双张驰振荡SQUID的磁通—电压转换系数及热噪声

本工作用数值计算及拟合方法得到了双张弛振荡ＳＱＵＩＤ（ＤＲＯＳ）的磁通－电压转换系数及磁通热噪声表达式。在欠阻尼近似下本征磁通噪声与温度的关系为Ｔ＾３／５，与张弛频率近似有ｗｃ＾－１／２的关系。     

推广模型的磁通蠕变公式

本综合比较了已有的磁通蠕变公式，用推广的磁通运动模型得到了一个新的磁通蠕变率Ｓ的表达式，通过对新的Ｓ表达式的初步讨论，对磁通里面变率随温度变化的规律提出了新的可能解释。     

EFFECT OF PHONON-ELECTRON INTERACTION ON THE PERSISTENT CURRENT IN ONE-DIMENSIONAL MESOSCOPIC RINGS

本文分别在自由电子和紧束缚近似下研究了电子－声子相互作用对一维介观圆环中持续电流的影响．研究结果表明：在自由电子近似下，圆环中的电流随电－声相互作用的增强而呈倒数关系减小．在紧束缚近似下，环中电流随电－声相互作用的增强而呈指数衰减．且电－声相互作用并不改变环中电流随磁通变化的周期性．     

利用轴线磁场方法计算两紧密串接的圆截面长直螺线管间互感公式

本文提出了计算（在不受铁磁质影响的情况下）两紧密串接的圆截面长直螺线管间互感公式的一种近似方法．主要想法是以螺线管某一横截面中心的磁感应强度近似代替此截面上各点的磁感应强度，并据此计算磁通链匝数．此外，本文还证明了这一方法的近似程度与用同一方法计算得到螺线管自感公式的近似程度是相同的，也是有效地导出这一情况下互感系数的最低阶近似．     

射频超导量子干涉器的外磁通调制测量磁通量子

在外磁通作用下射频超导量子干涉器（ＲＦＳＱＵＩＤ）超导结两边量子相位差受到调制，干涉器吸收谐振回路能量的同时也影响谐振回路，回路输出电压与外磁通为三角波曲线关系，再受静磁场作用时曲线移动，据此可磁通量子。     

交流偏置的高T_cdcSQUID的1／f噪声

我们把交流偏置反转技术应用于ｄｃＳＱＵＩＤｓ，观察了各级波形，测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下ＹＢＣＯ双品结ｄｃＳＱＵＩＤｓ磁通噪声功率谱密度曲线．交流偏置使１／ｆ噪声显著降低，在ＳＨｚ下的磁通噪声功率谱密度由１×１０－６Φ２０／Ｈｚ降到了３×１０－８Φ２０／Ｈｚ．     

应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的温度特性分析

本文计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度．首次用解析的方法研究了它们与Ｇｅ组份ｘ和温度Ｔ的依赖关系．我们发现，随Ｇｅ组份ｘ的增加，由于Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中应力的影响，导带和价带有效态密度随之快速减少，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加．而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少得越快，而本征载流子浓度上升得越快．同时，我们还发现，具有大Ｇｅ组份ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ的相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积与温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组份ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数与温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中它们于温度依赖关系的定性研究结果相一致．本文得到的定量结果对探索应变ＳｉＧｅ层的物理性质、对应变ＳｉＧｅ层基器件的设计、模拟及对低温ＳｉＧｅ器件物理的理解有重要意义．     

介观超导体中的顺磁迈斯纳效应

在临界温度Ｔｃ以下,超导体将磁通排出体外的现象被称为迈斯纳效应．对于第二类超导体,磁通可以部分地穿透,但总的来说,材料仍然是抗磁性的．然而,在高温超导（ＨＴＳ）的研究中人们发现：某些高度无序的ＨＴＳ材料对弱场表现出顺磁响应,这就是所谓顺磁迈斯纳效应（ＰＭＥ）．对于ＰＭＥ,某些理论认为,它是源于ＨＴＳ波函数的ｄ波对称性．为了验证这类对称性,ＩＢＭ华生研究中心的Ｋｉｒｔｌｅｙ等曾将各种ＨＴＳ材料制成三晶介观环（直径～５０μｍ）,并测试其磁性．介观环的外延衬底是三晶ＳｒＴｉＯ３晶体．每个三晶环均跨越衬…     

不在“大数近似”下推导粒子三种分布

本文不用“大数近似”（ＬＮＡ），而在平均值的基础上为费米子、玻色子和玻尔兹曼粒子的分布提供一种新的推导方法．这个推导只用到传统的组合方法，其物理内容的适用性并不依赖于最可几值和“大数近似”方法的运用．本方法的基础，是把密度矩阵的本征值作为香农（Ｓｈａｎｎｏｎ）熵中的几率，把密度矩阵本征值的简并度与玻尔兹曼的计数因子（ｅｎｕｍｅｒａｔｉｏｎ　ｆａｃｔｏｒ）等同起来，因此避免了诸如与最速下降法、极限过渡技巧和玻尔兹曼热力学几率相关的问题．此外，本方法立足于密度矩阵的本征值，也不需用到系综的概念．     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

