聚合物LB膜定向铁电液晶的特性

利用新近合成的聚酰亚胺ＬＢ膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺ＬＢ膜进行扫描探测,发现相应的ＬＢ膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的ＬＢ膜可以提高较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而ＬＢ膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。     

铁电液晶螺旋结构的理论近似研究

由铁电液晶（FLC）手性近晶C相下螺旋结构的理论近似计算得出FLC一个螺距内平均折射率的表达式,根据表达式可得出一个螺距内的FLC分子作为一个整体可以看成一个向列相液晶分子模型的结论.当FLC沿螺旋轴方向的厚度等于FLC螺距的整数倍时,液晶盒内垂直取向的FLC分子可看作向列相液晶模型组成的集合.ZLI-3654型FLC与5CB型向列相液晶的实验结果验证了上述结论,理论结果和实验结果一致.这一理论可为畸变螺旋FLC和垂直排列畸变螺旋FLC器件的制备以及FLC的应用提供理论指导和更深的认识. 关键词： 铁电液晶 螺距 平均折射率 向列相液晶     

铁电液晶MBOPDOB相变的光散射研究

我们对铁电液晶 MBOPDOB 进行了温度有关的拉曼散射研究。在低频范围记录了三条拉曼谱线(15,49,93cm~(-1))。其中15和49cm~(-1)谱线消失于 C-Sm C相变温度,没有检测到任何频移现象。93cm~(-1)拉曼线产生部分频移,消失于各向同性相,联系着偶极-偶极互作用。高频范围四个振动模(1178和1116cm~(-1),1710和1738cm~(-1))之间能量转移归于由电子转移引起的 C=0键硬化和 C-0健的弱化。同时也讨论了该液晶 Sm C-Sm A 相变的二级连续型特征。     

聚合温度及铁电液晶有序度对单体转化率的影响

采用琉醇和丙烯酸的混合物作为反应单体,利用红外光谱仪检测反应前后单体的C=C双键吸收峰的变化,研究了温度对单体转化率的影响。制备了单体含量为10%的聚合物稳定铁电液晶器件,研究了铁电液晶有序度对单体的影响。实验表明:随着温度的增加单体的转化率增加,随着铁电液晶有序度的增加单体的转化率增加;在铁电液晶中单体的转化率主要受有序度的影响;制备聚合物稳定铁电液晶器件最佳的聚合条件为近晶A相(SmA)下聚合。     

聚合物网络稳定铁电液晶中的条纹织构的研究

对聚合物网络稳定的铁电液晶体系进行了研究.实验表明,在聚合物网络单体聚合过程中施加低频交变电场，在偏光显微镜下观察到均匀的液晶分子排列出现一新的条纹织构.从体系自由能的角度对条纹织构给出合理的解释. 关键词：     

单体浓度对聚合物稳定铁电液晶稳定性的影响

制备了不同单体浓度的聚合物稳定铁电液晶器件,测试了震动实验和热稳定实验前后样品的排列织构、电光特性和对比度.用原子力显微镜研究了各样品的聚合物形貌,表明在器件内部形成了沿摩擦方向延伸的聚合物网络,并且随着单体含量的增加聚合物网络更加致密.由于聚合物网络体锚定的引入,使得铁电液晶分子在外力和温度场下的运动受到限制,聚合物体锚定的增强使聚合物稳定铁电液晶的稳定性也逐渐提高.实验结果表明,单体含量为4％时,聚合物稳定铁电液晶的抗震性和热稳定性良好,电光曲线为无阈值“V”字型,对比度达150∶1.     

典型控制参量对铁电液晶光电响应速度的影响

利用Pspice等效电路模型, 模拟了入射光波长、温度以及激励电压频率等典型参量对铁电液晶光电响应速度的控制作用. 模拟结果表明, 在可见光范围内, 响应速度随波长的增加而减慢; 温度参量则存在一个拐点, 响应速度在该点达到极小值; 同时, 激励电压存在一个上界频率, 当频率参量取值超过界值时会对响应速度产生较大影响.     

丝状相液晶由表面相互作用产生的相变

导出双轴丝状相液晶在指向矢与易取向轴重合时的表面相互作用能.应用Ritz方法,对半无 界液晶体得出沿表面法向的双轴相(B_c)至沿表面某一轴的双轴相(B_a)的相变.随着表面锚泊强度双轴性部分的增大,B_a的产生机制逐渐由降低温度 转为表面锚泊,因此B_a相可出现在较高温度和较大温度范围内.在表面锚泊强度 单轴性部分α值的一定范围内,增大α值可使B_a在较高温度产生,但α值的进 一步增大则使液晶又从B_α返回B_c相. 关键词： 液晶 相变 表面能     

铁电液晶缺陷光子晶体调谐滤波器的设计

将铁电液晶作为缺陷层引入一维光子晶体中,用电场改变液晶分子的取向,形成光子晶体快速可调谐滤波器.用传输矩阵法研究了铁电液晶缺陷光子晶体的可调谐滤波特性,计算了电压和液晶材料参量对滤波器透射谱的影响.结果表明:改变电压能容易改变光子晶体滤波器透射峰的位置、强度、个数和带宽,实现良好的调谐滤波功能.     

