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本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO2薄层被夹在两个赫斯勒合金Co2MnSi电极之间)的自旋极化输运特性. 理论计算结果清楚地表明磁平行组态的磁性隧道结呈现出几乎完美的自旋过滤效应. 磁反平行组态的隧穿系数比磁平行组态的隧穿系数小几个数量级,导致体系的磁阻比高达106. 电子结构计算分析表明该磁性隧道结的巨磁阻效应源自赫斯勒合金Co2MnSi电极内在的半金属性、以及阻挡层和电极之间界面处过渡金属原子3d电子的显著自旋极化. 相似文献
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在磁阻效应实验中,相对磁阻变化曲线的非线性和线性部分的拐点是人为判断的,具有较大的不确定性.本文采用循环迭代的方法,在假定拐点的情况下,精确的确定拐点,使得实验曲线的非线性部分和线性部分能够同时得到最大程度的拟合。 相似文献
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《物理学报》2020,(11)
忆阻和磁阻效应在当前电子信息存储领域都有着广泛的应用.近年来,硫族化合物SnSe_2作为一种同时具有忆阻与磁阻效应的存储材料,受到广大科研工作者的关注,该材料的电输运机理的深入探索具有十分重要意义.本文采用熔融法结合放电等离子烧结技术成功制备了高纯度的SnSe_2块体材料,测量了不同温度、不同磁场条件下的电流-电压特性曲线,系统地研究了其忆阻与磁阻效应.研究表明:不同温度下的忆阻特征可被归结为缺陷控制下的空间电荷限制电流效应;温度降低导致忆阻现象减弱,这与低温下杂质电离较弱导致可接受注入载流子的缺陷变少从而空间电荷限制电流效应变弱有关.同时发现,样品在低温下呈现较大的负磁阻效应,这是因为在低温下杂质散射占主导作用,电子在传导时会受到杂质的多重散射导致载流子局域化,负磁阻效应与磁场对载流子局域化的抑制作用有关;随着温度升高,散射机制逐渐由杂质散射转变为晶格散射为主,负磁阻效应逐渐转变为正磁阻效应. 相似文献
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从非线性Kubo公式出发,计算了磁三明治结构的巨磁阻效应.通过考虑 电子运动垂直平面方向,自旋反射和界面处导电电子的散射作用,研究了电流在平面的巨磁 阻量子效应,发现非线性效应在不同程度上影响巨磁阻效应.在零温附近,温度参数对巨磁阻影响很小,而外场偏压的影响相对较大. 相似文献
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最近实验观察到(Fe/Cr)等铁磁-非磁层状材料的铁磁层之间存在反铁磁耦合和具有引人注目的巨磁阻效应。本文运用对称性和界面和表面的边界条件,解析求解半经典的玻耳兹曼输运方程,获得了巨磁阻的解析表达式代替了常用的数值计算工作。我们的理论结果能重现巨磁阻的主要实验特征,包括巨磁阻随外磁场变化的关系和与温度变化的关系。进而我们对磁阻的多层效应(巨磁阻随多层基元数目增加而增大)做了理论解析处理工作和进行解释,考虑的机理是自旋有关的界面粗糙度的增加和有效表面散射的减小。理论结果与(Fe/Cr)_n/Fe多层材料的实验数据很好符合。 相似文献
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很多金属材料具有磁阻,它们的电阻随外加磁场而变化。近年来,随着一些新材料的研制,发观不少材料比已经应用材料的磁阻值增大很多,称为巨磁阻效应。同时,采用巨磁阻材料制成的传感器、磁记录、磁存储等部件的性能也有很大的提高。因此,吸引了很多研究者的极大注意。 相似文献
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L12/3Ca1/3MnOz薄膜中的巨磁阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射法在ZrO2衬底上首次成功地制备了La2/3Ca1/3MnOz薄膜,X-射线衍射结果表明该膜具有良好的择优取向,并首次观察到十分明显的巨磁阻效应,在6个特斯拉磁场下,室温时的磁阻比为6%,而78度K时竟高达2500%,中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论 相似文献
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对磁阻效应作用原理和磁阻传感器原件的应用进行了介绍,并借鉴数据挖掘技术提出了一种利用曲率及K-means均值聚类算法对磁阻效应实验数据进行分析处理的方法,结果显示该方法具有高精确度、人为因素小、直观性强的优点. 相似文献