Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系（Li_1.1（Zn_1-xCr_x）As）（x=0.1） 的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.     

ZnO本征缺陷的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者     

关于氧化硅烯结构和电子性质的第一性原理研究

利用基于广义梯度近似的密度泛函理论,本文研究了二维氧化硅烯的几何结构和电子特性.结果显示,随着氧含量的增加,氧原子更加倾向于以-（Si2O2）x-键的形式排列在硅烯表面.每一个-（Si2O2）x-键都会使临近氧原子的六个硅原子处在同一表面,并且四个Si-O键构成一个与之相垂直的平面.当所有的硅原子都转化成sp3杂化后,氧化硅烯会形成最稳定的全氧化结构并具有0.46 eV的带宽.部分氧化的硅烯结构具有从0.30 eV到0.38 eV的较小带宽,这些较小的带宽非常吻合较早时的关于氧化硅纳米带的带宽的实验数值（0.35 eV）,并且说明离子化的Si-O键和共价性的Si-Si键共存导致了较小带宽的出现.     

铜纳米薄片双轴应变弹性响应的第一性原理研究

近年来,在纳米尺度的研究中应用到很多表面的技术和概念.然而,以往针对表面的研究中对象为单晶块体样品,这些研究结果将不再适用纳米材料.为了研究表面对纳米体系弹性响应的影响,选取较为简单的铜纳米薄片为研究对象,构建了铜（111）面和（001）面的薄片模型,使用第一性原理方法计算了铜纳米薄片的双轴泊松比,分析了纳米薄片与体材料的差异,研究不同厚度纳米薄片中表面对内层原子的影响.计算结果显示,表面原子层的双轴泊松比大于内部原子层,并且其收敛速度和数值大小均和薄片取向有关.根据双轴泊松比随厚度的变化特性,可以得到不同取向的纳米薄片中表面对弹性响应的临界厚度.     

锯齿型石墨烯纳米带用于锂硒正极材料性能的第一性原理研究(英文)

硒-石墨烯体系是一种新型的锂离子电池正极材料, 引起了广泛的关注. 通过第一性原理的计算, 发现单个Se原子和Sen (n=2,3,4,6,8)团簇都更偏向于吸附在锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)的边缘位置. 此外, 研究了锂吸附在Sen@ZGNRs (n=1,2)上的理论容量. Se1@ZGNRs系统显现出比Se2@ZGNRs更好的容量. 本文不仅从理论上阐述了Li、Se原子与ZGNRs之间的吸附行为, 而且从Se原子数的角度出发, 为提高锂硒正极材料的性能提供了新的策略.     

三氧化钼薄膜的制备和结构研究

采用溶胶－凝胶法成功制备了三氧化钼（MoO3)薄膜，首先，以CH3COCH2COCH3，MoO3,C6H5CH3和HOCH2CH2OCH3为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶。凝胶的热重和差热分析（TG－DTA）显示三氧化钼的晶化出现在508℃附近的140℃范围内。其次，利用旋转涂布法在硅（111）基片上通过450℃退火处理制备了三氧化钼薄膜。XRD和FTIR谱表明薄膜为α－MoO3相。SEM形貌像显示薄膜中晶粒分布均匀致密，在基片表面无择优取向；晶粒尺度范围在0．5－1μm之间。     

余弦小波的双正交性和窗口函数的构造

余弦小波适合于拟合、模仿和合成,常应用于语音分解和合成,对象分类和识别等,本文讨论双正交余弦小波的窗口函数,建立具有重叠窗口的余弦小波的双正交性和Parseval等式．     

关于不完全r-自正交拉丁方的存在性

如果2个n阶不完全拉丁方重叠后正好产生r个不同的有序对，则称它们是，r-正交的，记作r—IMOLS（n，u），其中u为缺少的子拉丁方的阶数．进一步，如果第2个拉丁方是第1个拉丁方的转置，则称它们是，r-自正交的，记作r—ISOLS（n，u）．本文给出当u∈{1，2，3，4}时，r—ISOLS（4m＋u，u）的存在性．     

Banach空间Cp中Birkhoof正交性的两个刻画

研究了Banach空间Cq中两元素A和B在Birkhoof意义下正交的条件，利用算子A的极分解A=U｜A｜，证明：当1〈p〈∞时，A正交于B的充要条件是tr（｜A｜^p-1 U＊B）=0；利用端点概念，证明：当1〈p〈∞时，A正交于B当且仅当存在Cq的单位球的一个端点F满足tr（FA）=‖A‖p且tr（FB）=0。特别，两个紧算子A正交于B的充分必要条件是存在一个单位向量x∈H满足‖Ax‖=‖A‖及〈Ax，Bx〉=0。     

