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采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO3阳极,并研究了不同MoO3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明:采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33, 0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。 相似文献
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白光OLED微型显示器在信息显示领域具有重要的应用。采用真空镀膜系统,依次蒸镀Ag/ITO复合薄膜作为阳极结构,共蒸制备Mg∶Ag复合膜作为半透明阴极结构,NPB作为空穴传输材料和黄光主体材料,rubrene作为黄光掺杂料,AND作为蓝光主体料,DSA-Ph作为蓝光掺杂料,Alq3作为电子传输材料,以结构和工艺简化的蓝、黄光互补色来实现白光,通过共蒸发形式制备了结构为Ag/ITO/NPB/NPB∶rubrene(1.5%)/ADN∶DSA-Ph(x%/x=2,5,8)/Alq3/Mg∶Ag的白光OLED微型显示器,利用由Photo Research PR655光谱仪、Keithley 2400程控电源组成的光谱测试系统对器件的光电性能进行表征,研究了蓝光掺杂比对白光OLED微型显器性能的影响。结果表明,随着蓝光掺杂比的增加,白光OLED微型显示器的亮度先增加后降低,蓝光、黄光峰位有所偏移,色坐标发生一定的漂移,蓝光色纯度增加,可通过调控发光材料掺杂比实现白光OLED微型显示器性能的可控制备。初步优化获得的蓝、黄混合白光OLED微型显示器的器件,当驱动电压为5.0 V时,器件亮度达到3 679 cd·m-2,CIE坐标为(0.263,0.355)。 相似文献
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利用Ag/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)/Ag/Alq3/Ag这一金属/有机半导体多层结构作为阳极,实现了超低效率滚降的顶发射白光器件。在该器件中,我们在蓝光和橙光发光单元之间引入一个薄的4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-biphenyl(CBP)层,从而减少橙光发光层与蓝光发光层的Dexter能量传递,用以改善白光器件发光光谱及效率。通过优化微腔设计,实现了对橙光磷光材料发射的调控。最终,我们获得了在60 000 cd/m2亮度下效率滚降仅为17%的顶发射白光器件。在效率方面,虽然顶发射白光器件与底发射白光器件不相上下,但由于微腔效应的存在,顶发射白光器件的效率滚降却远低于底发射白光器件的效率滚降。 相似文献
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《发光学报》2017,(2)
利用两种颜色的发光层制备了光谱稳定的高效混合WOLED。其中蓝光发光层用14%质量分数的BNE掺杂在BePP_2中,橙光发光层用1%质量分数的Ir(bt)2(acac)掺杂在49.5%质量分数的NPB和49.5%质量分数的BePP_2组成的混合主体中。在不利用任何光耦合技术的条件下,器件在亮度为100 cd/m2时,功率效率可以达到39 lm/W;当亮度提高到1 000 cd/m~2时,效率仅发生轻微滚降至27.5 lm/W。器件的光谱稳定,亮度在1 000 cd/m~2和10 000 cd/m~2时,CIE坐标分别为(0.37,0.48)和(0.37,0.47)。良好的光谱稳定性归结于设计的双极性中间层平衡了其两侧激子的产生。 相似文献
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基于一种将具有电荷传输性的双极性主体材料与蓝、黄光客体材料共蒸的单层结构的同质结结构,制备了色温可调的白光有机电致发光器件(OLED)。由于不存在激子阻挡层,单层结构容易发生漏电流现象,致使OLED器件具有较高的工作电压和较低的电流/功率效率。在空穴/电子传输层进行p/n型掺杂的同质结结构则大大改善了器件性能。研究表明:该种器件结构获得了相对较低的起压5.6V,较高的电流效率2.64cd/A和低效率滚降,其色坐标则随着亮度的增加沿着普朗克轨迹变化,产生类似于太阳光的发光特性。另外,对主体材料和共蒸层的电荷载流子的传输特性和复合机制也进行了一系列分析研究。 相似文献
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为了改进白光顶发射器件的色纯度,使用高折射率的材料MoOx作为光输出耦合层,通过对器件的减反射膜厚度的优化,制作了硅基顶发射有机白光器件。器件结构为Si/Ag(60nm)/MoOx(2nm)/NPB(50nm)/DPVBi(7nm)/rubrene(0.2nm)/Alq3(43nm)/LiF(1nm)/Al(1nm)/Ag(20nm)/MoOx。并结合实验,优化了减反射膜的厚度。随着MoOx厚度的增加,在460nm左右的蓝光区域出现了一个明显的发光峰,色坐标逐渐向白光等能点(0.33,0.33)靠近,实现了对白光色度的调节,制作出了高效率的白光顶发射有机电致发光器件。 相似文献