单畴化不完善的铁电晶体的衍射强度

单畴化不完善对铁电晶体的衍射强度有重要影响,在晶体结构分析中必须予以考虑。对于磷酸氢铅,本文导出了用来修正这种影响的关系式。在该晶体的结构分析中引入这种修正以后,得到了较好的拟合。 关键词：     

用示波器研究铁电材料的特性

本文介绍了一种用示波器研究铁电材料极化特性的实验方法，给出了定时讨论极化强度和电场强度的具体步骤，进而可测出矫顽力和剩余极化强度。     

铁电极化子动力学理论

在铁电屏蔽理论的基础上发展铁电极化子动力学理论,用来解释铁电体的极化反转现象.理论结果与TGS单晶的实验结果符合得很好.由该理论还可进一步用来研究铁电发射的基本物理过程 关键词： 铁电极化子 极化反转 慢极化效应     

冲击波作用下铁电体的击穿

 将导电裂纹视为铁电体的击穿模型。导出了当有一裂纹和一电极成垂直接触时的储能公式，由此推得当裂纹开裂一单位面积时的驱动能量，当此能量大于铁电体的表面能时，就是临界击穿的条件，从而可以求出临界电压或临界冲击波强度。并将结果和其它文献作了比较。     

向列型液晶中短程序的计算

向列型液晶中的短程序有重要的物理效应。本文在格胞理论的基础上,用新的数值方法计算这些效应。不用任何函数展开,通过平衡态方程送代求解,得到精确的取向分布函数。从而计算各种物理量,给出了相变点序参数、熵变等量的精确数值。     

THE WIDTH EFFECT OF ELECTRODE IN THE FREEDERICKSZ TRANSITION OF NEMATIC LIQUID CRYSTALS

The Freedericksz transition of nematic liquid crystals with limited width of ele ctrode on substrates of the cell is investigated. Solving two-dimensional nonli near partial differential equations by means of numerical method, we obtained the sp ace distribution of the director of the liquid crystal. The threshold voltage is found to depend on the ratio of the electrode width l to the thickness of the liquid crystal layer d. The deflect angleθ of the director lapses near the edge of the electrode and the width of this lapsing area are discussed.     

萘酞菁LB膜取向液晶研究

利用二(3-叔丁基硅氧基)萘酞菁硅 (SiNc) Langmuir-Blodgett (LB) 膜对丝状液晶的定向进行了研究,发现在不同膜压下沉积的SiNc LB膜具有不同的定向效果.在15mN/m低膜压下沉积的LB膜上丝状液晶主要呈沿膜面水平排列,而30mN/m高膜压下沉积的LB膜则取垂直膜面取向.原子力显微镜(AFM)对相应的LB单层膜和多层膜进行的分子尺度上的形貌研究发现,高膜压条件下SiNc分子以分离的单体或聚集体形式非连续地在基片上呈线性堆积排列,形成一定的分子“纳米线”,并且大环平面垂直于基片 关键词：     

液晶表面锚定能的温度依赖性研究

通过测量扭曲液晶盒中的液晶分子的实际扭曲角及摩擦方向与液晶分子的界面指向矢之间的方位偏角，用自行建立的液晶方位表面锚定能的测量方法，测定了５ＣＢ液晶与摩擦的聚酰亚胺界面的锚定能及其温度依赖性，并用热力学理论进行了分析．实验结果表明，随着温度的增加液晶的表面锚定能Ｅ_ａ是减小的，从２５.５℃时的５.０×１０^－5Ｊ／ｍ²减小到３５℃时的５.０×１０^－6Ｊ／ｍ²；同时，外推长度ｄ_e随 关键词：     

α-碘酸锂的介电和导电行为

在沿c轴方向(以下简称c向)加静电场的作用下,测试频率为1OkHz时,测量了α-碘酸钾的表观介电系数ε′_c和ε′_a随同号电压V₊和异号电压V_-变化的特征曲线,确定了晶体中不存在类似于半导体的肖脱基阻挡层。当静电场加在c向上后,ε′_c变化的弛豫过程,与静电场作用下中子衍射强度增加的弛豫过程相似。实验观察到,这一晶体导电的载体主要是锂离子,并近似地具有在c向上一维电导性的特点。测出了c向电阻率ρ_c与V₊和V_-的特征曲线。