甲酸根离子均匀掺杂的卤化银中的光电子特性

甲酸根离子(HCO-2)作为一种“空穴-电子转换剂”掺杂在卤化银中,可以提高潜影形成过程中光电子的利用率,俘获光生空穴,减少潜影形成过程中电子-空穴复合所造成的电子损失;同时还可以释放一个电子,提高感光效率。采用微波吸收介电谱检测技术,检测了不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的立方体AgCl和AgBr乳剂在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号。通过比较光电子的衰减时间和寿命,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应对立方体AgCl和AgBr乳剂中光电子衰减行为的影响,并得到了最佳均匀掺杂浓度（10^-5mol/molAg）。     

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K₄Fe(CN)₆浅电子陷阱掺杂剂和S+Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7 mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S+Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。     

不同增感对AgCl乳剂中光电子时间行为的影响

借助微波吸收介电谱检测技术,对AgCl立方体乳剂中光电子的时间行为进行了检测,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同增感条件下的时间分辨谱。实验结果表明：化学增感时由于硫加金增感中心的浅电子陷阱作用有效地抑制了空穴与光电子之间的复合,化学增感使得光电子的衰减相对未增感的减缓、衰减时间得到延长;光谱增感时由于染料J聚集体增加了卤化银晶体中添隙银离子的浓度、促进了光电子与添隙银离子之间的结合,光谱增感使得光电子的衰减相对未增感的加剧、衰减时间变短;化学与光谱共同增感使光电子的衰减时间在光谱增感的基础上得到了延长,且硫加金化学增感中心的浅电子陷阱效应在光谱增感的基础上更明显。     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na₂S₂O₃相同的条件下S与S+Au增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S+Au增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl₄后形成的S+Au增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S+Au增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术，对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测，结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同；S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系，获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词： 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱     

掺有K4Fe(CN)6/K3IrCl6/K4Ru(CN)6的AgClBr微晶的光电子时间分辨谱

微波吸收介电谱检测技术具有很高的时间分辨率 ,可用于固体中电子输运特性的无接触测量 ,是研究晶体中光生载流子寿命及其迁移行为的有效方法。本文利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱检测装置 ,测量了掺杂K4Fe(CN) 6,K3 IrCl6和K4Ru(CN) 6的AgClBr晶体在 35ps超短脉冲激光曝光后的光电子衰减的时间分辨谱。得到了不同的掺杂剂对AgClBr乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间特性的影响关系。试验结果表明 ,对于所用的 3种乳剂 ,在掺杂量为 1× 10 -6、掺杂位置为 30 %时 ,掺杂K4Fe(CN) 6的AgClBr乳剂的自由光电子衰减时间相对较短 ,感光度相对较高。利用此方法可进一步研究乳剂光电子时间特性与掺杂剂、颗粒形状、颗粒结构、光谱增感和化学增感剂等参数的依赖关系。     

纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术, 获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中, 在增感时间增加的条件下, 自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线.分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程, 讨论了卤化银晶体中电子陷阱对光电子运动行为的影响, 分析了电子陷阱效应及陷阱深度同增感时间之间的关系. 通过未增感样品与增感样品的衰减曲线对比, 得到了在此实验条件下的最佳增感时间为80min. 关键词： 纳米硫化镍 衰减时间 电子陷阱 寿命     

摄影光学 感光材料与性能测试

TQ571.22006054453纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究=Investigation of decay characteristics of photoelectrons innanoparticals of cubic AgBr sensitized by NiS[刊,中]/杨少鹏(河北大学物理科学与技术学院.河北,保定(071002)),郑红芳…//物理学报.—2006,55(5).—2144-2148利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中,在增感时间增加的条件下,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线。分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程,讨论了卤化银晶…     