质子和α粒子与类氢离子碰撞中电子俘获截面的联合原子模型计算

本文用前文发展起来的“联合原子”(unitedatom)模型,选用两态正交基展开碰撞参数波函数,对H~+和α粒子与类氢离子He~+、Li~(2+)、Be~(3+)、B~(4+)、C、~(5+)、N~(6+)和O~(7+)碰撞中的电子俘获截面进行了计算,我们的理论俘获截面与其它理论结果进行了比较,为入射离子是质子时,我们的结果与Sturmian近似的结果很好地一致;当入射离子是α粒子时,现在的结果与CDW近似一致。我们还讨论了现在所得结果的俘获截面的张弛特性,并且发现本文结果很好地遵从OBK近似的张弛规律     

弱磁场测量技术进展

本文简述了无定向磁强计、感应线圈磁强计、质子磁强计、光泵磁强计、磁通门磁强计、超导量子磁强计等几种弱磁场测量仪器的特点和现状，重点评述了磁通门技术、高温ＳＱＵＩＤ技术等的最近发展，介绍了弱磁场测量技术的典型应用．     

高温超导体脉冲磁化过程中的磁热不稳定性

该主要研究了高温超导体在脉冲磁场中的磁热稳定性，与传统低温超导体相比，ＨＴＳ所不同的是最不稳定的状态发生在磁通跳跃区，理论上借助Ｅ－ｊ曲线和有限热扩散方程推导了磁通跳跃场与变场速率的关系表达式：Ｂｊ＝Ｆ其规律基本与实验结果相符合，同时从实验中发现磁热不稳定性对永磁体脉冲磁化效果有巨大的影响。     

Bi2Sr2—xLaxCuO6薄膜的热激活磁通耗散行为

利用不同磁场下的Ｒ－Ｔ曲线，得到了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６薄膜的上临界场Ｈｃ２，讨论了热激活磁通蠕动对上临界场Ｈｃ２的影响。用热激活磁通蠕动理论解释了磁场下Ｒ－Ｔ曲线的展宽效应，得到激活能对温度的线性变化关系，对磁场的指数变化关系。     

热噪声作用下损耗模式RF—SQUID磁通跃迁性质的研究

本文从能量角度讨论了损耗模式 RF-SQUID 特性及磁通跃迂几率的性质,得到了器件正常工作时所需的条件,分析了磁通跃迁与温度及 SQUID 环路参数的关系,并得到了有意义的结论,最后由此求出了磁通跃迂时间.     

介观圆筒持续电流——紧束缚近似下的严格解

证明了含Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ型磁通的空心圆筒中环行电流的单电子理论计算公式，它与圆筒形状及载流子属性（电荷与质量）无关，在紧束缚近似下采用完整晶体模型求得能量和电流的严格解，并研究了电流随磁通变化的周期往，以及持续电流的幅值随筒高与筒厚增大的可能性，获得一系列新结果。 关键词：     

二维磁通随机钉扎系统动力学行为的数值模拟

本文利用数值模拟的方法,研究在Ｌｏｒｅｎｔｚ 驱动力作用下,随机钉扎环境中运动的二维磁通点阵的动力学行为．通过对不同随机分布点钉扎中心密度和不同磁通间相互作用强度的研究,发现磁通点阵存在从弹性区向塑性区的渡越（ｃｒｏｓｓｏｖｅｒ） , 并且这种渡越强烈依赖于磁通之间及磁通与钉扎之间的相互作用．随着钉扎中心密度的增加及磁通间相互作用强度的减弱,临界钉扎力增强．模拟结果与最近实验结果定性一致．部分结果偏离集体钉扎理论     

氧化物超导体的磁通动力学

考虑到氧化物高温超导体与传统超导体磁性质之间的不同之处，文章从不可逆线的解释，Ａｎｄｅｒｓｏｎ模型的一种修正方案以及对Ｓ－Ｔ关系曲线的解释等三个方面对高温超导体的磁通动力学行为作了简要的介绍。     

熔融织构YBCO超导永久磁体中俘获磁感应强度随时间的变化

在小电流的情况下，必须考虑磁通的前后跳跃，磁通流动密度可以近似为常数。在液氮工作温度下，磁通运动方程可以简化为标准热传导方程。对于平板和圆柱体边界条件和样品内部磁感应强度均匀分布的初怒始条件，得到了俘获磁感应强度在空间分布和随时间变化的解析解。     

重味展开下的0~－重介子束缚态

用瞬时近似下的Ｂｅｔｈｅ－Ｓａｌｐｅｔｅｒ（Ｂ－Ｓ）方程，讨论了０－重介子束缚态．运用重味质量展开方法求解方程，计算了一级近似下Ｄ±，Ｄ０，Ｂ±，Ｂ０介子的质量，与实验数据和其它求解方法的计算结果作了比较．