半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜

直流磁控溅射使用半熔融大直径平面烧结靶,在(100)SrTiO_3衬底上原位生长 YBa_2Cu_3·O_(7-δ)超导薄膜,可以很方便地和重复地获得临界电流密度高(J_c=3.4×10~6A/cm~2在77KB=0时)、微波表面电阻 R_s 较低(在77K,50.9GHz 时,R_s≤37mΩ)和均匀区较大的超导薄膜.X 光衍射,X 光双晶衍射摇摆曲线测量和透射电子显微镜分析结果表明,所得的 YBCO 薄膜为高度 c 取向的单晶外延膜.     

用卢瑟福背散射和弹性背散射分析高Tc超导薄膜中的元素组份及氧含量

提出了用能量为１．５－２．５ＭｅＶ的质子弹性背散射分析（ｅｌａｓｔｉｃ ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ，缩写为ＥＢＳ）来测定薄膜中的氧含量，这个方法对于厚度为几十纳米到几个微米的样品，测量精度约５％。采用ＲＢＳ分析并结合ＥＢＳ分析，可全面测得薄膜中各元素的含量。 关键词：     

直流磁控溅射制备YBCO高Tc超导薄膜过程中靶成分的在线监测

本阐述了用单色仪和光电倍增管对平面直流磁控溅射制备ＹＢＣＯ高Ｔｃ超导薄膜过程中靶的放电成分变化情况进行在线监测的实验方法，设备和过程，得到了Ｏ２：Ａｒ＝１：４时，靶表面成份随时间变化的关系和相应薄膜的质量，并对实验结果进行了讨论。     

YBCO超导薄膜的等离子体氟化研究

本文利用ＣＦ４气体，对ＹＢＣＯ薄膜表面进行可控的ｒｆ等离子体氟化处理，ＡＦＭ与ＸＰＳ的分析结果表明：适当的氟化所起的作用主要为化学反应作用。氟化可造成Ｙ（３ｄ）与Ｏ（１ｓ）诸元素的本征峰相对强度减少，甚至消失；对Ｂａ（３ｄ），Ｂａ（４ｄ）和其它元素也有影响。本文的研究为利用等离子体氟化ＹＢＣＯ膜形成弱化势垒层提供了初步结果。     

一种简单的背散射处理方法

阐述了利用离子束分析技术分析高温超导氧化物陶瓷Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ中各成分含量的一般原理，运用ａ粒子在３．０４５ＭｅＶ附近的Ｏ的弹性共振背散射以及卢瑟背散射，得到了Ｙ－Ｂａ－Ｏ各成分的含量，并与质子Ｘ射线荧光分析的结果作了比较，提出了一种简单的背散射处理方法，该方法具有简单，快速，精度高等优点。     

TFA-MOD方法制备YBCO超导薄膜研究

采用TFA-MOD方法在LaAlO3(001)单晶基片上制备了性能良好的YBCO超导薄膜:临界电流密度(Jc)可达3MA/cm2(77K,0T),超导转变温度Tc≈90K,转变宽度ΔTc=0.5K,其一次涂层厚度达338nm.通过X射线衍射(XRD)分析表明YBCO具有纯c-轴取向、无a-轴取向的晶粒存在.ω扫描分析表明该YBCO薄膜具有很好的面外外延性,其摇摆曲线的半高宽(FWHM)为0.653°. 用SEM分析也表明膜的表面无裂纹存在,表面平整,没有a轴晶粒生长.     

电子束蒸发制备YBCO超导薄膜研究

采用电子束沉积制备YBCO超导薄膜,研究了760℃—840℃的不同退火温度下高温热处理对YBCO薄膜双轴织构、表面形貌及超导性能的影响。超导临界电流密度测试、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的结果表明,退火温度在在800℃时,YBCO薄膜具有良好的织构和平整致密的表面形貌,在77K自场下的临界电流密度J可达4.2×106/cm2。     

前驱膜形貌对TFA-MOD技术生长YBCO超导薄膜的影响

本文采用三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)技术在LaAlO3(00l)单晶基片上、在不同的低温热处理条件下制备出不同形貌的前驱膜.从金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)观察可以看出,低温预分解时造成前驱膜的形貌不完整性在高温处理后并没有消除.对高温热处理后的YBCO成相膜用X射线衍射进行了物相定性分析,用Jc-Scan Leipzig系统对超导薄膜进行了超导性能分析.结果表明,前驱膜的形貌不完整性造成高温成相阶段样品杂相出现和超导性能降低.经过对低温热处理条件的优化,得到表面形貌完整的前驱膜,避免了高温成相阶段杂相出现,提高了涂层导体的超导性能,Jc可以超过1.5MA/cm2.     

