《国外发光与电光》一九七六年分类目录

一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向(动态报导)31一低能离子电子发光(动态报导)43稀土在无机晶体中的发光48稀土在光学和发光材料中应用的理论基础4 30专题讨论会一稀土在发光中的应用446磷光体应用的最近进展533发光材料4上_发光使我们能看到看不到的东西548__研磨对硫化锌荧光粉性能的影响561-氢硫化物荧光粉(专利选报)5 74生物化学中的发光(上)6 47 二、电致发光(场致发光) 粉末薄膜材料和器件-谈场致发光器件的…     

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一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

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一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

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9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

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一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

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一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…     

在ZnS场致发光磷光体形成过程中Cu_2S相的作用

硫化锌磷光体的场致发光性能是因为在这些磷光体中有第二相——硫化铜的存在,这一推测到目前为止,无论从间接的或是直接的方面都得到了证实。在制备ZnS场致发光磷光体的过程中形成Cu_2S,现在已是无可争议的事实。可是Cu_2S参与ZnS磷光体场致发光激发过程的性质还不太清楚。 磷光体中这个相的含量和它对场致发光的作用之间的关系等有关资料可能对查明Cu_2S在场致发光磷光体中的作用有促进作     

阴极射线管用多色余辉屏

1.穿透屏的结构 人们熟知的穿透屏的原理是,经电压控制分别激发光度和色度特性不同的磷光体。 大致说,这类穿透屏含有:第一层磷光体n°1,由不发光材料组成的阻挡层,第二层磷光体n°2。低压电子束激发磷光体n°2,高压电 子束穿透阻挡层激发磷光体n°1。 2.磷光体特性 表征这种磷光体的两个主要特性是: 颜色(等值波长,xy座标) 时间响应(激发时的上升时间和激发后的衰减时间)。 -中等余辉:典型磷光体 -长余辉:雷达型磷光体 -具体时间响应特性-抗闪烁型 3.研制工作 在该研究室建立的工艺过程有可能从事由两种(有时三种)磷光体结合起来所构成的荧光屏的研制工作,这些磷光体所受的电子束激发互不相干,它们具有如下特性:     

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1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场…     

场致发光ZnS:Mn,Cu,Cl薄膜对直角脉冲激发的响应

用Cu和Mn激活的ZnS,对于直流电场激发是重要的场致发光磷光体。这样磷光体的发射光谱是由于Mn激活所产生,峰值大约在5850A。Mn发光中心的激发,一般认为是没有中心的离化。在激发过程中,Cu激活剂所起的作用还不完全了解。 Thornton最先报道了ZnS:Mn,Cu,Cl蒸发薄膜的场致发光。有些人研究了这     

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一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

场致发光ZnS:Er~(3 )薄膜的激发机理

在掺杂稀土离子的ZnS薄膜中,其发光中心为电场所激发的机理,过去认为可能有以下两种:(1)经由热电子直接碰撞激发;(2)基质晶格的碰撞离化产生了电子空穴对,继而发生从电子空穴对到发光中心的能量谐振迁移。 最近,Krupka证实了在ZnS:Tb~(3 )薄膜中的场致发光是由热电子直接碰撞而发生的。他观测了作为加在ZnS:Tb~(3 ),Ta_2O_5多层结构上的外加电压函数的荧光强度比     

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123一5一、发光的一般问题:、,。二、。*、、二 、供八~麟’一~‘硫化锌薄膜的激活_分时发射光潜的理论Thin Solid Film”,1975,25(2),_ J .Chem.Soe.Farady Trans.,2,530二 1975,71(4),773一80 zns:Cu在红色区域的发光一__第四次国际发光剂量学讨论会文集1 .2.从nC,197522(3)535 3卷红外光对ZnS:Cu场致发光单晶光谱特性 Proeeedings of the Fourth Inter一的影响 national Conferenee on Lumines一H3B.By3.中H3HRa 1975,3 .149_ cence Dosimetry.Vol 1 .2 .3.无机磷光体-硫化镐中的双激子发射线“HeoPraH二二cK二e几。MoH。中…     

稀土磷光体中X射线激发的发光

一般认为在固体磷光体中不容易或不能看到紫外发光,因为大多数磷光体在35000到60000cm-1范围内具有强烈的吸收。但在稀土磷酸盐中,强烈的吸收不是发生在35000～50000cm-1范围内,在X射线或电子束激发下,在稀土激活的磷酸盐基质中很容易观察到紫外发光。我们对稀土和锕系元素激活的稀土磷酸盐在X射线激发下的发光的研究工作重点放在工业和分析方面应用的可能性上。YPO4是一种很好的基质,在35000～55000cm-1范围内,从Ce、Pr、Nd、Tb、Er、Tm、Yb和U都观察到紫外发光。这种现象在分析方面的应用已在1973年《分析化学》 (Anal.Chem.,45,542)上发表过了。现将两种可能的应用阐述如下: 工业应用——为了有效地减少医学诊断中所用的X射线剂量,改进X射线屏磷光体相当重要。从我们对用Gd3 敏化Y/Bi/Lu磷酸盐基质中的Tb3 发光所进行的研究看     

《国外信息显示动态》1970年1—6期《国外信息显示》1970年7—9期分类目录

第一部分正文 (一)综述期页显示的应用及其技术(节译)11、28大屏幕显示(节译)129、31大屏幕显示21、13集成化固体显示5 23、31美帝大屏幕显示的研制情况8、91、6发光元件的最新进展8、951~57 (二)荧光材料葫激活A班BvO;型荧光粉的发光性质221、32游激活的几种险及硷土金属的犯酸盐及缸酸盐的的荧光 及阴极射线发光233、36无机磷光体中的三价离子237、5,发绿光的硫化锌场致发光磷光体31~9(加,Cd)(S,Se)的场致发光性质3 10”24 (三)显示方法 (1)场致发光显示平板电视屏的显象方法138~46场致发光平板显示413、23 56硫化锌直流场致发光显示一…     

ZnS直流场致发光机构

不论是薄膜还是粉末直流场致发光屏,它们的工作电压都可能比交流场致发光屏低。最近,我们能够制出工作电压低至20伏并有适当的亮度,尤其是具有很好的老化特性的薄膜发光屏。另一方面,我们在粉末直流场致发光屏方面的工作由于它的急剧老化而遇到困难。因此,很有必要更好地了解这些屏。为此,本文的目的在于研究ZnS粉末屏的形成过程,局部辐射,老化和场致发光机构。     

CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究

1.引言 Ⅱ—Ⅵ族粉末磷光体的直流场致发光(DCEL)还没有像交流场致发光(ACEI)研究得那样深入。几乎所有作过的这方面的工作都是关于ZnS:Cu、Mn粉末磷光体的DCEL的。这个事实使我们有理由对CdS粉末的DCEL感兴趣,因为CdS是著名的发光体和光导体。