高聚物(PEO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下的介电常数研究

选用分子量500万的聚氧化乙烯,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物(PEO)_(?)-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1—2443MPa范围不同的流体静压力下测量了它们的相对介电常数,分别探讨了高聚物薄膜在室温常压和高压下离子电导率与介电常数的关系。实验结果证实:添加介电常数较高及本体粘度较低的增塑剂C_4H_6O_3后,当其相对浓度npc/n_c=20％时,不仅该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且其压力下的离子电导率也提高1(0.1—100MPa)至2(350—800 关键词：     

高聚物（PEO）＿n－CuBr＿2薄膜在流体静高压下的离子导电性

用混溶蒸发法制备出高聚物（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２（ｎ＝４，８，１２，１６，２４）薄膜。并详细测量它们在０．１３５０ＭＰａ静水压范围的复阻抗谱，以及在０．１－２４００ＭＰａ静水压范围的交流电导率。结果表明：离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据Ｘ射线衍射物相分析，它们分别归于ＰＥＯ非晶相的压力效应，ＰＥＯ结晶相的压力效应和析出新相ＣｕＢｒ＿２的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２薄膜的弹性，使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。     

流体静高压下的锂离子导电性

本文改进实验方法,在0.0001—1.23GPa流体静高压下测量了整片非晶锂离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃(x=0.05;0.15)及其粉末压片的离子电导率及激活体积。发现粉末压片电导率峰值是由非晶微粒间的接触电导及非晶微粒体电导两者叠加;对整片非晶电导率的压力效应用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。此外,还观测到氧化铝组分减少使电导率的压力转变点明显降低;测量出不同温度热处理以及300℃等温热处理4—20h后离子电导率-压力曲线的变化规律,仍可归因于非晶态相分离及两种非晶相的先后晶化。 关键词：     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）——添加增塑剂方法的应用

 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4,8,12,16,24）薄膜,并在0.1～2443 MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（C₄H₆O₃）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P(EO)₁₆-CuBr₂薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C₄H₆O₃后,当其相对浓度n_PC/n_total=20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0.1～100 MPa）至2（350～800 MPa）个数量级,非常有利于在高压环境中应用。     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高(Ⅰ)——发现三种不同相的压力效应

 用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4, 8, 12, 16, 24）薄膜,并详细测量它们在0.1～350 MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0.1～2 400 MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-p曲线）是条折线,可分解为四条直线相迭加。进一步做X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr₂新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高聚物P(EO)_n-CuBr₂薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的离子导电性与结构研究

本文研究了非晶锂离子导体P₂O₅-0.7Li₂O-0.4LiCl-0.1Al₂O₃的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激 关键词：     

MO2,M2O5和MO3氧化物对锂硼酸盐玻璃离子导电性的影响

本工作测量了45Li₂O·50B₂O₃·5M_mO_n(M=Al,Ti,Zr,P,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W)玻璃的总电导率和电子电导率,以Raman光谱研究了玻璃结构,依据作为锂离子定域体的阴离子团的性质讨论了MO₂,M₂O₃和MO₃氧化物对玻璃离子导电性的影响。 关键词：     

高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）：—添加增塑剂方法的应用

选用分子量在500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2（n＝4，8，12，16，24）薄膜，并在0．1－2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（CHH6O3）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响，及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P（EO）n-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后，当其相对浓度npc/ntotal=20%时，不仅使该膜的室坟离子电导率明显提高6．8倍，而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0．1－100MPa)，至2（350－800MPa)个数量极，非常有利于在高压环境中应用。     

离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究

在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO₂介质层非常关键。我们使用高效率LaB₆离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO₂,并对退火的应力影响进行了测试。在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进行了分析。结果表明:离子辅助沉积的SiO₂薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后应力变化小。     

TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

对最常用的TiO₂和SiO₂薄膜应力, 包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型，对TiO₂和SiO₂单层膜和多层膜进行了实验测试，得到了一些有价值的结果，特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素，低聚集密度产生张应力，而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数，适当地控制张应力或压应力，可使累积应力趋向于零. 关键词： 薄膜应力 离子辅助淀积 聚集密度     

