铁电液晶螺旋结构的理论近似研究

由铁电液晶（FLC）手性近晶C相下螺旋结构的理论近似计算得出FLC一个螺距内平均折射率的表达式,根据表达式可得出一个螺距内的FLC分子作为一个整体可以看成一个向列相液晶分子模型的结论.当FLC沿螺旋轴方向的厚度等于FLC螺距的整数倍时,液晶盒内垂直取向的FLC分子可看作向列相液晶模型组成的集合.ZLI-3654型FLC与5CB型向列相液晶的实验结果验证了上述结论,理论结果和实验结果一致.这一理论可为畸变螺旋FLC和垂直排列畸变螺旋FLC器件的制备以及FLC的应用提供理论指导和更深的认识.关键词：铁电液晶螺距平均折射率向列相液晶     

聚合物LB膜定向铁电液晶的特性

利用新近合成的聚酰亚胺ＬＢ膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺ＬＢ膜进行扫描探测,发现相应的ＬＢ膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的ＬＢ膜可以提高较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而ＬＢ膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。     

典型控制参量对铁电液晶光电响应速度的影响

利用Pspice等效电路模型,模拟了入射光波长、温度以及激励电压频率等典型参量对铁电液晶光电响应速度的控制作用.模拟结果表明,在可见光范围内,响应速度随波长的增加而减慢;温度参量则存在一个拐点,响应速度在该点达到极小值;同时,激励电压存在一个上界频率,当频率参量取值超过界值时会对响应速度产生较大影响.     

铁电液晶MBOPDOB相变的光散射研究

我们对铁电液晶 MBOPDOB 进行了温度有关的拉曼散射研究。在低频范围记录了三条拉曼谱线(15,49,93cm~(-1))。其中15和49cm~(-1)谱线消失于 C-Sm C相变温度,没有检测到任何频移现象。93cm~(-1)拉曼线产生部分频移,消失于各向同性相,联系着偶极-偶极互作用。高频范围四个振动模(1178和1116cm~(-1),1710和1738cm~(-1))之间能量转移归于由电子转移引起的 C=0键硬化和 C-0健的弱化。同时也讨论了该液晶 Sm C-Sm A 相变的二级连续型特征。     

聚合温度及铁电液晶有序度对单体转化率的影响

采用琉醇和丙烯酸的混合物作为反应单体,利用红外光谱仪检测反应前后单体的C=C双键吸收峰的变化,研究了温度对单体转化率的影响。制备了单体含量为10%的聚合物稳定铁电液晶器件,研究了铁电液晶有序度对单体的影响。实验表明:随着温度的增加单体的转化率增加,随着铁电液晶有序度的增加单体的转化率增加;在铁电液晶中单体的转化率主要受有序度的影响;制备聚合物稳定铁电液晶器件最佳的聚合条件为近晶A相(SmA)下聚合。     

聚合物网络稳定铁电液晶中的条纹织构的研究

对聚合物网络稳定的铁电液晶体系进行了研究.实验表明,在聚合物网络单体聚合过程中施加低频交变电场,在偏光显微镜下观察到均匀的液晶分子排列出现一新的条纹织构.从体系自由能的角度对条纹织构给出合理的解释.关键词：     

单体浓度对聚合物稳定铁电液晶稳定性的影响

制备了不同单体浓度的聚合物稳定铁电液晶器件,测试了震动实验和热稳定实验前后样品的排列织构、电光特性和对比度.用原子力显微镜研究了各样品的聚合物形貌,表明在器件内部形成了沿摩擦方向延伸的聚合物网络,并且随着单体含量的增加聚合物网络更加致密.由于聚合物网络体锚定的引入,使得铁电液晶分子在外力和温度场下的运动受到限制,聚合物体锚定的增强使聚合物稳定铁电液晶的稳定性也逐渐提高.实验结果表明,单体含量为4％时,聚合物稳定铁电液晶的抗震性和热稳定性良好,电光曲线为无阈值“V”字型,对比度达150∶1.     

表面稳定铁电液晶器件灰度特性的测量研究

观察到了多畴结构铁电液晶的灰度显示现象,测量了表面稳定铁电液晶像素透率与驱动电压的依赖关系,研究了液晶盒导电玻璃RC常数以及驱动脉冲持续时间对器件电光响应波形的影响,对这几种情况所得到的光电倍增管的响应波形作了分析和解释,同时对产生这种灰度现象的机理作了讨论。     

铁电液晶缺陷光子晶体调谐滤波器的设计

将铁电液晶作为缺陷层引入一维光子晶体中,用电场改变液晶分子的取向,形成光子晶体快速可调谐滤波器.用传输矩阵法研究了铁电液晶缺陷光子晶体的可调谐滤波特性,计算了电压和液晶材料参量对滤波器透射谱的影响.结果表明:改变电压能容易改变光子晶体滤波器透射峰的位置、强度、个数和带宽,实现良好的调谐滤波功能.     

Comment on ‘Conjectures on exact solution of three-dimensional (3D) simple orthorhombic Ising lattices’

It is argued that a recent article by Z.-D. Zhang is in error and violates well-known theorems.     

Rejoinder to the Response to the Comment on ‘Conjectures on exact solution of three-dimensional (3D) simple orthorhombic Ising lattices’

It is shown that the arguments in the reply of Z.-D. Zhang defending his conjectures are invalid. His conjectures have been thoroughly disproved.     

高Tc超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLI_c/φ₀趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β值增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ₀/2.很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线.关键词：自发磁化π结自由能     

球形无规键无规场模型研究弛豫铁电体极化效应

基于球形无规键无规场模型和电场作用下弛豫铁电体微畴-宏畴机理,利用模糊畴界观点以及电场对极化的分数维效应,分析了电场对畴的作用机理.研究结果表明:电场对畴的诱导偶极子增量的极化效应导致了电滞回线的不饱和及相关的大的电致伸缩效应;而畴的偶极子增量耦合时结合能的变化对低电场的电滞回线略有影响,但基本不会改变高电场时的极化状态.初始微畴大小对电滞回线非常重要,细小的微畴会导致细长的电滞回线及电场与电致伸缩良好的线性关系.     

双结π环自发磁化的研究

研究了超导双结π环的自发磁化现象.讨论了双结π环可能发生自发磁化的条件,指出了自发磁化条件不仅与电感参数β有关,而且与两结临界电流之比有关.并通过分析自由能证明自发磁化是稳定的状态.最后给出了讨论结果和渐进行为.关键词：双结π环自发磁化自由能     

耦合双π环的自发磁化

分析和计算了耦合双π环的自由能,结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低,还证明了反向自发磁化是来自量子效应.关键词：耦合双π环反向自发磁化自由能     

SrBi4Ti4O15的化学键性质和铁电性研究

通过原子环境计算方法分析了正交相SrBi₄Ti₄O₁₅晶体内的键络结构、各原子的空间配位数及局域团簇结构. 在此基础上, 结合晶体分解理论将SrBi₄Ti₄O₁₅晶体分解为多个二元赝晶体, 根据化学键介电理论计算得到各赝晶体所对应化学键的有效价电子密度、离子性等化学键性质. 通过键偶极矩建立了铁电体自发极化强度与化学键性质之间的关系, 求得正交相SrBi₄Ti₄O₁₅沿a轴方向的自发极化强度为28.03 μC/cm², 与实验结果和其他理论计算值符合较好.