巨磁阻效应实验数据处理

阐述了巨磁电阻效应实验原理,测量了不同外磁场和工作电压下巨磁阻传感器输出电压的变化,研究了巨磁阻传感器输出电压与偏离角度关系,对原线圈轴线上某点磁场随电流的变化进行了测量,把实验值与理论值进行比较,发现误差较小。     

获得巨磁阻效应对称曲线的实验方法

探究了不同实验操作方法以及不同样品电流对锰氧化物巨磁阻效应实验曲线对称性的影响.实验发现增大样品电流能获得对称性更佳的曲线.     

利用巨磁阻效应测量地磁场水平分量

将四个巨磁效应电阻连成单臂电桥制成传感器,使之固定于亥姆霍兹线圈中心,改变线圈上的励磁电流强度使电桥阻值发生变化,获得电桥输出电压与亥姆霍兹线圈磁感强度的线性关系。在测量系统工作状态下,使测量系统沿水平方向旋转,即改变线圈磁场与地磁场水平分量间的夹角,可观测到传感器输出电压发生变化从而测量地磁场水平分量的值。     

基于赫斯勒合金Co2MnSi电极的磁性隧道结呈现巨磁阻效应

本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO₂薄层被夹在两个赫斯勒合金Co₂MnSi电极之间)的自旋极化输运特性. 理论计算结果清楚地表明磁平行组态的磁性隧道结呈现出几乎完美的自旋过滤效应. 磁反平行组态的隧穿系数比磁平行组态的隧穿系数小几个数量级,导致体系的磁阻比高达10⁶. 电子结构计算分析表明该磁性隧道结的巨磁阻效应源自赫斯勒合金Co₂MnSi电极内在的半金属性、以及阻挡层和电极之间界面处过渡金属原子3d电子的显著自旋极化.     

磁阻效应实验曲线拐点的确定

在磁阻效应实验中,相对磁阻变化曲线的非线性和线性部分的拐点是人为判断的,具有较大的不确定性.本文采用循环迭代的方法,在假定拐点的情况下,精确的确定拐点,使得实验曲线的非线性部分和线性部分能够同时得到最大程度的拟合。     

基于赫斯勒合金Co_2MnSi电极的磁性隧道结呈现巨磁阻效应（英文）

本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO_3薄层被夹在两个赫斯勒合金Co_2 MnSi电极之间)的自旋极化输运特性.理论计算结果清楚地表明磁平行组态的磁性隧道结呈现出几乎完美的自旋过滤效应.磁反平行组态的隧穿系数比磁平行组态的隧穿系数小几个数量级,导致体系的磁阻比高达10~6.电子结构计算分析表明该磁性隧道结的巨磁阻效应源自赫斯勒合金Co_2MnSi电极内在的半金属性、以及阻挡层和电极之间界面处过渡金属原子3d电子的显著自旋极化.     

巨磁阻抗效应实验研究

利用物理实验室中常见的设备,搭建了一组巨磁阻抗效应实验装置,测量了在不同轴向外磁场及不同频率下钴基非晶态软磁合金细丝的阻抗.阻抗实部虚部均随外磁场增大迅速减小,而随频率增大缓慢增大.与交流阻抗的电磁理论比较,该实验结果与理论一致.实验观察到在40 MHz的频率、10 mT外磁场中阻抗变化达80%.根据数据和理论公式拟合,发现材料复磁导率随磁场强度增大迅速减小.     

SnSe_2的忆阻及磁阻效应

忆阻和磁阻效应在当前电子信息存储领域都有着广泛的应用.近年来,硫族化合物SnSe_2作为一种同时具有忆阻与磁阻效应的存储材料,受到广大科研工作者的关注,该材料的电输运机理的深入探索具有十分重要意义.本文采用熔融法结合放电等离子烧结技术成功制备了高纯度的SnSe_2块体材料,测量了不同温度、不同磁场条件下的电流-电压特性曲线,系统地研究了其忆阻与磁阻效应.研究表明:不同温度下的忆阻特征可被归结为缺陷控制下的空间电荷限制电流效应;温度降低导致忆阻现象减弱,这与低温下杂质电离较弱导致可接受注入载流子的缺陷变少从而空间电荷限制电流效应变弱有关.同时发现,样品在低温下呈现较大的负磁阻效应,这是因为在低温下杂质散射占主导作用,电子在传导时会受到杂质的多重散射导致载流子局域化,负磁阻效应与磁场对载流子局域化的抑制作用有关;随着温度升高,散射机制逐渐由杂质散射转变为晶格散射为主,负磁阻效应逐渐转变为正磁阻效应.     

