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采用第一性原理计算方法, 研究了四方MoSi2薄膜的电子性质. 计算结果表明, 各种厚度的薄膜都是金属性的, 并且随着厚度的增加, 其态密度与能带结构都逐渐趋近于MoSi2块体的特性. 通过对MoSi2薄膜磁性的分析, 发现三个原子层厚的薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.33 μB; 而当薄膜的厚度大于三个原子层时, 薄膜不具有磁性. 此外, 进一步对单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层MoSi2薄膜的电子性质进行了研究, 发现单侧加氢饱和的三原子层MoSi2薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.26 μB, 而双侧加氢饱和三原子层MoSi2薄膜是非磁性的. 双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层MoSi2薄膜的自旋极化率分别为30%和33%. 这些研究结果表明, 三原子层厚的MoSi2 超薄薄膜在悬空或者生长于基底之上时具有金属磁性, 预示着它在纳米电子学和自旋电子学器件等方面都有潜在的应用前景. 相似文献
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采用密度泛函理论研究了FeS2(100)表面原子几何与电子结构.理论计算结果表明:FeS2(100)表面无弛豫、无重构,是体相原子几何的自然终止.与体相电子结构相比,FeS2(100)表面电子特性明显不同,禁带中央产生新的表面态,且表面态局域性强,主要由Fe原子的3d分波贡献.配位场理论定性分析表明:FeS2(100)完整晶面表面态产生机制是Fe原子的配位数减少、局部对称性下降所致
关键词:
密度泛函理论
表面电子结构
FeS2 相似文献
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在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方相BaTiO3(001)表面的电子结构.结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属原子弛豫幅度最大,同时各层层间距变化呈交错分布.对两种表面结构的总能计算发现TiO2表面稳定性比BaO表面弱,一方面是由于TiO2表面结构中存在O-2p表面态,使价带和导带中电子态向高能区域偏移.另一方面,TO2表面附近Ti—O共价键存在强弱差异,有利于发生表面吸附.而在BaO表面结构中,最表层BaO的存在消除了这种差异,因而其表面稳定性较强.
关键词:
第一性原理
钛酸钡
电子结构
表面能 相似文献
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采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
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本文应用Materials Studio软件对MoS2分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS2材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS2-H2、MoS2-H2、N-MoS2-H2、Si-MoS2-H2,即O-MoS2-H2的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS2电子结构,MoS2-H2、O-MoS2-H2、Si-MoS2-H2能隙值处于0~2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS2-H2能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是... 相似文献
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The electronic structure and vibrational spectrum of the C60 film condensed on a 2H- MoS2(0001) surface have been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ul-traviolet photoelectron spectroscopy (UPS), Auger electron spectroscopy (AES) and infrared high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS). AES analysis showed that at low energy side of the main transition, C60 contains a total of three peaks just like that of graphite. However, the energy position of the KLL main Auger transition of C60 looks like that of diamond, indicating that the hybridization of the carbon atoms in C60 is not strictly in sp2- bonded state but that the curvature of the molecular surface introduces some sp2pz- bonded character into the molecular orbitals. XPS showed that the C 1s binding energy in C60 was 285.0eV, and its main line was very symmetric and offered no indication of more than a single carbon species. In UPS measurement the valence band spectrum of C60 within 10eV below the Fermi level (EF) shows a very distinct five-band structure that character-izes the electronic structure of the C60 molecule. HREEL results showed that the spectrum obtained from the C60 film has very rich vibrational structure. At least, four distinct main loss peaks can be identified below 200 meV. The most intense loss was recorded at 66 meV, and relatively less intense losses were recorded at 95, 164 and 197meV at a primary energy of electron beam EP = 2.0eV. The other energy-loss peaks at 46, 136, 157 and 186meV in HREEL spectrum are rather weak. These results have been compared to infrared spectrum data of the crystalline solid C60 taken from recent literatures. 相似文献
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用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH2及HfH2的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH2本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去21的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH2中H也可能占据八面体位置。HfH2状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。
关键词: 相似文献
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利用低能N+(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向EF移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d(z2)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O2吸附活性,O2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。
关键词: 相似文献
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采用LMTO-ASA方法,对几种不同方法获得的不尽相同的Ag(111)“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究,给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性.根据表面能的大小,指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面,并对该类表面结构的电子结构特性作了分析和讨论.作为对比,还分析讨论了清洁理想Ag(001)表面的电子结构特性.根据Ag(111)和Ag(001)表面能的区别,指出Ag(001)表面较Ag(111)表面稳定 相似文献
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