高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（I）——发现三种不同相的压力效应

用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜，并详细测量它们在0．1－350MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0．1－2400MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-ρ曲线）是条折线，可分解为四条直线相迭加。进一步做X射衍射物相分析，它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr2新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高物P（EO)n-CuBr薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

BaF2-InF3系统中各个相的离子电导研究

在BaF₂-InF₃系统中存在一个萤石型固溶体Ba_1-xIn_xF_2+x(03(InF₆)₂和BaInF₅。测定了系统中各个相的电导率并和BaF₂-BiF₃系统进行比较。讨论了阳离子极化性和晶体共价性对电性能的影响。 关键词：     

钠玻璃与钛玻璃在静水压下的弹性性能

用超声脉冲重叠法测量了钠玻璃(float glass)和钛玻璃(SiO₂+8.4wt%TiO₂)从大气压到2GPa静水压条件下的纵波声速和横波声速.发现两种玻璃有不同的变化规律.钛玻璃的纵波声速和横波声速,与钠玻璃的横波声速都随压力的增加而减小;而钠玻璃的纵波声速随压力的增加先增大,后减小.这一现象不同于别的氧化硅玻璃.对实验结果进行了讨论,并计算了弹性模量在压力下的变化和Murnaghan状态方程参数. 关键词： 高压 超声 玻璃     

SrS:HoF3薄膜的电致发光机制

研究了SrS:HoF₃薄膜的光谱特性,分析了光谱与驱动电压的关系,认为SrS:HoF₃薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主;方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象,可能不存在发光中心离化的过程.比较SrS:HoF₃薄膜的电致发光与光致发光光谱,认为过热电子碰撞激发基质晶格,基质激发后将能量传递到发光中心是主要的激发过程.     

流体静压力下快离子导体Rb4Cu16I7Cl13离子电导的研究

在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb₄Cu₁₆I₇Cl₁₃多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb₄Cu₁₆I₇Cl_关键词：     

高压下非晶Ti80Si20合金的晶化

非晶Ti₈₀Si₂₀合金在高压下加热时,不发生多相分解,并直接转变为bcc-Ti(Si)过饱和固溶体,这可能与Ti有较大的压缩率及固溶所造成的弹性能比较小等因素有关。 关键词：     

Bi2O3-Y2O3系高氧离子导体的离子电导和电子电导的研究

用交流电桥法研究了Bi₂O₃-Y₂O₃体系含22.5—30mol％Y₂O₃烧结试样在po₂值由1至10^-21atm范围内氧离子的电导率,实验证明该种材料的氧离子电导率比同温度下ZrO₂基固体电解质高若干倍;用这种材料作为固体电解质组成氧浓差电池,电池电动势和理论电动势的比值E/E₀等于1或接近1,说明这种材料几乎为纯氧离子导体,p型电子空穴导电性很小;用库伦滴定抽氧法测定了含Y₂O₃ 27.5mol％样品的电子导电特征氧分压,其值为lgp_e＇=(-767000/T)+655,电子导电性极小。可期望为一种新型氧离子导体材料。 关键词：     

EQUATION OF STATE OF FLUID He+H2 MIXTURES UNDER HIGH PRESSURE

A statistical mechanical variational theory and an improved van der Waals one-fluid model have been used to compute the equation of state of fluid He+H₂ mixtures with different H₂:He compositions under high pressure. The first-order quantum correction is included. Comparing the present results with Monte Carlo simulations indicates that the quantum corrections for calculating the thermodynamic properties become increasingly important at lower temperatures.     

纳米CaF2和纳米Ca0.75La0.25F2.25的结构对离子电导率的影响

用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了两种具有清洁界面的纳米离子固体CaF₂(平均粒度为16nm)和Ca_0.75La_0.25F_2.25(平均粒度为11nm),在31℃至530℃详细测量了其复阻抗谱。结果表明:1)在300—530℃两种纳米离子导体都很好地遵从Arrhenius方程式;2)纳米CaF₂的离子电导率比多晶CaF₂约高1个数量级、比单晶CaF₂     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y_{2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同 深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响.简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的 制备方法.}