用的10,12-二十五烷二炔酸(PCDA)作为单体. 当PCDA,MA和Tb³⁺投料摩尔比为3:267:1时,虽然体系中存在大大过量的MA,仅有Tb³⁺离子插入了PDA层间,该复合物具有近乎完美插层结构,表现出完全可逆的热致变色特性. 当PCDA,MA和Tb³⁺投料摩尔比为3:267:0.6时,此时Tb³⁺和MAs都插入了PDA的层间,该复合物存在近乎完美的结构区域和一些不完美的缺陷区域(例如：MA插层区域以及区域-区域边界处). 因此,其仅表现出部分可逆的热致变色特性. 其近乎完美的结构区域中的共轭主链仍能可逆地恢复至其初始构象,而缺陷区域的共轭主链则很难可逆地恢复至其初始构象.