跳点搜索算法的原理解释及性能分析

给出了跳点搜索(Jump Point Search,JPS)算法的原理,分析了邻居裁剪规则,并试着用图来解释该算法而不诉诸于其原始研究论文中提出的基本数学证明.通过3个实验综合分析了JPS的性能优势,实验结果表明同等地图尺寸下JPS扩展的节点数与障碍物密度成正比,与查看的邻居数成反比;随着地图尺寸的增加,JPS相比于其他典型寻路算法,在时间效率上优势更加显著;地图环境的对称性越高,JPS较之于A~*的优势越明显.总之,JPS保持了A~*的最优性,可将A~*提速一个数量级甚至更多,该算法更适合需要快速寻路的领域.     

三相交流电的相序与可控硅触发电路相序相位调节原理

<正> 一、三相交流电的基本特性及其相序关系目前我国的供电都是采用“三相三线制”或“三相四线制”,并规定每相供电频率为50赫芝。三相交流电有如下几个基本特性: (一)三相交流电是按相序排列的     

羧基膦酸改性氧化锆固定相的制备及其色谱性能

用十二胺-N乙酸-N亚甲基膦酸（DAPA）改性氧化锆制备了一种新的锆基质色谱固定相（DAPAZ），研究发现，DAPA在氧化锆表面有两种结合方式：红外光谱中1611cm^-1处的特征吸收表明羧基主要与胺基形成偶极离子，以羧酸根离子形式存在，大部分的DAPA分子通过膦酸基团与氧化锆结合；而与钼酸的显色反应则表明有少量DAPA以羧居与氧化锆结合，另外，对固定相的屏蔽效应、碱性条件（pH9．5）下的稳定性等色谱性能的研究也证实这两种吸附方式同时存在，但以膦酸基结合为主。     

CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。     

基于正交试验的高铁轴承内圈冷辗扩壁厚均匀性优化分析

为提高高铁轴承内圈冷辗扩成形壁厚均匀性, 应用ABAQUS软件建立高铁轴承内圈非对称冷辗扩有限元模型, 并进行了相关模拟. 基于正交试验方法, 以冷辗扩成形后轴承内圈的壁厚均匀性为试验指标, 获得了芯辊初始进给速度(A)、锥辊转速(B)和驱动辊转速(C)对壁厚均匀性的影响规律, 并利用极差分析法和方差分析法对轴承内圈冷辗扩工艺参数进行优化. 研究结果表明, 工艺参数对内圈壁厚均匀性影响的主次顺序为 , 并得到了最佳工艺参数组合.     

光降解性丙烯酸系高吸水树脂的合成及其性能

针对丙烯酸系高吸水树脂在自然界存在可降解性差的问题,通过在淀粉接枝丙烯酸系高吸水树脂上负载纳米级TiO_2提高树脂在自然界中光降解能力.实验结果表明:采用Span-80为分散剂,反应体系最稳定;相同的光照时间和光照强度下,当淀粉用量(相对于丙烯酸+丙烯酰胺总质量)为35%,TiO_2粒径为18.7nm,TiO_2用量(相对接枝树脂质量)为4%时,树脂的吸水倍率最高达695,自然光照30d内接枝树脂降解率达75%以上.纳米TiO_2的引入有效提高了树脂的光降解性能.     

新型固相光度法测定痕量铅的研究

系统研究了Ｐｂ（Ⅱ）－ＫＩ－罗丹明Ｂ显色体系在石蜡相中的显色反应。在硫酸介质中,石蜡能定量吸附此离子缔合物,铅量在０￣１０μｇ／２５ｇＬ范围内符合比尔定律,线性回归方程为ｙ＝０．０４３ｘ＋０．０８３,相关系数ｒ＝０．９９１０,方法应用于实际样品中痕量铅的测定,结果满意。     

黄铜选择性溶解固相扩散机理的研究

采用恒电位暂态和旋转盘环电极等方法研究了α、α＋β以及β黄铜在硫酸钠、硫酸以及氯化钠的稀溶液中的阳极溶解过程．结果表明，在黄铜阳极溶解的初始阶段测得的ｉ－ｔ曲线遵循抛物线定律，求得ｉ－ｔ为一通过坐标原点的直线，证明了黄铜中锌的选择性溶解受固相扩散控制，计算出在上述溶液中黄铜中锌的扩散系数值在１０－１５～１０－１３ｃｍ２·ｓ－１数量级，介质成分和微量合金元素砷对扩散系数值有明显的影响．