快放电激发XeOH准分子的发射谱

本文报道了Xe/H_2O/He混合气体在快放电激励下XeOH准分子的紫外发射谱。无结构荧光谱带半功率点宽度为6nm,峰值在235nm。给出了谱的强度与H_2O分压、Xe分压、总气压及工作电压的关系。     

稀有气体氟化物离子准分子发射谱观察

离子准分子XUV/VUV跃近遵循下过程:Y~(++)X~-→Y~++X~+hv(XUV/VUV) 但是稀有气体卤化物离子准分子的研究很少。我们首先利用了修正的Ritlner势和高斯80程序计算了势能曲线和受激发射截面σ_(st)等。     

横向激励Blumlein型准分子激光器的快放电电流测量

介绍了结合使用磁光法和Rogowslki线圈法测量快放电脉冲电流,并对KrF准分子体系作了实际测量。     

快放电激励准分子激光器的过压击穿及其测量装置

本文报道了采用电阻分压器测量准分子激光器放电电压的实验结果.讨论了影响测量装置性能的各种因素和消除办法,并研究了器件的过压击穿形式及其变化规律.     

纵向放电激励的XeCl准分子激光

采用纵向气体放电激励,获得了XeCl激光作用。脉宽35毫微秒,最大能量317微焦耳,效率0.29％。     

采用聚四氟乙烯板表面预电离放电激发XeF准分子紫外发射谱

无外加氟施主情况下，在装有聚四氟乙烯面预电离板的准分子激光器中，放电激发Ｘｅ／Ｎｅ混合气体产生了ＸｅＦ准分子。研究了中心波长为３５１ｎｍ，３５３ｎｍ和３０８ｎｍ的发射谱。放电激发Ｋｒ／Ｎｅ混合气体，观察到了ＫｒＦ２４８ｎｍ发射谱。     

放电激发的HgJ*准分子激光器

不久前出现了以卤化汞蒸汽产生激光的报导,辐射光谱在可见区：λ=443毫微米(HgJ*)，502毫微米(HgBr*)和558毫微米(HgCl*)。对这种激光器的兴趣是由于它有高的预期激光效率、高的脉冲功率和实现周期脉冲运转的可能性。     

放电激励的100W XeCl准分子激光器

介绍一台放电泵浦的ＸｅＣｌ准分子激光器。其最大单脉冲能量５５０ｍＪ，在２８０Ｈｚ工作时输出功率达１０６Ｗ。     

磁约束放电激励的XeCl准分子激光器

本文对激光激励的一种新技术—磁约束放电激励技术在XeCl准分子激光器中的应用进行了实验研究。并分析比较了以Ar或He为缓冲气体时磁约束放电激励对XeCl准分子激光输出的影响。     

放电激励的100W XeCl准分子激光器

介绍一台放电泵浦的ＸｅＣｌ准分子激光器。其最大单脉冲能量５５０ｍＪ，在２８０Ｈｚ工作时输出功率达１０６Ｗ     

射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究

通过对RF—PECVD技术沉积氢化非晶／微晶硅(a—Si：H/μc—Si：H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH、IHα和IHβ)的变化规律。结果表明：随着SiH4浓度增大,ISiH^*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,而IHα和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3—5％的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40一75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。     

无外加氟施主产生KrF准分子发射谱实验研究

无外加氟施主情况下,在采用聚四氟乙烯面预电离板的准分子激光器中,分别用摄谱法和光电转换扫描法对放电激发Ｋｒ／Ｎｅ混合气体产生的有关紫外谱进行了分析,确定了ＫｒＦ准分子的生成。研究了发射谱随各参量的变化关系。     

准分子激光放电回路的研究

对高压放电泵浦的准分子激光放电回路进行了探讨。运用等效电路方法，给出了准分子激光工作气体在击穿放电前后的电路变化规律，同时分析了能量转移效率与回路参数之间的关系，这为设计高效率和稳定可靠的准分子放电回路提供了理论上的参考依据。     

横向放电激励的小功率准分子激光器系列通过专家鉴定

中国科学院安徽光学精密机械研究所承担国家“七五”重点科技攻关项目“激光技术”的子专题“横向放电激励的小功率准分子激光器”合同.在完成国家合同任务的同时(5W器件),安徽光机所自行研制了10W级器件,形成75系列准分子激光器.在设计制造过程中,科技人员参考国内外技术资料和产品,着重吸收自己的科研成果.     

相对论电子束激励的宽带Rb2准分子发射及其增益观测

由相对论电子束激发稀有气体和碱金属Rb 的混合蒸气,观察到来自Rb2 (2 3Πg →1 3Σ u )准分子的橙红色发射带。实验研究了橙红带随温度和抽运功率的依赖特性。当抽运强度超过10m J/cm 3时,观测到自发辐射放大(ASE)现象和一个最大值为3.5% cm - 1的有效增益系数(603 nm处)     

放电激励XeF(B→X)准分子激光器的高效率运转

在一台X射线预电离的XeF(B→X)准分子激光器中,我们应用磁开关隔离的预脉冲-主脉冲放电激励电路和磁脉冲压缩技术,研究了激光输出能量和转换效率对气体组份、总气压、电路参数和延迟时间的依赖关系,激光性能获得较大改进。当放电体积为0.11L,气体混合物(NF_3/Xe/Ne)的总气压为2.5×10~5 Pa时,激光输出能量345 mJ,总效率达3％。     

放电激励XeF（B→X）准分子激光器的高效率运转

在一台Ｘ射线预电离的ＸｅＦ（Ｂ→Ｘ）准分子激光器中，我们应用磁开关隔离的预脉冲－主脉冲放电激励电路和磁脉冲压缩技术，研究了激光输出能量和转换效率对气体组份、总气压、电路参数和延迟时间的依赖关系。     

快放电激励的585nm Ne—H_2激光

电子束泵浦的Ne原子高能Penning电离激光的发展,引起了人们用简便高效的放电手段,尤其是在大体积、高气压下放电来泵浦这些激光的兴趣。我们     

静电放电电磁脉冲激励下材料屏蔽效能研究

为更好地评价电磁屏蔽材料对静电放电电磁脉冲的屏蔽效能,对静电放电脉冲激励下的材料的屏蔽效能进行了时域测试研究。以静电放电电磁脉冲为注入源,结合宽带同轴测试夹具和数字存储示波器,对一种平面材料的屏蔽效能进行了时域测试。通过得到的屏蔽前后的信号,计算了不同激励电压下该材料的峰值屏蔽效能,结果表明激励电压的大小对该材料的电磁脉冲屏蔽效能影响不大。通过对屏蔽前后信号的FFT 变换计算了其频域幅频特性曲线,与频域实验测试所得的幅频特性曲线进行了对比,结果比较一致。表明该时域测试系统能够可靠地评价材料对高压静电放电电磁脉冲激励下的衰减能力。