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报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg_(1-x)Cd_xTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermalfreeze-out),即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成R_H(T)=R_(H0)exp[a/kT],它实际上反映了磁冻结在施主上的电子,随温度的升高,逐步热激发到导带的过程,从磁致MIT后的激活能初步推知,导带下存在两个浅施主能级。 相似文献
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研究了MnNiGe1-xGax (x=0–0.30) 系列合金中成分、结构、马氏体相变性质和磁性的相互关系. 在较小的成分范围内, Ga取代Ge元素可有效地将马氏体相变温度降低近400 K. Ga的引入削弱了体系中的共价成键作用, 马氏体相显示出磁交换作用的增强. 相图显示, 掺杂使马氏体相变先后穿过TN 和TC 两个磁有序温度, 居里温度窗口效应在体系有存在的可能, 磁性对相变温度的成分关系有所影响. 实验观察到合金变磁转变的特性及相变行为对制备方法的敏感性. 这些特性的发现, 有利于进一步优化这类材料的磁结构和相变特性, 获得具有应用价值的新材料.
关键词:
MM’X合金
马氏体相变
磁有序温度
变磁转变 相似文献
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采用快速液相烧结法制备BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3 (x=0, 0.05, 0.1, 0.15)陶瓷样品. 实验结果表明: 所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相符合且具有良好的晶体结构, 随着Co3+掺杂量的增大, Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品的主 衍射峰由双峰(104)与(110)逐渐重叠为单峰(110), 当掺杂量x>0.05时, 样品呈现正方晶系结构; SEM形貌分析可知: Dy3+, Co3+共掺杂使BiFeO3晶粒尺度由原来的3—5 μ减小到约1 μ. 室温下, BiFeO3样品表现出较弱的铁磁性, 随着Dy3+和Co3+掺杂, BiFeO3样品的铁磁性显著提高. 在外加磁场为30 kOe的作用下, Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3 (x=0.05, 0.1, 0.15)的Mr分别为0.43, 0.489, 0.973 emu/g; MS分别为0.77, 1.65, 3.08 emu/g. BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品磁矩M随着温度T的升高而逐渐减小, Dy掺杂使BiFeO3样品的TN由644 K升高到648 K, 而TC基本没有变化. Dy和Co共掺杂导致BiFeO3样品磁相变温度TC由870 K降低到780 K, 其TC变化主要取决于Fe-O-Fe反铁磁超交换作用的强弱和磁结构的相对稳定性.
关键词:
铁磁电材料
磁滞回线
磁相变温度 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备Bi1-xCaxFeO3 (x=0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2)陶瓷样品. X衍射图谱表明所有样品的主衍射峰均与纯相BiFeO3相符合且具有良好的晶体结构. 随着x的增大, Bi1-xCaxFeO3样品的主衍射峰由双峰(104)与(110) 逐渐重叠为单峰(110), 当x ≥0.15时, 样品呈现正方晶系结构; 扫描电镜形貌分析可知, 晶粒由原来的0.5 μm逐渐增大到2 μm. Bi1-xCaxFeO3样品介电常数和介电损耗随着x 的增加先增大而后减小. 当f=1 kHz, Bi0.9Ca0.1FeO3 的介电常数达到最大值, 是BiFeO3的7.5倍, 而Bi0.8Ca0.2FeO3的介电常数达到最小值, 仅仅是BiFeO3的十分之一. Bi1-xCaxFeO3样品所呈现的介电特性是由偶极子取向极化和空间电荷限制电流两种极化机理共同作用的结果. 随着Ca2+ 的引入, BiFeO3 样品的铁磁性显著提高. X射线光电子能谱图表明Fe2+和Fe3+ 共存于Bi1-xCaxFeO3 样品中, Fe2+/Fe3+比例随着Ca2+ 掺杂量的增加而增大, 证明Ca2+掺杂增加了Fe2+的含量, 增强BiFeO3的铁磁特性. 从M-T曲线观察到BiFeO3样品在878 K附近发生铁磁相变, 示差扫描量热法测试再次证明BiFeO3 在878 K发生相变. Ca2+掺杂使BiFeO3样品的TN略有变化而TM基本不变, 其主要原因是Fe-O-Fe反铁磁超交换作用的强弱和磁结构相对稳定. 相似文献
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系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3,0.35)合金中金属Al替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的影响.结果发现,x<0.4时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95完全保持MgCl2立方Laves相结构,晶格常量a随Al含量x的增加而增大.磁致伸缩测量发现,随着替代量x的增多磁致伸缩减小,x>0.15时超磁致伸缩效应消失 x<0.15时磁致伸缩在低场下(H≤4kAm)有小幅增加,高场下迅速减小,而且易趋于饱和,说明添加少量Al有助于减小磁晶各向异性.内禀磁致伸缩λ111随Al替代量x的增加大幅度降低.对于0≤x<0.15,穆斯堡尔效应表明,随Al含量的增加Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金中发生了自旋重取向,易磁化方向经历了[111]→[uv0]→[uvw]的转变.由相对磁化率随温度的变化关系可以看出,Al替代Fe使自旋重取向温度降低.当x=0.15时,Tb0.3Dy0.7(Fe1-xAlx)1.95合金中出现了少量非磁性相 x>0.15时,合金在室温下呈现顺磁性
关键词:
磁致伸缩 立方Laves相 自旋重取向 各向异性 穆斯堡尔谱 相似文献
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本文对Hg1-xCdxTe的低频吸收带,提出另一种解释。把Hg1-xCdxTe作为具有0—25%Cd(或Hg)替位杂质的HgTe(或CdTe)晶体,用格林函数计算含有一个Cd(或Hg)的HgTe(或CdTe)双原子链振动谱,进而讨论Hg1-xCdxTe混晶振动模的特性,结果表明Hg1-xCdxTe在k→0存在频率不趋于零的声学声子,它们有条件吸收远红外波段的光子,形成低频吸收带。它能说明已报道的实验上观察到的低频吸收带的主要特征,并表明对光学声子存在双模行为的其它混晶,在远红外吸收谱中很可能存在类似的低频吸收带。
关键词: 相似文献
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M.A. Mekhtiev 《Solid State Communications》1977,22(7):433-437
Using the Kane model, the wave functions and dispersion laws were obtained for Tamm surface states of electrons and holes arising on the ideal surface of Hg1-xCdxTe crystal in the parabolic and strong nonparabolic limits. The dependence of surface electrons and holes effective masses, in the parabolic limit, is determined from the parameters of the bulk states. The surface states of heavy holes is shown to be unsensitive to the degree of nonparabolicity of the electron spectrum. 相似文献
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利用正电子(e+)湮没寿命谱实验研究了Hg1-xCdxTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品,不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺,p型材料转为n型,同时对正电子的俘获效应减小,表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃,正电子湮没寿命值又增大,表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τb=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果,得出
关键词: 相似文献
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