AgX:I微晶的光电子衰减时间分辨谱测量

利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,采用自行设计的光电子时间分辨谱测量装置(时间分辨率达到1 ns),精确地测量了不同Agx:I材料在35 ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的[I-]掺杂条件对材料光电子时间特性的影响关系,得到了影响Agx:I微晶光电子时间特性的最佳[I-]掺杂条件。对立方体AgCl乳剂来说,[I-]含量0.5％,掺杂位置80％Ag处时,乳剂的光电子寿命最长。而对T-颗粒AgBr乳剂而言,[I-]含量3％时,乳剂的光电子寿命最长。碘化物对光电子寿命增大的影响是由于碘化物离子可以作为缺陷电子陷阱,这就使得银簇上的反应减小,当碘化物大于3％时,这一效应由于碘化物团簇的形成而消失。     

摄影光学 感光材料与性能测试

TQ571.2 2006032396还原增感浓度对AgCl光电子衰减的影响=Influence ofsensitization concentration on photoelectron decay of AgClemulsion[刊,中]/李晓苇(河北大学物理科学与技术学院.河北,保定(071002)) ,张伟…∥河北大学学报(自然科学版) .—2006 ,26(2) .—148-151 ,156利用微波介电检测技术,测得自由光电子与浅束缚光电子衰减行为随还原增感浓度的变化。实验发现,还原增感浓度低时,增感中心起空穴陷阱作用;还原增感浓度高时,增感中心起深电子陷阱作用。根据光电子衰减行为随增感浓度的变化得到了最佳增感浓度。图4参10(严寒)TQ…     

Investigation of photoelectron action in cubic AgCl emulsion doped with formate ions

In recent years, the formate ion （HCO2^-） as a kind of hole-to-electron converter has attracted much attention of photographic researchers. The formate ions can trap photo-generated holes, eliminate or reduce the electron loss caused by electron-hole recombination in latent image formation process. Through the hole-to-electron conversion, it can also release an extra electron or electron carrier, improving photosensitivity. In this paper the microwave absorption and dielectric spectrum detection technique is used to detect the time evolution behaviour of free photoelectrons generated by 35ps laser pulses in cubic AgCl emulsions doped with formate ions. The influence of different doping conditions of formate ions on the photoelectron decay kinetics of AgC1 is analysed. It is found that when the HCO2^- content is 10^-3mol/mol Ag and the doping position is 90% the electron decay time and lifetime reach their maxima due to the efficient trap of holes by formate ions.     

VUV-UV-visible luminescence of Nd3+, Er3+ and Tm3+ in LiLuF4 single crystal host

An overlook of absorption and luminescence characteristics of Nd³⁺, Er³⁺ and Tm³⁺ centers in LiLuF₄ single crystal is provided. Single crystal doped with the mentioned RE ions were prepared by micro-pulling-down technique in the form of few cm long rods with the diameter of about 2 mm. Excitation and emission spectra and fast decay kinetics in VUV spectral region were measured at SUPERLUMI station at synchrotron DESY, Hamburg and characterization was further completed in UV-visible region at conventional spectrophotometers. Observed absorption and emission peaks are ascribed to the 5d–4f and 4f–4f optical transitions in the doped rare earth ions. Concentration dependence of the decay kinetics is discussed.     

水杨酸-Tb3+(Gd3+)络合物的高效发光

合成了水杨酸-Tb3+和水杨酸-Tb3+(Gd3+)高效发光材料.通过发射光谱、激发光谱和荧光衰减时间的测定,观察到了水杨酸根与Tb3+之间的能量传递,并获得了高效发光.以Gd3+代替4/5摩尔的Tb3+也得到较好的结果.     

Eu3+激活K2CaP2O7荧光粉的制备和发光性质

采用高温固相法制备了系列不同浓度Eu³⁺离子掺杂的K₂CaP₂O₇红色荧光粉。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光光谱和荧光寿命曲线等手段对荧光粉的物相结构、形貌以及发光性质进行了研究。结果表明所制备的荧光粉均属于单斜结构,Eu³⁺离子掺杂没有引起晶体结构明显变化,荧光粉形貌不规则,颗粒为微米量级且部分发生团聚。在393 nm紫外光激发下,荧光粉显示出红光发射,最强发射峰位于613 nm。Eu³⁺离子掺杂浓度对发光强度有显著影响,最佳掺杂摩尔分数为0.08,由此计算能量传递临界距离为1.61 nm。荧光寿命受掺杂浓度影响较小,当Eu³⁺掺杂摩尔分数为0.005~0.10时,荧光寿命在2.45~2.58 ms范围内。变温发射光谱显示,测试温度为150℃时,荧光粉的发光强度为室温的73%。研究表明,Eu³⁺离子掺杂的K₂CaP₂O₇是性能较好的红色荧光粉。     

