LTCC基板共烧平整度工艺研究

LTCC共烧工艺是基板加工的重要环节,有很多因素会影响产品加工进程。一般来说,从设计上要预先充分考虑,以避免负面因素影响基板共烧效果。介绍了LTCC基板/低温共烧陶瓷基板技术及共烧致密化技术的机理,阐述了LTCC平整度重要性及改善基板表面平整度工艺的优化过程。通过综合比较版图优化前后的内层金属含量、不同尺寸样品加工、结构设计等因素,经过多重试验验证,结果表明,版图优化措施切实可行,可有效提高LTCC基板共烧平整度。     

LTCC曲面基板制造技术

电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。     

LTCC基板与封装的一体化制造

介绍LTCC一体化基板／外壳封装的设计、制作与性能检测。     

LTCC基板通孔金属化研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是微电子先进产品ＭＣＭ的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。     

双面空腔LTCC基板制造工艺研究

通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08 mm、空腔尺寸准确度优于±0.15 mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。     

LTCC埋置电阻器制造工艺研究

本文介绍了用于X波段T/R组件中的LTCC埋置电阻器的制造工艺。讨论了LTCC工艺参数对电阻性能的影响。     

低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的制备工艺以及未来应用前景。     

LTCC基板抗折强度的研究

抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标。通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系,并分析了其机理。试验得到的最佳工艺参数为：粉料粒度ｄ＝１．０～１．５μｍ;ＳｉＯ２／玻璃＝４５／５５;热压条件：Ｐ＝２０ＭＰａ,θ＝１１０℃,ｔ＝４０ｍｉｎ;烧成条件：θｐ＝８５０～９００℃,升温速度＝２．５℃／ｍｉｎ,ｔｋ＝３０ｍｉｎ。采用该工艺可将抗折强度提高到１５３Ｎ／ｍｍ２。     

基于LTCC基板的薄膜微带线制作技术

本文对厚、薄膜多层互连基板的发展进行了简单的分析，对基于LTCC基板的薄膜50Ω微带线的设计、制造、测试进行了介绍。结果表明LTCC基板表面实施薄膜工艺与厚膜工艺相比有利于获得更好的微波一致性。     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。     

X波段LTCC铁氧体环形器的设计

针对微波铁氧体材料与低温金属浆料及LTCC陶瓷材料在工艺上的匹配共烧的技术难题,文中采用本征模设计方法,运用阻抗匹配技术,借助微波仿真HFSS和AutoCAD软件设计了一种X波段单Y结LTCC铁氧体环形器。器件模型在10.9~12 GHz的频率范围内出现环形功能,其带宽为1.1 GHz,插入损耗≤0.5 dB,回波损耗≥10 dB,隔离度≥13 dB,驻波比≤1.5 dB。此设计有望实现微波环形器与低温共烧陶瓷(LTCC)技术的有效结合。     

低温烧结AlN陶瓷基片

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。     

银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究

从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制.结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板.     

LTCC基板厚膜电阻的常温稳定性

目前国内尚缺乏与ＬＴＣＣ相配套的厚膜电阻浆料。实验证明，厚膜电阻浆料的导电相、玻璃相及添加剂等对ＬＴＣＣ基板表面厚膜电阻在常温下的稳定性有一定影响。厚膜电阻浆料的膨胀系数随其导电相、玻璃相及添加剂的组分的变化而变化。当厚膜电阻浆料的热膨胀系数与ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数之差异大到一定程度时，厚膜电阻在常温下的稳定性就会受到影响。Ｘ射线衍射图谱说明，厚膜电阻与ＬＴＣＣ基板之间生成的方石英相会降低厚膜电阻在常温下的稳定性。     

LTCC工艺技术研究

叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶瓷强度的工艺因素.并分析了如何根据产品布线特点来设计和优化印刷工艺参数、如何根据基板结构特点来设计和优化排胶曲线.通过大量的工艺试验和数据测试,结果表明,印刷压力影响金属化导体精度和表面粗糙度、烧结曲线排胶段升温速率影响LTCC基板翘曲度和陶瓷强度.     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。     

一种低温共烧多层压电陶瓷变压器

基于片式压电陶瓷变压器的结构和原理提出了一种新型低温共烧多层压电陶瓷变压器,并分析了压电陶瓷材料的烧结特性。采用在生瓷带材料中掺入低熔点玻璃(B-Bi-Cd)低温烧结剂,烧结温度可降至910℃。该文将器件的驱动部分设计成多层结构,使变压器的升压比得到提升。结果表明,该器件的谐振频率值为53.8 kHz,升压比可达1 200。