外延片夹层电压数学模型推导

讨论了外延片的外延层电阻率、衬底电阻数、探针接触电阻、外延层纵向电阻与夹层电压之间的关系，推导了一种全新的二探针法测量外延夹层电压的数学公式，从而为计算外延片夹层电压提供了理论依据。     

外延片市场前景看好

半导体生产主要使用抛光片（ＰＷ）和外延片（ｅｐｉ）做 为集成电路的衬底材料。早在８０年代初有报道说,外延片能够提供抛光片所没有的电参数,而且能够去除许多在晶体生长和加工成衬底材料的过程中形成的表面及近表面缺陷。 外延片以前由硅片厂商生产,集成电路生产者只在小范围内使用．外延片需要在单晶硅材料上淀积一薄层不同掺杂浓度的单晶硅,它的基本制造流程如图１所示,通常外延层厚度为２—２０μｍ,２００ｍｍ硅片厚度为６２５μｍ,３００ｍｍ硅片厚度为７２５μｍ。 外延层的生长可以用批式反应器进行批量生产,也可以单片…     

中美合资生产半导体外延片

由大连路明集团和美国LUMEI OPTOELECTRONICS CORPORA TION共同投资7800万美元成立的大连美明外延片公司，近日在大连国家半导体照明工程产业化基地开工建设。     

激光器外延片质量水平直达世界最高

世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目一号厂房在深圳光明新区于10月11日正式投产，“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。     

8英寸VDMOS用硅外延片

河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。     

发光二极管外延片质量控制的新方法

介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法.通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意见.最终实现了提高GaP外延片质量的目的.     

发光二极管外延片质量控制的新方法

介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法.通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意见.最终实现了提高GaP外延片质量的目的.     

汽车连接器市场前景看好

汽车电子产业已经成为中国乃至全球汽车工业和信息产业中最引人注目的新兴增长点。据赛迪顾问研究报告，2001～2003年国内汽车电子产品市场规模保持高速增长，2003年市场规模为550亿元。2005年，我国汽车市场销售额有望达10000亿元，其中汽车电子产品约占25％至30％，市场规模约为2500至3000亿元。     

中国宽带市场前景看好

中国宽带市场在过去几年经历了快速发展，短短几年时间跃升为全球最重要的宽带市场之一，2004年宽带用户达到2000万。来自市场分析公司iSuppli公司的分析报告显示，2005年之后的几年内，中国大陆宽带市场前景依然看好，可为服务运营商、设备制造商以及半导体供应商提供巨大的市场机遇。     

稳中有升的需求使半导体设备市场前景看好

2006年已经过半，繁复多变的半导体市场正趋于稳定。相对于去年同期，今年半导体行业的发展已有相对的增幅，目前的温和复苏对从业者来说是个利好消息，缓慢但平稳的增长也为业界注入了一针强心剂。     

基于离子注入片的单片外延炉温度研究

精准的温度控制是IC外延的关键,基于8英寸离子注入片,对影响单片外延炉温度的关键因素进行了研究。实验结果表明改变OFFSET参数,外延炉边缘温度随△T同步变化,中心和R/2处温度没有影响;中心热电偶安装位置每降低254μm,外延炉温度整体升高10℃;异常PID参数设置导致的升温曲线过冲,影响外延炉实际温度。实验数据量化了相关参数与外延炉温度变化的对应关系,为IC外延产品的温度管控提供了依据,提升了单片硅外延平台的标准化和产业化水平。     

电子测量仪器市场前景依然看好

据测算，2003年电子测量仪器的国内市场比2002年增长了26％，我国电子测量仪器市场已经成为世界上最具有潜力的电子测量仪器市场之一。展望未来几年，由于我国经济发展形成的巨大需求，电子测量仪器的国内市场仍将呈高速发展的趋势，特别是数字电视和通信市场的高速发展，     

双层硅外延片在大功率器件中的应用

主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。     

InGaAlP外延片的微分析

介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考.     

用于功率器件的P型厚高阻外延片

本文论述在常压ＣＶＤ硅外延系统中，通过ｅ＿ｑＰ＝Ｂ－Ａ／Ｔ，分别计算出ＳｉＨ－Ｃｌ＿３、ＰＣｌ＿３和ＢＣｌ＿３的Ａ和Ｂ二常数值。采用低温深冷工艺，进一步提高硅源的纯度，通过控制ＳｉＨＣｌ＿３的蒸汽压，在晶向为（１１１）和（１００），掺硼电阻率（４～８）×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的抛光衬底硅片上，生长出外延层电阻率为３５０Ω·ｃｍ（杂质浓度３．５×１０￣（１３）／ｃｍ￣３），外延层厚度达１２０μｍ的ｐ／ｐ￣＋／硅外延片，制成器件的击穿电压可达１０００Ｖ。