Hg1—xCdxTe表面电子的子能带结构

讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。     

N型Hg0.805Cd0.195Te少数功流子迁移率

描述了少数载子漂移实验测量N型Hg1-xCdxTe少数载流子迁移率的实验原理及实验方法，给出了在80K左右几种温度下的N型Hg0.85Cd0.195Te少数载流子迁移率值，分析了实验误差，讨论了背景辐射对测量值的影响。     

Hg0.6Cd0.4Te的激子光电导谱

报道了Ｈｇ０．６Ｃｄ０．４Ｔｅ红外光电导谱，在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应     

非量子限条件下P型InSbMOS结构反型层中子能带实验研究

在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.     

长波红外材料n型Hg1—xCdxTe载波子寿命

测量了３种不同生长方法制备的长波红外碲镉汞晶体载流子寿命的温度变化关系,与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明,优质晶体中是以带间碰撞复合为主。     

离子注入对分子束外延Hg0.68Cd0.32Te远红外振动模的影响

我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及注入后退火对Ｘ、Ｉ１、ＬＡ、Ｐｄ等吸收峰的影响．     

Hg0．8Cd0．2Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数

在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg0.8Cd0.2Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表达式。实验结果与所得表达式的计算结果能够很好地相符。     

液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布．     

Cd0.95Fe0.05Te能隙的温度和压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。     

Ar离子注入P型MCT的反型分析

对Ar离子注入P型MCT的反型进行了分析.由于Ar离子是中性离子,注入后反型的机理是否与B离子注入到P型MCT反型机理一致?我们根据B离子注入到P型MCT的模型进行了Ar离子注入反型的假设.经过实验验证了经Ar离子注入后,退火前不显现结整流特性,退火后显示出结整流特性,得到了Ar离子注入P型MCT中的反型大致与B离子注入到P型MCT反型结果一致.Ar离子注入后产生了大量的缺陷,形成剩余的Hg间隙原子被衍生缺陷所捕获,退火使得Hg间隙原子从衍生缺陷中逃逸出来而呈现低浓度的背景施主,造成了P型MCT的反型.     

剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响

研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。     

碲镉汞在磁量子限的弛豫时间

从对实验的远红外回旋振线形分析中获得了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ导带电子系统的弛豫时间τ，同磁量子限的电离杂质散射理论作了比较，用朗道能级间散射和朗道能级内散射两种机制说明了弛豫时间与磁场强度的关系．     

ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响

利用全势LMTO(FP-LMTO)理论计算方法,对ZnO中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷)的电子结构进行了计算.根据本文和以前的计算结果,得到了ZnO中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置.利用得到的理论计算结果,我们分析了ZnO的吸收和发射光谱可能产生的机制,并讨论了ZnO与缺陷电子结构对它们的影响.