InAs 单量子点中级联辐射光子的关联测量

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5 K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于Hanbury-Brown Twiss(HBT) 实验,测量了单、双激子间发光光谱的关联函数,证实了其发光过程为级联发射过程. 关键词： InAs 单量子点 单、双激子 荧光光谱 级联辐射     

有机光伏电池物理性能的模拟

在分析有机聚合物光伏器件物理工作过程的基础上,依据光学原理和扩散理论建立了非相干光吸收模型和激子传输模型. 模拟了限制光伏效率的光学吸收和激子扩散两个主要过程,获得了薄膜厚度与光学吸收、转换效率之间的函数关系,为增强有机薄膜的光学吸收、激子分离与传输并获得高转换效率的有机光伏电池奠定理论基础. 关键词： 有机光伏电池 光学吸收 激子扩散 模拟     

质子与裂变核238U反应的理论计算

利用球型光学模型、耦合道理论、核内级联、激子模型、蒸发模型、带宽度涨落修正的Hauser-Feshbach模型,Bohr-Wheeler裂变理论,对入射能量从阈能到200 MeV的p+²³⁸U各种反应进行了计算,计算结果和实验符合较好.     

强耦合激子-声子系统中的三阶非线性光学系数的理论计算

应用Dyson-Maleev变换,对强耦合激子—声子系统中非线性光学性质进行了理论研究.结果表明,当信号光场频率与激子频率的失谐量等于光学声子的频率时,系统的非线性光学吸收和克尔（Kerr）系数显著增大,从而证明了激子-声子的强相互作用对介质的非线性光学性质的影响相当大,并且当考虑激子偏离玻色子模型时,这种影响将进一步增大.     

温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大,而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小. 关键词： 量子阱 强耦合激子 极化子效应 温度依赖性     

温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响，推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算，结果表明，由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大，而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小.     

纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态和光学性质

本文将基于有效质量近似下的变分法,理论研究了纤锌矿InGaN/GaN staggered量子阱中的激子态和光学性质.数值结果显示了InGaN量子阱中的量子尺寸和staggered受限垒对束缚于量子阱中的激子态和光学性质有着明显的影响.当阱宽增加时,量子受限效应减弱,激子结合能降低,带间发光波长增加.另一方面,当量子阱中staggered受限势增加时,量子受限效应增强,激子结合能升高,带间发光波长降低.本文的理论结果证明了可以通过调节staggered垒高和量子尺寸来调控纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态和光学性质.     

非线性光学 非线性光学概论

O437 2006043092激子-声子相互作用对三阶非线性光学性质的影响=Effects of exciton-phononinteraction onthird-order nonlin-ear optical properties[刊,中]/姚鸣(宁夏大学物理电气信息学院.宁夏,银川(750001)) ,朱卡的…∥光学学报.—2006 ,26(4) .—605-610在对激子不作任何近似的条件下,对强耦合激子-声子系统中非线性光学性质在理论上进行了研究,结果表明当信号光场频率与激子频率的失谐量等于光学声子的频率时,系统的非线性光学吸收和克尔系数显著增大,从而证明了激子-声子的强相互作用对介质的非线性光学性质的影响相当大。并且,与…     

温度对光学微腔光子激子系统玻色凝聚的影响

建立了光学微腔中光子激子系统的物理模型,确定了光学微腔宽度为常数和可变这两种情况下玻色凝聚时化学势的变化范围和粒子数密度随温度和位置的变化规律.以半导体GaAs光学微腔为例,探讨了温度对玻色凝聚的影响.研究表明:系统出现玻色凝聚时激子化学势的变化范围与材料介电函数、微腔宽度有关,而光子和激子的粒子数密度及总粒子数还与温度有关.玻色凝聚温度理论值与实验值接近.刚出现玻色凝聚时,光子和激子的粒子数密度几乎相等,且局限在r=0的附近;随着温度的降低,光子和激子的粒子数密度都增加,且存在的范围也不断扩大;不论光学微腔宽度是否可变,光子和激子的粒子数密度以及总粒子数都随温度的降低而增大,光子数总是多于激子数.     

