深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs1-xPx LED在正向电压,I=100mA(J=250A/cm2)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs1-xPx LED中存在三个电子能级:△En1=(0.19±0.01)eV;△En2=(0.20±0.01)eV;△En3=(0.40±0.01)eV。发现老化之后△En1与△En2的能级密度变小,而△En3的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通,C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs1-xPx LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△En1与△En2对GaAs1-xPx LED的发光效率与退化特性无影响,而△En3是限制GaAs1-xPx LED发光效率和退化特性的有效复合中心。     

用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响

本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaAsxPxLED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△En=0.15eV和一个很弱的△En=0.33eV电子深能级,它们的俘获截面都小于1.5×10-14cm2,总的能级浓度小,约为1.4×1015cm-3.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级,它们的俘获截面甚至大到2.2×10-12和1.3×10-13cm2;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽,说明杂质浓度大,总浓度分别为6.3×1015cm-3和3.4×1015cm-3.讨论了深能级对发光效率的影响.     

GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED''s老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED''s发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。     

Zn在Ga1-xAlxAs中的扩散规律

本文论述了在720℃～750℃的温度下,Zn在Ga1-xAlxAs,GaAs中的扩散。研究了结深x1,随片子表面Al组份x值的变化规律。实验表明在同一扩散条件下,Ga1-xAlxAs与GaAs两种材料的结深xj并不相同。在此基础上获得了Al组份x=0.34的最佳扩散条件。     

双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管,掺Si的n-Al0.05Ga0.95As有源层中的深能级。着重分析了一个与氧有关的电子陷阱,其发射激活能为EC-ED=0.29eV。我们发现该电子陷阱随正向注入脉冲宽度tp的增加DLTS峰向低温移动,即在确定的温度下发射率随tp的增加而增加。用DLTS首次测得该能级的俘获瞬态谱,发现俘获峰随反向撤空脉冲宽度tR的增加向低温端移动,即在确定的温度下俘获率随tR的增加而增加,并且俘获激活能从△Eσ=0.28eV变化到0.26eV,用位形坐标图讨论了引起变化的原因。     

Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·     

光电容法研究电子辐照GaP中的深能级

本文提出含多个深能级响应的光电容瞬态分析方法:在不考虑各能级之间电子、空穴跃迁的条件下,可出“多指数过程分离法”,将总的瞬态过程分离为各能级上指数型瞬态过程之和.运用这一方法,对lMeV(4×1015cm-2电子辐照GaP LED进行了定态和两种注入条件的瞬态光电容测量,观察到H1、H2、H3三个空穴能级(0.51、0.75、1.15eV)和E1、E2、E3、E4四个电予能级(0.68、0.84、0.89、1.01eV),并得到各能级的光离化截面谱.外量子效率及发射谱测量结果表明;电子辐照引入的深能级(H1-H3,E1-E4)表现出无辐射复合中心的性质.     

镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究

本文研究了镓铝砷双异质结红光二极管发射光谱中的红外谱带随工作电流及温度的变化规律,并看到器件的发光效率与红外带的强度有明显的联系.通过红外带峰值位置,半值宽度、峰值位置随温度的移动及发光区深能级的测定,认为该谱带来源于衬底.由于有源区厚度的不均匀及限制作用不充分,使注入到有源区中的一部分电子能穿过限制层进入P型GaAs衬底,从而产生红外谱带.指出改善有源区厚度均匀性,增大限制层的势垒高度是降低红外辐射,提高器件发光效率的有效途径.     

有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管,有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明,器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管,有源层掺Si可获得较大的光输出功率,而频响特性<15MHz,波长在8700Å以上;对有源层掺Ge器件,光输出功率低于掺Si器件,而频响特性则>15MHz,波长可控制在8200Å~8500Å.深能级测量表明二者有不同的深能级位置,对掺Si(氧沾污)器件,Ec-ET≈0.29eV,而掺Ge器件ET-Ev≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗缺陷的影响尚无明显区别.     

CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级

在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出T_d场和C_3v场下Cu²⁺ d轨道的分裂情况. 计算结果表明,CdTe太阳电池中的E_v+0206 eV和E_v+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.     

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

为了提高GaN基发光二极管(LED)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制作,然后采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚的n型GaN层,4层量子阱和200nm厚的p型GaN层,形成LED结构.衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构,晶格常数为3.8μm,刻蚀深度为800nm.LED器件光强输出测试结果显示,在PSS上制作的LED(PSS-LED)的发光强度普遍高于蓝宝石平 关键词： 全息 发光二极管 图形蓝宝石衬底 外量子效率     

GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究

本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性和I-P特性与EL图象的变化规律,并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较,结果表明:它们有着不同的退化机理。     

White light emitting diodes (LEDs) with good color rendering indices (CRI) and high luminous efficiencies by the encapsulation of mixed and double-deck phosphors

In this paper, white light emitting diodes (LEDs) with good color rendering indices (CRI) and high luminous efficiencies have been fabricated by the encapsulation of mixed and double-deck phosphors. Experimental results revealed that white LEDs with the encapsulation of double-deck phosphors exhibited better CRI and higher luminous efficiencies than those with the encapsulation of mixed phosphors because no secondary excitation took place. The hue, CRI, and luminous efficiencies of white LEDs with double-deck phosphors under 200 mA were CIE_x,y = (0.357, 0.348), 90, and 62.3 lm/W, respectively while the hue, CRI, and luminous efficiencies of white LEDs with mixed phosphors under 200 mA were CIE_x,y = (0.366, 0.354), 89, and 56.5 lm/W, respectively.     

两种非晶碳化硅薄膜发光二极管

利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。     

High-Efficiency ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe Green Light-Emitting Diodes

Green light-emitting diodes (LEDs) were fabricated employing a ZnCdSe/ZnSSe triple quantum-well (TQW) active region surrounded by ZnMgSSe cladding layers grown on an n-type (100) GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE). A 3.5 mW pure green emission was observed for the surface-emitting LED device at a peak wavelength of 513.3 nm (2.415 eV) with a spectral half-width of 11.7 nm (55 meV) under a 20 mA (4.6 V) direct current at room temperature (25°C). These correspond to an external quantum efficiency of 7.2%, a power conversion efficiency of 3.8%, a luminous current efficiency of 66 lm/A, and a luminous efficiency of 14 lm/W.     

有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了有源层受主浓度(Pa)对InGaAsP/InP双异质发光管特性的影响。有源层受主浓度Pa≈2×1017～1×1018cm-3的器件,具有较大的光输出功率P≥1mW;截止频率fĉ为30～80MHz,并且有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。有源层浓度高于上述浓度的器件,光输出功率降低,并且具有异常的Ⅰ-Ⅴ特性。在器件光谱半宽△λ=(λ2/1.24)nkT关系式中,n值是有源层受主浓度(Pa)的函数。上述结果表明:有源层受主浓度(Pa)是影响器件特性的重要因素之一。     

1.3μmInGaAsP/InP发光管退化的研究

研究了InGaAsP/InP双异质结发光管在老化,存储过程中的退化现象及其影响因素.有快慢二种退化模式,正向I-V特性变坏是产生突然退化的最主要因素,焊料的润湿不良是导致器件退化的原因之一;在70℃,85℃老化及存储过程中,个别器件有源区内有DSD产生并长大,这并不是引起突然退化的原因.