楔形薄膜逾渗系统的临界特性

报道一种楔形金属薄膜逾渗系统的制备方法和测量结果,这种新型逾渗系统具有独特的非线性I-V特性和临界规律,从实验中发现:在这一各向异性系统中,普适标度关系仍然成立,分析表明:这些特性是由于该系统中随空间坐标而变化的跳跃电导效应而引起的. 关键词：     

无规分形衬底上银薄膜的I—V特性

在无规分形结构的α氧化铝陶新断面上，用射频溅射法镀制了银薄膜，其Ｉ－Ｖ特性在空气中呈非线性行为，而在原位真空测量中表现了为形关形式的电压击穿效应，基于衬底的结构特性，作者对上述现象作了合理的解释。     

分形聚集逾渗性质的计算机模拟

提出3种模型——小尺寸随机逐次成核生长模型和二维及三维代代聚集生长模型,在不同的近邻条件下和不同尺寸的网格中,通过蒙特卡罗模拟,系统地研究了一维、二维和三维分形聚集的逾渗性质.计算结果显示,分形聚集的逾渗阈值仅取决于空间维数和近邻条件,与模型的网格大小无关,是分形系统固有的临界属性;生长概率等于逾渗阈值时,聚集体可以无限生长并保持分形维数恒定,此时的分形维数只是空间维数的线性函数.     

燃烧过程中煤焦颗粒的逾渗特性变化

本论文根据分形理论及测定得到的准格尔褐煤在燃烧过程中颗粒的物性参数建立表征煤焦颗粒的分形体模型。 通过分形体上突入逾渗和普通逾渗模拟,研究在燃烧过程中由于颗粒内部分形体结构的改变造成的传输特性和反应特性 的变化情况。结果表明,建立的分形体模型能够很好的表征煤焦颗粒结构特征,逾渗模拟的结果与实际情况基本相符。     

逾渗分立时间量子行走的传输及纠缠特性

在一维分立时间量子行走中,通过静态和动态两种方式随机地断开连接边引入无序效应,研究了静态逾渗和动态逾渗对量子行走传输特性以及位置自由度和硬币自由之间纠缠的影响.随着演化时间的增加,静态逾渗会使得量子行走从弹道传输转变为安德森局域化,而动态逾渗则会使之转变为经典扩散.理想情况下,量子纠缠在较短的时间内就达到一个常数值E_0.静态逾渗量子行走的纠缠减小,并随着时间做无规振荡,而动态逾渗量子行走的纠缠则会随着时间光滑地增加,并在某一时间超过理想情况下的常数值,表现出动态逾渗增强量子纠缠的特性.     

超晶格相变的逾渗机制

把超晶格相变的哈密顿量写成Ising形式,由Ising模型与键逾渗间的对应关系,得到超晶格相变的短程序参量为P′=1-e^-2J/kT;由Monte-Carlo模拟定出L1₀结构的相变点为P′_bc=0.3436,L1₂结构的相变点为P′_bc=0.4924;建立了P′_bc与相应结构上普通键逾渗阈值P_bc间的关系P′_bcx=P_{b 关键词：}     

逾渗的计算机模拟实验

本介绍了一个分析逾渗问题的CAI软件,应用该软件可对二维几何相变进行计算机模拟实验,从而了解逾渗系统的物理特性和规律。     

基于逾渗理论的非晶合金屈服行为研究

从非晶合金的微观结构出发,基于处理强无序和具有随机几何结构系统常用的理论方法——逾渗理论来描述非晶合金剪切屈服时的塑性流变.为了更好地理解非晶合金剪切带萌生时的临界问题,结合已有的"自由体积(free volume)模型"和"剪切转变区(shear transformation zone)模型",建立了非晶合金剪切转变的逾渗模型.以Cu_(25)Zr_(75)二元非晶合金为例,计算了在剪切转变区内易发生塑性流动的原子团簇剪切失稳的逾渗阈值,并粗略估算了这些原子团簇的大小.研究发现,剪切失稳的逾渗阈值与临界约化自由体积浓度(x_c～2.4%)有着相似的特性,不同之处在于其值与自由体积的分散度有着密切联系.研究结果作为非晶合金的韧脆转变问题提供了新思路.     