PHOTOLUMINESCENCE OF NANOCRYSTALLINE SiC FILMS PREPARED BY RF MAGNETRON SPUTTERING

Amorphous SiC films are deposited on Si (111) substrates by rf magnetron sputtering and then annealed at 1200℃ for different times by a dc self-heating method in a vacuum annealing system. The crystallization of the amorphous SiC is determined by Raman scattering at room temperature and X-ray diffraction. The experimental result indicates that the SiC nanocrystals have formed in the films. The topography of the as-annealed films is characterized by atomic force microscopy. Measurements of photoluminescence of the as-annealed films show blue or violet light emission from the nanocrystalline SiC films and photoluminescence peak shifts to short wavelength side as the annealing time decreases.     

反应溅射法制备TiO2薄膜

报道了用反应溅射法制备TiO₂薄膜的实验研究.详细研究了氧分压、基底温度和退火温度对成膜结构的影响.制备出了具有金红石和锐钛矿晶体结构的TiO₂薄膜.分析了金红石和锐钛矿晶体的形成条件,并对薄膜的表面形貌进行了测量. 关键词： 反应溅射 2薄膜')" href="#">TiO₂薄膜     

Si衬底上磁控溅射法生长MgO薄膜

我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.     

射频磁控反应溅射生长AlN薄膜

用射频磁控反应溅射方法,在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中,以高纯Ａｌ为靶材,成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响．发现退火能使薄膜的结晶性得到改善,在退火后的样品中得到了室温蓝紫色阴极射线发光     

偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为80%左右、最小电阻率为63×10^-4Ωcm、附着良好的ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜.SnO₂最佳掺杂浓度为7.5%—10%(w.t.),最佳氩分压为0.5—1Pa.当衬底负偏压为20—40V时,晶粒平均尺寸最大,制备出的薄膜的电阻率有最小值.薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有［222］方向的择优取向,随衬底负偏压 关键词：     

PLD法制备PZT-YBCO结构的铁电薄膜的研究

本文利用脉冲准分子激光在LaAlO3单晶基片上淀积了YBCO和Zr/Ti为94/6的PZT铁电薄膜,并通过高频溅射将Pt蒸镀在PZT薄膜上作为上电极;用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,测量了PZT的铁电性能和介电特性,讨论了PZT/YBCO薄膜的制备工艺,以及工艺条件对晶相结构和薄膜性能的影响.     

高温热处理气氛对低氟MOD法制备YBCO超导薄膜的影响研究

金属有机物沉积法(MOD)制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体是最具有商业前景的方法之一.本文使用环烷酸铜代替三氟乙酸铜,降低了前驱液中大约50%的氟含量.然后在带有缓冲层(Y2O3/YSZ/CeO2)的Ni-5at.%W基带上采用MOD法制备了YBCO薄膜并系统研究了高温热处理过程中气体流速和氧分压对YBC...     

直流电弧等离子体射流CVD制备多种碳膜

本文报道了在同一直流电弧等离子体射流ＣＶＤ装置上，采用不同的沉积条件高速合成金刚石，类金刚石，高取向热解石墨以及无定形碳等四种碳膜。经Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ），扫描电镜（ＳＥＭ）形貌分析以及显微硬度测试表明，该方法制得的金刚石膜和高取向热解石墨膜具有很高的纯度和良好的晶性，类金刚石具有独特的形貌和Ｒａｍａｎ散射特征以及可与金刚石膜比拟的硬度。     

离子束溅射沉积Ti-Ni薄膜及其电化学性能的研究

利用离子束溅射沉积的方法在不同基片温度条件下制备了不同成分的Ti-Ni贮氢薄膜，研究了其电化学贮氢性能。结果表明：用离子束溅射沉积制备的Ti-Ni薄膜的结构为非晶状，薄膜对基片的附着力较强，在冲放电循环50次后仍为非晶态；在基片温度为350℃时制备的薄膜的结构为晶态，在多次放电循环后呈现非晶化趋势；Ti-Ni薄膜具有较高的电化学活性，晶化薄膜比晶态薄膜的最大放电容量高，但晶化薄膜的循环稳定性差。     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力