磁镜中晃荡电子形成热垒的动力学计算

对电子回旋共振加热（ECRH）产生晃荡电子形成串级磁镜热垒的物理过程进行了Fokker-Planck动力学计算，计算表明：（1）在一定条件下，晃荡电子等离子体位形形成，其密度比n_eh（Z_r）/n_eh（O）=2.15，且形成了ΔΦ=16.5V的静电势阱；（2）静电势阱的建立分为迅速建立、逐渐减少和稳定平衡三个阶段，这是ECRH、碰撞散射和俘获离子共同作用的结果 关键词：     

磁镜等离子体中电子回旋波加热实验的理论研究

本文利用平行平板模型,给出了在不同位置、以不同角度入射到平衡的磁镜等离子体中电子回旋波的传播轨迹;利用线性理论计算了O,X波能量分别被本底电子、热电子吸收的波能量沉积率。根据计算结果,文中对加热本底等离子体的特征进行了描述,对非封闭热电子环的形成作了初步解释。     

磁镜中晃荡电子形成熟垒的实验研究

本文在实验上研究了ＦＣＲＨ产生晃荡电子形成串级磁镜热垒的可行性，并对等离子体电位进行了测量，研究结果表明，ＥＣＲＨ产生晃荡电子形成热垒是成功的。     

电子回旋波使磁镜中捕获电子与逃逸电子相互转化

在Littlejohn的带电粒子引导中心拉格朗日体系下,讨论了电子回旋波对磁镜等离子体中捕获电子与逃逸电子的影响,给出了捕获电子变成逃逸电子以及逃逸电子被电子回旋波捕获的条件,并计算了它们的相互转化的概率。 关键词：     

带电粒子在磁镜中运动的模拟

通过构造一个磁约束磁场来研究带电粒子在该磁场中的运动.通过理论分析和数值计算模拟了磁镜中带电粒子的运动,并将计算结果可视化.     

双磁垒中电子的隧穿效应

采用平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,计算了在半导体异质结上沉积带状导电薄膜(通有电流)或I型超导材料产生的两种类型的双磁垒体系的电子隧道结构,以及相应的弹射(ballistic)电导,得知这两种体系的电子隧穿情形差异较大,而它们的电导结构却很相似.     

带电粒子在磁镜场中运动时速度的演变

本文从带电粒子在磁镜场中的受力情况入手,求出了带电粒子速度随时间的演化方式,并直接由粒子的洛伦兹方程出发,阐明了磁镜效应,此方法不需要论证粒子的磁矩守恒,从而更简单明了地阐明了磁镜效应.     

非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜

分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010 cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。     

非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜

分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明:电子温度为5~10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。     

基于增加光电子积分时间的磁镜装置研究

阐述了提高微光成像系统低照度探测极限的本质是需保证成像系统对光信号足够的积累时间,从理论上指出降低CCD温度实现低照度探测的局限性和实现技术的复杂性后,提出在光阴极与光电子接收器(屏靶)之间耦合一个磁镜装置(即微通道电子瓶板结构)作为一种新的光电子接收器,即可有效保证图像信号的积分时间,提高成像系统的探测信噪比,达到拓展微光成像系统低照度探测极限的目的。论证了磁镜场的物理机理,并用计算机模拟显示出了预期的结果。该方案在常温下能实现当前微光成像系统低温探测灵敏度极限10-11lx的目标。     

用碘化钠探测器研究简单磁镜装置MM—2中热电子环特性

使用碘化钠(NaI)探测器,对MM-2简单磁镜装置中热电子环参数进行了测量,得到热电子温度为140—170keV,热电子环的半径为7cm,其径向厚度为4cm,轴向尺寸边缘区域从±10cm延伸至±20cm,同时也观测到了热电子密度沿径向分布,环的位置与磁场强度的关系以及硬X射线发射的时间特性。     

磁镜阵列像增强器的调制传递函数研究

基于三代近贴式像增强器,设计了磁镜阵列装置的结构,从理论上计算了该装置的调制传递函数以及将其引入像增强器后整体的调制传递函数,以此来分析对成像质量的影响.通过对实际参量绘制的调制传递函数曲线分析,得出磁镜阵列装置在X、Y方向的极限分辨率分别为117 lp/mm、121 lp/mm,奈奎斯特频率处的调制传递函数值分别为0.55、0.59,同时磁镜阵列像增强器的极限分辨率也分别达到了87 lp/mm、89 lp/mm,相应的奈奎斯特频率处的调制传递函数值为0.49和0.52.结果表明X和Y方向的调制传递函数曲线之间差异较之磁镜阵列装置变小,这对保证成像质量起到了积极的作用.文章为进一步深入研究磁镜阵列像增强器提供了重要的理论依据.     

用H_α光谱测量方法研究简单磁镜装置中热电子等离子体的性质

本文描述了简单磁镜装置中微波加热的氢等离子体的Ｈ_α面发光度特性的实验结果。与Ｘ射线、反磁探针、朗缪尔探针等测量结果相结合，给出了ＭＭ－２简单磁镜装置中ＥＣＲ等离子体的一些基本特性。     

磁镜阵列像增强器的调制传递函数研究

基于三代近贴式像增强器,设计了磁镜阵列装置的结构,从理论上计算了该装置的调制传递函数以及将其引入像增强器后整体的调制传递函数,以此来分析对成像质量的影响.通过对实际参量绘制的调制传递函数曲线分析,得出磁镜阵列装置在X、Y方向的极限分辨率分别为117lp/mm、121lp/mm,奈奎斯特频率处的调制传递函数值分别为0.55、0.59,同时磁镜阵列像增强器的极限分辨率也分别达到了87lp/mm、89lp/mm,相应的奈奎斯特频率处的调制传递函数值为0.49和0.52.结果表明X和Y方向的调制传递函数曲线之间差异较之磁镜阵列装置变小,这对保证成像质量起到了积极的作用.文章为进一步深入研究磁镜阵列像增强器提供了重要的理论依据.     

用多路逆磁系统测量热电子环磁镜中热电子沿轴向的分布

本文介绍了多路逆磁测量方法及利用这一方法在ＨＥＲ装置上测量热电子环沿轴向的长度与晃荡电子密度的轴向分布的实验结果。     

热电子与热离子共存时的电荷裸露效应

本文采用简晰的平板模型，在局域近似下讨论了热电子，热离子共存时它们对低频交换模的影响，分析了两种热成分电荷裸露效应的相互作用。     

磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响

运用阻碍栅极型能量分析器,在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布. 结果表明,在放电管中心处离子能量分布,随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移,但离子能量分布宽度却没有明显的变化;而随着磁镜比的增加离子能量分布却向高能方向偏移,并且离子能量分布宽度也将变宽.由此可见,磁镜场参数对离子能量分布有很大影响. 关键词： 磁镜场 辉光放电 低温等离子体 离子能量分布     

EAST H模等离子体中离子内部输运垒特性的初步实验研究

为了研究EAST上H模等离子体中离子内部输运垒(ITB)的特性,利用电荷交换复合光谱诊断,分析了离子ITB形成和稳态阶段等离子体离子温度和环向旋转速度的时空演化。结果表明,在离子ITB形成和稳定期间,ITB肩部附近(R=1.928m)的离子温度梯度增加时,ITB区域(R=1.984m)的离子温度梯度会有所降低,反之亦然。考虑到在离子ITB形成前,芯部区域不同半径位置的离子温度梯度同时增加或减小,得到了在R=1.984m处判断离子ITB是否形成的归一化离子温度梯度的阈值。