Emission color variation of M2SiO4:Eu (M=Ba, Sr, Ca) phosphors for light-emitting diode

The luminescent properties of alkaline earth orthosilicates M₂SiO₄ (M=Ba, Sr, Ca) doped with Eu²⁺ ions are investigated. Two emission bands are assigned to the f-d transitions of Eu²⁺ ions doped into two different cation sites in host lattices confirmed by electron paramagnetic resonance signal. Two emission bands show the different emission color variation with substituting M²⁺ cations with smaller cations. This behavior is discussed in terms of two competing factors of the crystal field strength and covalence. Also the decay times are in order of 600-1000 ns. These phosphors with maximum excitation of around 370 nm can be applied as a color-tunable phosphor for light-emitting diode based on ultraviolet chip/phosphor technology.     

Spectroscopic study of thulium doped transparent glass ceramics

A systematic investigation on fluorescence spectroscopy of trivalent thulium doped in oxyfluoride glass ceramics containing LaF3 nanocrystals has been carried out in a spectral range from 400 to 900 nm under the direct excitation of 1D2 level at a low temperature. Specific optical transitions related to the fluorescence emissions are studied based on experimental measurements in frequency and time domain. Fluorescence emissions from the ions in crystal phase are distinguished from what in glass phase and their spectroscopic properties are explored. The dynamical process shows that the temporal decay of fluorescence emission consists of two parts： a rapid decay from the ions in glass phase and a slower decay from the ions in crystal phase.     

铒掺杂硼酸盐玻璃中的激发态阱

铒掺杂硼酸盐玻璃广泛应用于发光材料中,研究其发光动力学性质对于优化和提高其发光效率具有重要意义. 本文采用传统的熔融淬火法合成了摩尔比为2%的掺铒硼酸盐玻璃,并在低于硼酸盐玻璃转变温度(260 °C)下退火,退火处理后的掺铒硼酸盐玻璃光学性质得到了一定程度的提高. 硼酸盐玻璃未掺杂和掺杂Er³⁺的热性能采用差示扫描量热法以10 °C/min的速度进行测量. 同时还测量了掺铒硼酸盐玻璃发光机理的吸收光谱、激发光谱、稳态发射光谱、瞬态发射光谱和衰减动力学曲线. 实验结果表明Er³⁺在不同激发波长下556 nm处发射时具有不同的寿命,在掺铒硼酸盐玻璃中可能存在激发态阱,利用实验数据得到了激发态阱的深度为0.14 eV.     

(Eu2+,Nd3+): CaAl2O4的长余辉发光及机理的研究

采用高温固相反应法制备了Eu²⁺: CaAl₂O₄、(Eu²⁺,Nd³⁺): CaAl₂O₄, 等系列材料.测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线.分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用.并对其发光机理进行了深入地探讨.     

Luminescence and scintillation of Eu2+‐doped high silica glass

High silica glass doped with Eu²⁺ ions was prepared as a scintillating material by impregnation of Eu ions into a porous silica glass followed by reduction sintering in CO atmosphere. A dominant emission band of the Eu²⁺ 5d–4f transition peaking around 430 nm was observed in the luminescence spectrum with the excitation peak around 280 nm and no emission from Eu³⁺ was present. Photoluminescence decay kinetics was governed by decay times of a few microseconds. The Eu²⁺‐doped high silica glass exhibited comparable energy resolution and slightly higher photoelectron yield with respect to the Bi₄Ge₃O₁₂ crystal in the pulse height spectra for X‐ray photon energies within 22–60 keV. Furthermore, a factor of 1.2 higher radioluminescence intensity was observed as well. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)