感染生长模型的逾渗模拟

在规则格子点阵中，活跃点逐步动态地以可变概率感染附近空缺点而生成系综.利用感染概率替代系综温度，给粒子划分能级，可以用巨正则系综配分函数表征体系.蒙特卡洛方法模拟验证了该体系在逾渗阈值处的相变行为.提出了一种新的较为普适的估算规则点阵逾渗阈值的方法.对介质基底上金属薄膜的实验研究验证了该感染生长模型的合理性.由此给出了格子点阵的固有属性(逾渗)如何在粒子聚集成团簇这一动态过程中体现出来的物理模型. 关键词： 逾渗 系综 蒙特卡洛方法 生长模型     

无规分形衬底上银薄膜的I-V特性

在无规分形结构的α氧化铝陶瓷断面上，用射频溅射法镀制了银薄膜，其Ｉ－Ｖ特性在空气中呈非线性行为，而在原位真空测量中表现为开关形式的电压击穿效应。基于衬底的结构特性，作者对上述现象作了合理的解释。     

FRINGE EFFECT ON CRITICAL CURRENT OF A GOLD FILM PERCOLATION SYSTEM

In this paper, the fringe effect on critical current has been studied systematically by measuring the electric transport characteristics of a Au-film system with diffuse fringe structure. It is found experimentally that, when the fringe effect becomes obvious, the film will exhibit strange I-R charac-teristics, in which exist a balance current and a critical current. We find that the critical exponents are related lo the diffuse fringe structure of the Films. The detailed analysis shows that the character- biles result from the thermionic-activating conductive effect in the diffuse fringe film sytem.     

沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

MgB2薄膜的制备与特殊性质

本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品TC(0)高达40.1K.由M~T曲线知道其TC=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M~H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下JC(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.     

Al2O3衬底上生长的40.2K转变温度的MgB2厚膜

我们采用混合物理化学气象沉积方法(简称HPCVD)方法在(0001)晶向的Al2O3衬底上成功的沉积了1.3微米厚的MgB2超导厚膜.电性测量表明这种厚膜具有40.2K的超导转变温度,转变宽度为0.15K,绝对零度时Hc2(0)为13.7T,同时剩余电阻率达到RRR=11.磁性测量表明这种厚膜在5K和零场的条件下具有5×106A/cm3的高临界电流密度.     

Pd,Ge薄膜体系中的分形晶化行为

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对有化合物生成（Ｐｄ₂Ｇｅ和ＰｄＧｅ等）的Ｐｄ，Ｇｅ薄膜体系中的分形晶化行为进行了系统研究实验结果和分析表明：在各种退火温度条件下，Ｐｄ－Ｇｅ共蒸膜都难以发生分形晶化，Ｐｄ／ａ－Ｇｅ双层膜较ａ－Ｇｅ／Ｐｄ双层膜更容易导致分形结构的产生Ｚ化合物Ｐｄ₂Ｇｅ和ＰｄＧｅ的形成对薄膜中的分形晶化有明显的抑制作用，体系中能否出现分形结构，取决于非晶Ｇｅ的成核生长和Ｐｄ，Ｇｅ化学反应两种过程的相互竟争． 关键词：     

YBCO半导体薄膜及Bolometer特性

就Si为衬底的钇钡铜氧(分子式：Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ ,δ≥05,简称YBCO)薄膜的半导体性质,及用于红外测辐射热计(Bolometer)的探 测性能进行了研究.通过测定温度电阻系数(TCR)和霍尔(Hall)系数,并采用XRD、拉曼散射 光谱等手段分析了YBCO半导体薄膜的微观结构和光谱响应特性,认为该薄膜是非制冷红外焦 平面的新型探测元材料. 关键词： YBCO半导体薄膜 测辐射热计 温度电阻系数     

富勒烯薄膜上二维金属渗流系统的电击穿现象

富勒烯（Ｃ_６０和Ｃ_7０）薄膜可外延生长在新鲜解理的云母（００１）平面．以这富勒烯层为衬底，将金属薄膜蒸镀在其上，便构成典型的二维渗流系统．蒸镀过程在超高真空系统中完成，并同时对样品的电阻特性进行原位测量．随着外加电压的增加，观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象．在渗流阈值附近，击穿电流Ｉ_b与样品电阻Ｒ之间表现出幂指数关系：Ｉ_b～Ｒ^－α．指数α比前人实验给出的数值和Ｎｏｄｅｓ-Ｌｉｎｋｓ-Ｂｌｏｂｓ模型的预期值小得多，而且随着衬底材料的不同而不同．基于金属和富勒烯界面相互作用的理论，对这些现象作了解释 关键词：     

衬底偏置对ITO膜光学性质的影响

研究衬底偏置机理。在低温偏压衬底下,用三极反应溅射法镀制出在可见光区透射率为83％的ITO膜。测试低温负偏置衬底法与高温无偏置衬底法镀制ITO膜的光谱特性,发现两者在红外区有相似变化。确定出氧分压范围在(5～7)×10~(-3)Pa。