高Tc氧化物YBa2Cu3Oy超导体中的磁通蠕动

利用观察磁化随时间变化的方法研究了高T_c氧化物YBa₂Cu₃O_y超导体临界态的磁通蠕动。实验结果表明,零场冷却的样品,加一个所选定场值的磁场,产生的磁化随对数时间线性衰减,同时伴随有磁通跳跃的发生。磁化衰减速率dM/dlnt随外场H的变化在H=3H_P附近有一峰值,并认为与弱连结超导电性的存在有关。在77K以上温度,dM/dlnt随温度的升高而单调减小。讨论了钉扎磁通的热激活能U_{0关键词：}     

弱场下熔融织构YBa2Cu3O7-δ样品局域磁通蠕动的实验研究

利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa₂Cu₃O_7-δ样品的局域磁通蠕动行为.对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量,观察到了对数时间磁弛豫的行为,发现由加场和去场数据所得的激活能U₀有明显的不同.磁滞回线测量中,局域点的磁场随外场几乎同步变化,不同扫场速率下局域磁场随外场变化的差别不大.实验结果表明,外场除对样品侧面外,对端面也有明显的穿 关键词： 局域磁通蠕动 激活能 磁弛豫     

YBa2Cu3O7-δ外延薄膜的不可逆线与磁通玻璃线

在0—10T磁场范围内,系统地测量了YBa₂Cu₃O_7-δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的R-T曲线和I-V曲线, 并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较.结果表明, 由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的H∝(T(0)-T(H))ⁿ 关系.对于不可逆线, n=3/2,对于磁通玻璃线,n=4/3.不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关,磁通玻璃线位于不可逆线的下方.探讨 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ超导厚膜在35GHz频率的毫米波表面电阻

银为隔离层、工作频率为35GHz和模式为TE_(011)的铜谐振腔研究YBa_2Cu_3O_(7_δ)超导厚膜的毫米波表面电阻。应用电泳技术在银衬底上沉积YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜,经机械加工和精细的表面抛光后作为圆柱型腔的两端面。测量两瑞面为YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜的腔和铜腔的Q值,计算得到35GHz,77K温度下YBa_2Cu_3O_(7_δ)导厚膜的表面电阻R_5为21.88mΩ,低于同样条件下纯铜的值。YBa_2Cu_3O_(7_δ)从正常态经过T_c进入超导态,穿透深度的变 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ中正交-四方相变的级次

研究了YBa₂Cu₃O_7-δ正交相和四方相中氧在Cu(1)-O基平面上跳动引起的两低频内耗峰;研究了在正交-四方相变过程中它们随氧含量的变化规律,并据此分析了YBCO中正交-四方相变的级次,认为在～200℃该相变实际上可能是一个一级相变。 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ超导体氧缺陷的正电子寿命谱

系统研究了不同氧缺陷的YBa_2Cu_3O_(7-δ)(δ=0.06—0.68)超导体正常态(300K)和超导态(77K)下的正电子寿命谱,利用两态捕获模型对实验结果进行了分析,计算了相应的局域电子密度n_c和空位浓度C_v随氧缺陷δ的变化,给出了氧缺陷YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系的正电子湮没特征,讨论了相应的正电子湮没机制以及与超导电性之间的关联。 关键词：     

YBa2Cu3O7-y超导体的50Hz交流损耗研究

利用瓦特计技术,研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)烧结样品和粉末熔化法(PMP)织构样品在77K和50Hz交变磁场下的交流(ac)损耗(?)实验结果表明,ac损耗(?)同外磁场振幅H_m之间遵从幂函数规律:(?)∝H_m~n对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的烧结样品:(1)当H_m<40Oe时,这样低的磁场已穿透弱连接的晶粒边界网络,导至晶粒间的损耗,(?)∝H_m~(1.6)(2)当40Oe≤H_m<170Oe时,中等磁场破坏了晶粒间的耦合,并且磁通穿进了晶粒内,引起不完全穿透的晶粒内损耗,(? 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ外延薄膜的有效钉扎势

在0—7T磁场范围内，测量了不同测量电流密度下YBa₂Cu₃O_7-δ外延薄膜的电阻温度关系.实验结果表明，临界温度以下，混合态的耗散电阻率能很好地用热激活磁通蠕动描述.有效钉扎势的电流密度关系遵守Zeldov等人提出的对数关系，有效钉扎势的温度和磁场关系遵守U∝(1-T/T_c)H^-α关系，其中α=0.63，与热激活磁通点阵位错运动模型相一致，表明样品具有2D涡旋性质. 关键词：     

Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ体系中的离子价键特性与超导电性

基于中子散射实验结果,应用键价计算方法研究了Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7-δ(x=0,0.2,0.4,0.6)体系中离子的价键特性。对Cu(1),Cu(2)及Y(Pr)的键价和计算结果表明,Cu(2)的键价和与超导临界温度(T_c)之间存在着强烈的关朕。在氧含量基本保持不变的情况下,随Pr含量的增加,体系中电荷分布发生改变,Cu(1),Cu(2)的键价和下降,Y(Pr)的键价 关键词：     

Y1-xPrxBa2Cu3O7+δ的红外反射谱

测量了温度范围为4.2—300K的Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa₂Cu₃O_7+δ中已被判定为Y模的位于194cm^-1的反射峰的位置与Pr的含量无关,即用Pr部份或全部替代Y时此峰不发生频移。建议Pr在Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ,中是正4价,Pr的替代使原来可移动的空穴被定域在Pr的周围,使超导电性受到压制。 关键词：     

Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体磁通钉扎能的分布

描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U₀及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O_y的U₀值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U₀值的分散性提出一种新解释。 关键词：     

YBa2Cu3O6+δ的高频模及其随氧含量δ的变化

在中国原子能科学研究院新建的宽角(～30°)Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪上,在入射中子能量从10直至150meV的范围内,测量了几种不同氧含量的YBa₂Cu₃O_6+δ样品的中子非弹性散射能谱。结果表明:(1)在δ=0和0.2时,在60至150meV能量范围内,发现有强的高频模存在,当其温度高到Nel点(～410K)以上直至466K时,没有观察出高频模强度的减弱。而δ=0.78和0.97时,在75至150meV能量范围内,散射强度在测量误 关键词：     

Zn取代Cu抑制YBa2Cu3O7-y超导电性的机理研究

通过精心制备样品,系统地研究分析YBa₂Cu₃O_7-y体系的超导转变、电阻率、热电势、晶体结构,以及氧含量等随Zn浓度变化的规律。并指出,Zn取代Cu导致CuO面上Cu的数目减少,载流子浓度下降;正是以Zn杂质为中心的正常芯及随之产生的渗流性破坏抑制了YBa₂Cu_3-xO_7-y的超导电性;以Zn杂质散射为基础的渗流超导电性模型与实验结果一致。     

Ca、Ce掺杂对Y1Ba2Cu3O7-δ的超导电性及其晶格结构的影响

本文采用柠檬酸热分解法成功制备出了Y1-xCax(Ba1-xCex)2Cu3O7-δ(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)的一系列样品.我们采用标准的四端引线法对系列样品的超导电性进行了测量,测量结果表明:随着掺杂量x的不断增加,Y123的起始转变温度Tonset和临界转变温度Tc都在逐渐降低.利用X射线衍射仪对系列样品的晶格结构进行了表征分析,测量结果充分验证了上述结论,同时我们也简单阐述了Y123的晶格结构是如何影响其超导电性的.     

YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较. 关键词：     

GdBa2Cu3O7-δ单晶的各向异性研究

本文报道了对GdBa₂Cu₃O_7-δ单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除T_c附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T+BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,T_ce⊥比T_ce∥低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76％。 关键词：     

典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性

通过制备（ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇）_1-x（Ｖ₂Ｏ₅）_x（０≤ｘ≤０．１５）复合材料，获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体，其中以ｄＲ／ｄＴ－Ｔ关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变，第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品，其临界电流密度一致地符合ｉ_c～（１－ｔ）^ｎ，ｎ＝１．６．这一行为与三维Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结网络系统的渗流行为相一致；对于不具有双峰转变的系统，临界电流密度随温度的变化尽管也可以用ｊ_c～（１－ｔ）^ｎ描述，但是幂指数ｎ明显地大于１．６，且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ薄膜热激发磁通蠕动研究

本文选择两块零电阻温度分别为82K和71K超导性能不同的薄膜样品,同步进行了电阻在外磁场中展宽的测量,并用Palstra所提出的Arrhenius定律研究两样品热激活能的差别。实验发现样品热激活能随磁场增加线性下降。由测量结果推出的不可逆线仍有B^*-(1-T^*/T_c)^3/2形式。 关键词：     

不同烧结温度对SnO2掺杂下的Y1Ba2Cu3O7-δ超导电性的影响

采用固相反应法制作了在不同烧结温度对Sn掺杂下的YBCO一系列样品.本文采用了X-射线衍射仪,电阻测量和SEM对样品物相形成,微观结构,晶格常数以及超导转变温度进行表征,测量结果表明:不同的烧结温度会影响Sn离子的形式,随着温度的升高,Y-123峰明显减弱,杂峰相增多.本文分析了晶格常数与超导性存在必然联系,SEM结果表明第二相粒子的形成以及表面形貌都与温度有关.