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本文提出一种计算电子与离子碰撞激发截面的理论方法。同时,此方法也可作为一种检验和掌握电子碰撞激发数据的手段。在电子的低能区域,利用多通道量子数亏损理论,我们可从精确测得的能谱数据中推算出电子碰撞激发截面。在电子的高能区域,我们利用Bethe理论计算了电子碰撞激发截面。对中间能域,如果将截面的局部共振结构平均,则可以用内插法得到平均激发截面。比较可靠的电子与离子激发数据,对受控聚变的研究是有帮助的。本文以电子与类锂离子碰撞激发为实例说明所提出的理论方法。
关键词: 相似文献
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此文采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子,用R─矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态,在库仑玻恩各级近似下计算了类锂离子O5+的电子碰撞电离截面及相应速率系数,这是文献中首次使用密耦方法,在考虑通道相互作用情形下得到的结果。 相似文献
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利用扭曲波方法计算类He离子的电子碰撞激发截面。靶波函数采用HFS自洽场波函数,本文计算了若干元素从基态(11S)到21S,21P,23S,23P的跃迁。计算结果以碰撞强度的形式给出。入射电子能量从激发阈能开始到x=10,计算结果与已有的结果作了比较,分析表明,在大多数情况下,结果是满意的。 相似文献
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类氢离子电子碰撞电离截面的扭曲波计算 总被引:1,自引:0,他引:1
在扭曲波库仑玻恩交换似近下用编制的计算程序计算了类氢离子He,C,Ne,Si,Ca,Fe的电子碰撞电离截面,并将结果与Younger的扭曲波结果作了比较。在2%以内本文的结果与Younger的结果一致。并详细研究了半经典交换势对电子碰撞电离截面的效应以及沿等电子数序列变化的规律 相似文献
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电子碰撞激发机制中自电离与双电子俘获 总被引:1,自引:1,他引:0
以Ge为例,研究了双电子复合代替自电离与双电子俘获对离子布居的影响;通过解包括双激发态和自电离与双电子俘获过程的速率方程组,研究了类F离子与类Ne离子基态对19.6nm与23.6nm激光线上、下能级的布居贡献因子及类Na离子与类Ne离子的电离速率,并讨论了这两条激光线的反转与增益。 相似文献
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解决了包含四个合流超几何函数的数值积分问题,从而给出了计算电子碰撞电离离子三重微分截面的通用方法,适合于中、高入射能量下的各种几何条件。计算了对称和不对称几何条件下电子碰撞电离He+离子的三重微分截面,并与其它理论结果作了比较。 相似文献
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在Coulomb-Born近似下,利用满足一定边界条件且包括电子动量相关的库仑波近似描述e-+He(1s2)→He+(1s1)+2e-两出射电子,得出了三重微分散射截面(TDCS)的明晰表达式,计算了入射能为600eV和400eV、散射角为4°和10°条件下的TDCS,并与实验值和Brauner理论结果进行了比较。结果发现,电子动量相关效应对解释binary峰和recoil峰的大小和位置起重要作用。 相似文献
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The double differential cross sections for electron impact ionization of helium at incident energies of 200 eV, 100 eV and 64.6 eV have been calculated in the BBK model. The present results are found to be in generally good agreement with the latest measurements of R?der et al. and the theoretical results of the convergent close-coupling method although some quantitative discrepancy remains. 相似文献
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利用BBK模型,导出了电子-类氢离子碰撞电离跃迁矩阵元的解析形式。出射道用包含三个适当的合流超几何函数,且满足适当的三体库仑边界条件的关联BBK波函数来描述,入射道考虑了入射电子与靶离子的长程库仑相互作用而包括一库仑波。含有四个合流超几何函数在内的跃迁T-矩阵元的六维空间积分已约化为一包含高斯-超几何函数的三维实参数积分。忽略入射电子与靶离子的库仑相互作用时,表示用平面波描述的入射电子与靶离子的碰撞,再取靶离子电荷数Z=1时,表示氢原子的电离;略去排斥因子(α12=0)时,又表示不考虑关联的电离。从而可分析各种情况的电离性质。在目前离子的(e,2e)反应三微分截面实验数据还不具备的情况下,可先提供一些必要的理论结果。进而可广泛地应用于处理散射问题之中。 相似文献
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L-shell ionization cross sections of Nb by electron impact in the energy range from 3 to 40 keV have been determined with a Si(Li) X-ray detector. Influence of reflected electrons from backing on the measurement was corrected using an electron transport model. The experimental results are compared with theoretical calculations of Gryzinski and McGuire. 相似文献
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类锂离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数 总被引:1,自引:0,他引:1
在库仑-玻恩交换近似及由我们改善了屏蔽常数定义和算法的Z标度类氢模型下,计算了类锂CⅣ、NⅤ和OⅥ离子的内、外壳层电子被入射电子碰撞的直接电离和非直接的激发自电离截面和速率系数。与实验结果比较,对于CⅣ、NⅤ和OⅥ,我们的计算截面值的最大相对误差分别不超过3%、11%和20%,并随入射电子能量的增加误差越来越小。与其它的理论结果相比,随着Z增加,我们计算的速率系数与实验结果符合得更好些。 相似文献