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一种基于符号逻辑的神经元模型和电路实现 总被引:3,自引:0,他引:3
为了实现基于符号逻辑的神经网络系统,本文定义了一种逻辑神经元模型,并采用了电流型CMOS工艺实现辽种神经元电路的各种逻辑功能,最后通过电路模拟,证明设计的正确性。 相似文献
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提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器。提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器。源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗实现高线性度。利用CMOS0.18μm工艺级联实现了一个4阶切比雪夫Ⅱ型全差分低通滤波器。测试结果表明,滤波器带宽为2.75MHz,实现了带外下陷特性。在2V电源电压下,消耗电流为1.5mA,测得带内IIP3为5dBm。在三次谐波失真(HD3)为-46.3dB条件下滤波器的动态范围为65dB。 相似文献
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针对传统半波整流电路的不足提出了基于 MOS工艺的改进方法及电路 .该电路利用 MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运 ,有效地提高了半波整流电路的整流效率 ,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数 ,从而以较简单的电路形式改善了半波整流电路的性能 .着重分析了该电路形式的作用机理 ,并给出了相应的 Hspice模拟结果 相似文献
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将正负Wilson电流镜组合在一起,读取由运算放大器构成的电压跟随器的电源引线电流,得到高精度的压控电流源。通过仿真手段研究互补Wilson电流镜组合的电流跟随特性;用通用集成运算放大器和分立BJT(bipolar junction transistors)构成实验测试电路,给出精度、输出阻抗以及频率响应特性的实验测试结果。电路的带宽大大优于运算放大器的单位增益带宽积,体现了电流模电路的优势。当采用CB(complementary bipolar)工艺实现单片集成时,电路的性能更好。还给出了电路的几种改进方案,实验证明,方案是可行的。 相似文献
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基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源。基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源。电路设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS数字工艺技术。在1.5 V电源电压下,电路输出1.701μA的稳定电流,在-40℃到150℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4μA/℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力。电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB。基准电路在高于1.2V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性。 相似文献
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神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮栅。理论分析和采用自建的 PSPICE子电路模型进行的模拟分析表明 ,通过传输门接入浮栅的多种控制电平的不同组合可以对器件的阈值进行有效地控制。由于新结构可以消除热载流子注入对其可靠性的影响和具有相对高的速度 ,因此 ,它是一种具有较大潜力的 SOC(片上系统 )单元器件。 相似文献
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新颖的双级双程输出C L波段高功率宽带光源 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析了采用掺铒光纤(EDF)产生C波段和L波段光的基础上,进一步分析了双级双程结构实现C L波段宽带光源(BBS)的基本原理,优化设计后并通过实验用双级双程结构实现了高功率C L波段宽带放大的自发辐射(ASE)同时输出。其中,第1级采用双程前向可实现功率为19.2mW(12.93dBm),平均波长为1552.823nm的C L(1520~1610nm之间)ASE输出;第1级采用双程后向可实现功率为21.13mW(13.25dBm),平均波长为1552.925nm的C L(1524~1610nm之间)ASE输出,两级所用的光纤长度分别为7m(低浓度)和31m(高浓度)。对比分析两种结构输出光谱的抽运光利用效率、光滑平坦特性后,可得出第1级采用双程后向的双级双程是一种更为理想的实现C L波段高功率ASE输出的结构。 相似文献
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高精度宽量程智能电流源的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种闭环智能电流源的设计。该系统以单片机为中心,通过闭环控制、PID算法以实现高精度、宽量程,同时通过串行通讯口连接PC机或系统自带键盘的控制,实现了电流可预置、可步进调整、输出的电流信号可直接数字显示的功能。该电流源的性能稳定、带负载能力强,为实验教学的自动化测量提供了条件。 相似文献