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一种改善红光顶发射OLED色纯度及角度依赖特性的方法研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III) acetylanetonate(Ir(piq)2(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2(acac)(1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2(acac)(1%, 20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标. 相似文献
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制备并研究了基于3种小分子荧光材料的白光有机电致发光器件。发光层采用红色发光材料DCJTB掺杂绿光材料Alq3构成混合发光层,与OXD-7构成的蓝色发光层形成异质结的结构,并以NPB为空穴注入层。通过改变结构参数详细研究了发射光谱及其色坐标的电场依赖性。通过分析载流子注入/传输特性,控制激子的复合区域等措施得到了色坐标稳定性好、光谱丰富的高性能白光电致发光器件。经过优化的器件结构可以覆盖更大的可见光区域,当电压从9 V增加到13 V时,色坐标仅从CIE(x,y)=(0.364,0.314)偏移到CIE(x,y)=(0.332,0.291),具有较好的色稳定性。 相似文献
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高显色白光LED的制备及其变温特性 总被引:4,自引:2,他引:2
分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管(LED),调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。对两种样品进行光学测试,发现加绿粉的样品光通量比较大,这是因为加绿粉后绿光成分较多,而绿光的视效函数比红光的大得多。对两种样品进行10℃~90℃的变温测试,发现发光效率都降低,显色指数反而升高。发光效率降低一方面是由芯片的内量子效率降低引起的,另一方面是芯片的发射波长红移使其与荧光粉的激发波长不匹配,并且荧光粉在升温时激发效率会降低。显色指数升高是因为高温时芯片发出的蓝光光谱变宽,使得整个光谱相对于室温时的光谱更平滑,更接近太阳光谱。 相似文献
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有机电致发光器件的发光颜色与色纯度在很大程度上受材料本身的限制,而通过光学微腔效应可以从器件结构上的改变来调节色纯度。本文介绍了一种通过调节有机层厚度,从而获得高纯度单色发光器件的方法。利用这种方法制作了有机顶发射蓝光器件,器件结构为Ag/m-MTDATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al/Ag)。通过调节有机层的厚度,获得了高色纯度的发光器件,正向出射的蓝光色坐标达到了(0.14,0.07)。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670 nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一
关键词:
In掺杂ZnO薄膜
溶胶-凝胶
色品坐标
白光发射 相似文献
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《光子学报》2010,(Z1)
常用的EDA软件如HSPICE中没有顶发射有机发光器件的仿真模型,导致设计硅基有机发光器件微显示像素驱动电路时存在困难.为此,本文研究了用于微显示的顶发射有机发光器件的SPICE仿真模型,分别讨论了二极管连接的MOS管模型、单个二极管以及双二极管并联模型等方案,分析了其等效电路,同时根据顶发射有机发光器件的实验数据拟合了对应的电路参量,最后用HSPICE软件对三种模型的等效电路进行仿真和结果比较.比较发现采用二极管连接的MOS管模型得到的拟合误差最小,但仿真误差最大;采用单个二极管模型得到的拟合与仿真误差都较大;采用双二极管并联模型得到的拟合与仿真误差均较小且满足驱动电路设计的要求.结果表明双二极管并联模型可作为用于硅基有机发光器件微显示电路设计中的顶发射有机发光器件的SPICE仿真模型. 相似文献
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乔舰 殷学军 原有进 杨建成 冒立军 殷达钰 张小虎 杜衡 李小妮 李钟汕 吴波 赵贺 汤梅堂 秦元帅 石健 盛丽娜 柴伟平 申国栋 阮爽 王耿 刘杰 秦志明 王科栋 董自强 蔡付成 陈孝强 孔启宇 《原子核物理评论》2017,34(2):170-176