极性晶体膜中强耦合激子的性质

在强耦合极化子模型基础上,采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质.讨论了极性晶体膜中激子的诱生势与膜厚度和温度的变化关系.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且与极性晶体膜厚度有关,同时温度对激子诱生势的影响十分显著.     

LO声子色散对激子结合能的影响

本文计及纵光学声子的色散,计算了激子的结合能,发现计及声子色散所导出的激子有效势,对计算激子的结合能有所改进.     

激子-声子相互作用对三阶非线性光学性质的影响

在对激子不作任何近似的条件下,对强耦合激子声子系统中非线性光学性质在理论上进行了研究,结果表明当信号光场频率与激子频率的失谐量等于光学声子的频率时,系统的非线性光学吸收和克尔系数显著增大,从而证明了激子声子的强相互作用对介质的非线性光学性质的影响相当大。并且,与对激子作代松马利夫(Dyson-Maleev)变换近似和玻色近似的结果进行仔细的比较,发现对激子不作近似时,这种影响将进一步增大。     

极性晶体膜中强耦合激子的极化子效应和温度依赖性

采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著.     

极性晶体膜中强耦合激子的极化子效应和温度依赖性

采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学（SO）声子强耦合、与体纵光学（LO）声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明：激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著.     

CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛（点）之间的激子转移和它们的光学性质研究

在变温条件下，对CdSe/ZnSe超薄层中的两类量子岛（点）进行了荧光光谱研究.在低温时，这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程，而随着温度的升高，局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理.研究还发现，小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇，它们激子的光学特性之间存在一定的差异，但实验表明两类量子岛之间又有很大的光学关联. 关键词： 量子点 激子 CdSe     

全苏第23届发光会议部分报告题目

1.激活晶体光学波段的杨——特勒效应2.过热发光与弛预过程3.具有自定域激子的离子晶体的本征发光4.晶体中自由激子和自定域激子的共存     

中能中子与58Ni反应的理论计算

在中子与⁵⁸Ni反应的总截面、去弹性散射截面和弹性散射角分布的实验数据基础上, 获得了入射中子能量从0.825—150MeV的一组普适的中子与⁵⁸Ni反应的光学模型势参数. 利用光学模型、宽度涨落修正的Hauser-Feshbach理论、预平衡反应的激子模型和核内级联模型的中能核反应计算程序MEND, 计算了中子与⁵⁸Ni反应的所有截面、角分布和能谱, 并将理论计算结果与实验数据和评价数据进行了分析比较.     

高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的荧光谱研究

报道用分子束外延(MBE)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果.基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射.对激子能级随温度的变化进行了详细研究,给出激子跃迁能量的温度系数.激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释.与光调制反射谱实验结果进行了比较.     

给体-受体型有机太阳电池光敏层的优化设计

针对有机给体-受体型异质结薄膜太阳电池，基于薄膜中的光学干涉效应和激子扩散理论建立模型，定量分析了有机层厚度对太阳电池性能的影响，通过限制有机光敏层厚度来控制由光学干涉效应引起的局部光子密度(光强度)的分布，进而优化有机层的吸收效率和激子扩散效率，以此达到提高器件光伏效率的目的.并通过实验进行了验证. 关键词： 有机太阳电池 给体-受体 优化设计 激子     

纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态和光学性质

本文将基于有效质量近似下的变分法,理论研究了纤锌矿InGaN/GaN staggered 量子阱中的激子态和光学性质。数值结果显示了InGaN量子阱中的量子尺寸和staggered受限垒对束缚于量子阱中的激子态和光学性质有着明显地影响。当阱宽增加时,量子受限效应减弱,激子结合能降低, 带间发光波长增加。另一方面,当量子阱中staggered受限势增加时,量子受限效应增强,激子结合能升高,带间发光波长降低。本文的理论结果证明了可以通过调节staggered垒高和量子尺寸来调控纤锌矿InGaN staggered 量子阱中的激子态和光学性质。