非线性响应对巨磁阻的影响

从非线性Kubo公式出发,计算了磁三明治结构的巨磁阻效应.通过考虑 电子运动垂直平面方向,自旋反射和界面处导电电子的散射作用,研究了电流在平面的巨磁 阻量子效应,发现非线性效应在不同程度上影响巨磁阻效应.在零温附近,温度参数对巨磁阻影响很小,而外场偏压的影响相对较大.     

La_（2／3）Ca_（1／3）MnOz薄膜中的巨磁阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（１００）衬底上首次成功地制备了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯｚ薄膜，Ｘ－射线衍射结果表明该膜具有良好的（１００）择优取向，并首次观察到十分明显的巨磁阻效应，在６个特斯拉磁场下，室温时的磁阻比为６％，而７８度Ｋ时竟高达２５００％，文中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论。     

磁性层状结构巨磁阻的解析理论

最近实验观察到(Fe/Cr)等铁磁-非磁层状材料的铁磁层之间存在反铁磁耦合和具有引人注目的巨磁阻效应。本文运用对称性和界面和表面的边界条件,解析求解半经典的玻耳兹曼输运方程,获得了巨磁阻的解析表达式代替了常用的数值计算工作。我们的理论结果能重现巨磁阻的主要实验特征,包括巨磁阻随外磁场变化的关系和与温度变化的关系。进而我们对磁阻的多层效应(巨磁阻随多层基元数目增加而增大)做了理论解析处理工作和进行解释,考虑的机理是自旋有关的界面粗糙度的增加和有效表面散射的减小。理论结果与(Fe/Cr)_n/Fe多层材料的实验数据很好符合。     

用Origin7.5软件处理半导体磁阻效应的实验数据

使用Origin7.5软件对半导体磁阻效应的实验数据进行计算、绘图和拟合,并与传统的手工方法进行比较和分析。结果表明,使用Origin7.5软件计算数据快速、准确;所绘图形的散点定位精确,散点连线受人为因素影响小;所拟合的直线、曲线与手工拟合结果非常的吻合,并能准确绘制出拟合直线(曲线),使拟合结果更为形象、直观。     

奇妙的巨磁阻及其高技术应用

 很多金属材料具有磁阻,它们的电阻随外加磁场而变化。近年来,随着一些新材料的研制,发观不少材料比已经应用材料的磁阻值增大很多,称为巨磁阻效应。同时,采用巨磁阻材料制成的传感器、磁记录、磁存储等部件的性能也有很大的提高。因此,吸引了很多研究者的极大注意。     

L12／3Ca1／3MnOz薄膜中的巨磁阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２衬底上首次成功地制备了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯｚ薄膜，Ｘ－射线衍射结果表明该膜具有良好的择优取向，并首次观察到十分明显的巨磁阻效应，在６个特斯拉磁场下，室温时的磁阻比为６％，而７８度Ｋ时竟高达２５００％，中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论     

Co-SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co-SiO2颗粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO2)65(体积百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率-温度关系曲线分析,在铁磁金属-非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外,可能还存在其他的导电机制.     

Excel最小二乘法在磁阻效应实验中的应用

通过Excel软件实现最小二乘法应用于磁阻效应实验中,避免了传统实验处理数据方法的弊端,使数据处理更加准确、高效,也使教学过程具体、形象,提高了教学、学习的效果和质量.     

基于巨磁电阻效应的多功能测量仪

利用巨磁电阻传感器设计了多功能测量仪器,实验表明该测量仪能够精确测量物体的转速和转角,直观地演示行驶车辆对地磁场的扰动.     

纳米微粒系统中的巨磁电阻效应

重点介绍含有铁磁纳米微颗粒系统中的巨磁电阻效应，例如颗粒膜，快淬纳米复相固体居磁电阻效应与铁磁组成，颗粒尺寸，形状的依赖性。     

K-means均值聚类算法在磁阻效应实验中的应用

对磁阻效应作用原理和磁阻传感器原件的应用进行了介绍,并借鉴数据挖掘技术提出了一种利用曲率及K-means均值聚类算法对磁阻效应实验数据进行分析处理的方法,结果显示该方法具有高精确度、人为因素小、直观性强的优点.