为了提高兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)的运行效率、改善加速器输出束流品质,并实现几个加速装置分时供束,提高整个重离子加速装置的利用率,特为(HIRFL-CSR)增建一台新的注入器--CSRLINAC。在108.48 MHz的RFQ之后的CSR-LINAC主加速段,主要由一台108.48 MHz和两台216.96 MHz的IH型漂移管直线加速器组成,用于加速荷质比为1/8.5~1/3之间的重离子,其最大的束流流强为3 mA,并将粒子从0.3 MeV/u加速到3.71 MeV/u。运用KONUS动力学原理,在满足设计指标的情况下,首先利用TraceWin程序进行中能束线MEBT设计,后针对高频腔体设计和束流匹配的基本参数的系列讨论,特别是对CSR-LINAC的中能束流匹配线、参数选择和IH型KONUS结构的漂移管直线加速器进行设计模拟优化。最终得出,在保证腔体设计指标和95.3%的传输效率的情况下,该紧凑型直线加速结构经过三个腔体的加速后,束流的纵向归一化均方根发射度增长仅有25%;同时发现,当流强达到3 mA时,存在空间电荷效应,导致其纵向相宽增长约25%,最大横向包络也存在16.5%的涨落。In order to improve the operation efficiency of the Cooling Storage Ring of Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIRFL-CSR), a heavy ion linac (linear accelerator) was proposed and designed as a new injector for HIRFL-CSR. Following the 108.48 MHz Radio-Frequency Quadrupole (RFQ), three tanks in total with Interdigital H-mode drift tube linac (IH-DTL) structure are installed to boost the beam energy from 0.3 to 3.71 MeV/u, and the beam current of ions with charge-to-mass ratio from 1/8.5 to 1/3 can reach to 3 mA. The first tank operatesat the same frequency as the RFQ, and the rest two operate at 216.96 MHz. The “Combined Zero-Degree Synchronous Particle Structure” (KONUS) beam dynamics was used in the beam dynamics design. The overview of the physics design on the main accelerating components, including RF design and beam dynamics design are introduced in this paper. The optimized structure design, fabrication status and simulation results are presented in this contribution. It shows that under the condition of assurance of 95.3% transmission efficiency, the normalized rms emittance is about 25%. When the beam current is up to 3 mA, owing to the space charge effect, the increase of longitudinal phase spread and transverse envelope are about 25% and 16.3%, respectively. 相似文献
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采用电沉积法在镍合金表面制备钼镍镀层。研究钼镍镀层的硬度、磨损质量和摩擦系数、热膨胀等性能。分别用发射光谱法、能谱法、扫描电镜法和X衍射法等对钼镍镀层进行表征。在镍合金表面镀上一层钼镍镀层,可使其的硬度和耐磨性大幅度提高并减小磨擦系数,钼镍镀层的硬度为518 HV,比镍合金的硬度(300 HV)提高了72.67%;钼镍镀层的磨损质量是镍合金的磨损质量的1/1.94;镍合金和钼镍镀层的磨擦系数分别为0.640和0.559。镍合金的物理热膨胀曲线在100~120℃温度范围和570~640℃范围形成了2个峰,镍合金+钼镍镀层的物理热膨胀曲线在570~640℃范围形成了1个峰。在570~640℃范围可明显改善其热膨胀,镍合金+钼镍镀层的物理热膨胀曲线在570~640℃范围形成的峰远比镍合金的物理热膨胀曲线在570~640℃范围形成的峰小,可能是因为钼进入到镍的晶格中,抑制了镍在570~640℃范围发生晶格转变(bcc→fcc)所致。镍合金+钼镍镀层的物理热膨胀曲线在595~625℃范围形成的小峰,可能是由于MoNi_4和MoNi由半晶型结构转变为晶型结构所致。 相似文献
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