热蒸发与离子束溅射制备LaF3薄膜的光学特性

研究了钼舟热蒸发工艺和离子束溅射方法制备的单层LaF₃薄膜的特性。首先,采用分光光度计测量了LaF₃薄膜的透射率和反射率光谱,使用不同模型拟合得出薄膜的折射率和消光系数。然后,采用应力仪测量了加热和降温过程中LaF₃薄膜的应力-温度曲线。最后,采用X射线衍射仪测试了薄膜的晶体结构。实验结果表明,热蒸发制备的LaF₃（RH LaF₃）存在折射率的不均匀性,在193 nm,其折射率和消光系数分别为1.687和5×10^-4,而离子束溅射制备的LaF₃（IBS LaF₃）折射率和消光系数分别为1.714和9×10^-4。两种薄膜表现出相反的应力状态,RH LaF₃薄膜具有张应力,而IBS LaF₃具有压应力,退火之后其压应力减小。热蒸发制备的MgF₂/LaF₃减反膜在193 nm透过率为99.4%,反射率为0.04%,离子束溅射制备的AlF₃/LaF₃减反膜透过率为99.2%,反射率为0.1%。     

溅射制备薄膜过程中的光谱在线测量研究

在制备薄膜的过程中,利用光谱分析的方法,以放电光谱特征谱线强度的变化来反映相应物质成分的变化,以连续光谱光源发出的光透射过薄膜的透射率的变化,来反映薄膜的厚度、折射率、吸收系数等光学参数的变化,从而达到在制膜过程中,对薄膜的成分、厚度等参数进行在线监控的目的. 关键词：     

离子束溅射制备Nb2O5光学薄膜的特性研究

研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb₂O₅薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄膜特性的影响.结果显示,在辅助离子源不同参数情况下,折射率在波长550 nm处为2.310—2.276,应力值为-281—-152 MPa.在合适的工艺参数下,消光系数可小于10^-4,薄膜具有很好的表面平整度.与用离子辅助沉积(IAD)制备的薄膜相比,IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和薄膜微结构. 关键词： 2O₅薄膜')" href="#">Nb₂O₅薄膜 离子束溅射 光学特性 应力     

溅射制备Ge,Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜

采用射频磁控溅射技术制备了Ge,Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO₂薄膜,详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge,Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化,发现Ge,Nb共掺杂可以同时调节TiO₂薄膜的光学带隙和电阻率.体积分数约为6%Nb和20%Ge的共掺杂TiO₂薄膜电阻率由10⁴Ω/cm减小至10^-1Ω/cm,光学带隙由3.2 eV减小至1.9 eV.退火后掺杂TiO₂薄膜不仅显示更低的电阻率,还表现出更强的可见-红外光吸收.结果表明,改变Ge,Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO₂薄膜.     

射频溅射Pd薄膜的电阻率研究

本文研究了溅射Pd薄膜的电阻率与膜厚关系和不同溅射功率下Pd薄膜电阻率,结果表明,电阻率与膜厚的关系与现有的薄膜电阻率尺寸效应的理论基本相符,存在的差异主要是由溅射对衬底温度影响而引起的,并显示玻璃衬底上生长膜也有择优取向,溅射功率的变化对电阻率有一定的影响,进一步讨论溅射过程中衬底温度变化的问题,得出膜电阻率随衬底温度变化的定量关系式。 关键词：     

溅射a-GeNx和a-GeNx:H薄膜的制备及光电特性的研究

本文报道了应用射频反应溅射法制备a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的工艺条件及其基本的光电特性,并报道了它的IR和Raman特性,讨论了掺氮对a-GeN_x:H膜带尾态ΔE,IR谱及Raman谱的影响。 关键词：     

MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究

关键词：     

低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构

研究了在2.2 Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构.实验表明,薄膜厚度对薄膜电阻率有显著影响,随膜厚的增加薄膜电阻率降低,在膜厚大于200 nm时趋于稳定,电阻率为2.54×10-8Ω.m.薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜电阻率的尺寸效应.研究结果表明,可以在2.2 Pa的低真空条件下制备金属银薄膜,将银靶用于目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率测量实验是可行的.     

双离子束溅射沉积薄膜的光学特性与激光损伤研究

对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作用了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响。制备了折射率接近于块材料的ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜，显著降低了ＴｉＯ２，ＺｒＯ２和ＳｉＯ２薄膜的光吸收损耗，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离束溅射沉积１．０６μｍ多层高反，是到了大于９９．５％的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜     

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

对硫掺杂C₆₀薄膜样品在433K进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后C₆₀薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的C₆₀薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的 关键词：     

Si衬底上磁控溅射法生长MgO薄膜

我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.     

THE ANNEALING FEATURES OF Ta/Si MULTILAYER FILMS

The Ta/Si multilayers on (100) Si substrate have been studied over the annealing temper-ature range from 500 to 900℃ by X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy. The periodicity of the multilayers becomes worse with increasing annealing tem-perature and disappears at 750℃. At 600℃, two kinds of modulation wavelength coexist because the size of several TaSi₂ grains is larger than the contracted original modulation wavelength. The films are contracted after annealing. The largest contraction, at least 40nm decreasing in thickness, occurs at 600℃. When the annealing temperature is lower than 600℃, h-TaSi₂ grains grow randomly and the growth is not affected by the substrate. At temperatures higher than 750℃, h-TaSi₂ grows preferentially in [001] direction parallel to [100] axis of Si substrate. The appearance of texture depends on whether the atomic diffusion is short range or long range at the corresponding annealing temperature.     

反应溅射法制备TiO2薄膜

报道了用反应溅射法制备TiO₂薄膜的实验研究.详细研究了氧分压、基底温度和退火温度对成膜结构的影响.制备出了具有金红石和锐钛矿晶体结构的TiO₂薄膜.分析了金红石和锐钛矿晶体的形成条件,并对薄膜的表面形貌进行了测量. 关键词： 反应溅射 2薄膜')" href="#">TiO₂薄膜     

研究快讯 用分步注入法改善SOI—SIMNI薄膜材料的电学性能

采用常规方法和分步注入法制备SOI－SIMNI（Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen）薄膜材料,用液氦低温霍耳效应进行了分析测量,测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率,实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能,对实验结果和机理进行了解释。     

分子束外延生长Si/GaP(111)异质结的界面特性

本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(111)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(111)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(111)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10¹⁰cm^-2。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性 关键词：     

STUDIES ON INFRARED AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF CdIn2O4 FILMS DEPOSITED BY RF REACTIVE SPUTTERING

Transparent and conductive CdIn₂O₄(CIO) thin films were prepared successfully by rf reactive sputtering from a Cd-In alloy target in an Ar+O₂ atmosphere. The measurement of transmission and reflection spectra, at wavelengths between 0.2 and 6.0μm, and photoluminescence spectrum of the films are reported. The optical properties of the films are analyzed and discussed in detail. Two reasonable methods for calculating the effective mass of the free carrier in the films are presented.     

射频反应性溅射沉积的Cd2SnO4薄膜物理性质与缺陷特性研究

在Ar+O₂混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd₂SnO₄(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10^-6Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95％。对于氧浓度为6％、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.6 关键词：