~(14)N~(16)O分子X~2Π_(3/2)R(1.5)v=0→1及~(15)N~(16)O分子X~2Π_(3/2)Q(1.5)v=0→1跃迁的FLMR光谱

本文采用法拉弟效应的激光磁共振光谱技术，研究了－氧化氮分子１４Ｎ１６ＯＸ２Π３／２Ｒ（１．５）ｖ＝０→１和同位素分子１５Ｎ１６ＯＸ２Π３／２Ｑ（１．５）ｖ＝０→１跃迁的ＦＬＭＲ光谱，实验给出了样品浓度和信号强度之间的关系及调制磁场强度与ＦＬＭＲ信号强度之间的关系。     

^14N^16O分子X^2П3＼2R（1.5）v=0→1及^15N^16O分子X^2П3＼2Q（…

本文采用法拉弟效应的激光磁共振光谱技术，研究了一氧化氮分子＾１４Ｎ＾１６ＯＸ＾２П３／２Ｒ（１．５）ｖ＝０→１和同位素分子＾１５＾１６ＯＸ＾２П３／２Ｑ（１．５）ｖ＝０→跃迁的ＦＬＭＲ光谱，实验给出了样品浓度和信号强度之间的关系及调制磁场强度与ＦＬＭＲ信号强度之间的关系 。     

CO—N2O反应的相应及其动力学特征的蒙特卡罗模拟研究

用蒙特卡罗方法模拟研究了单晶表面上ＣＯ－Ｎ２Ｏ的催化反应，模拟结果表明：（１）在没有速控步骤和不考虑表面物种的脱附和扩散的条件下，仅当Ｘ∞＝ＸＮＯ时，反应才能连续稳定进行；引入ＣＯ的脱附后，反应的稳态窗口变为ＸＮＯ〈ＸＣＯ〈１．０，当同时引入ＣＯ和Ｎ２Ｏ的脱附时，反应的稳态窗口进一步增大为０〈Ｘ∞〈１．０，（２）假定反应的速控步骤为Ｎ２Ｏ的解离时，模拟得到Ｎ２Ｏ和ＣＯ的反应级数分别为＋１．１２和－     

高温空气中NO分子β(B2Πr-X2Πr)及γ(A2Σ+-X2Πr) 发光带系的Franck-Condon因子计算

在双原子分子核运动的波动方程中,计入分子的振转相互作用项,得出的波函数除与振动量子数有关外,还与转动量子数有关。本文用该波函数编程计算了高温空气中ＮＯ分子β（Ｂ２Πｒ－Ｘ２Πｒ）及γ（Ａ２Σ＋－Ｘ２Πｒ）带系的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ因子。计算中转动量子数的取值由Ｊ＝０取至Ｊ＝２００,结果适用于低温和高温条件。     

NO分子(5σ)~2(1π)~43p-(5σ)~2(1π)~3(2π)~2构形相互作用与转动能级结构

在考虑ＮＯ分子的（５σ）２（１π）４３ｐ－（５σ）２（１π）３（２π）２构形相互作用的情况下，对Ｄ２Σ＋（ｖ＝６），Ｃ２Π（ｖ＝６），Ｂ２Π（ｖ＝２４）和Ｌ２Π（ｖ＝４）电子态的转动能级结构以及态函数进行了计算，计算结果与实验结果很相符。     

基态N2O2分子的多体项展式势能函数

本文利用顺式Ｎ２Ｏ２分子的实验测定几何，离解能和振动光谱常数，求得了以单值表面近似方法表示的基态Ｎ２Ｏ２分子的多体项展式势能函数，它具有正确的解离极限和等价原子变换对称性，根据该函数讨论了Ｏ（＾１Ｄ）与Ｎ２Ｏ（Ｘ＾１∑）分子反应碰撞的势能面静态特征。结果表明：在Ｏ（＾１Ｄ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ＾１∑）→２ＮＯ（Ｘ＾２Пｒ）反应路径上存在一个势阱和一个后置势垒。     

O(N)>O(N-1)约化因子

利用不可约张量基的概念和不可约张量算符的性质,给出了所有Ｏ（Ｎ）Ｏ（Ｎ－１）约化因子（ｍ１Ｎｍ２Ｎ…ｍ［Ｎ／２］Ｎ）（１０…０）的代数表达式． The algebraic expressions for all O(N)  O(N-1) reduction factors for (m 1N m 2N … m N )  (1 0 … 0) are given by using the concept of irreducible tensor basis and the properties of irreducible tensor operator.     

氮元素与磁性

介绍了Ｆｅ＿（１６）Ｎ＿２和Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７）ｎ＿ｘ发现的经过。说明了Ｎ元素在磁学中的重要性．在所有的磁性材料中，Ｆｅ＿（１６）Ｎ＿２ 具有最高的饱和磁化强度，μ＿０Ｍ＿ｓ＝２．９ｔ；Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７）Ｎ＿ｘ具有作为永磁材料的优秀的内禀磁性．Ｆｅ＿（１６）Ｎ＿２和Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７）ｎ＿ｘ的发现无论是在磁性物理方面还是在磁性材料方面都具有重要意义．     

N2O在193nm光解：振动激发态NO（v）的生成及与N2O的碰撞驰豫

利用激光光解时间分辨富里叶红外发射谱对Ｎ２Ｏ在１９３ｎｍ光解进行了研究，观察激光光解后３０μｓ至６００μｓ次级反应产物ＮＯ（ｖ）的红外发射谱及其变化，其振动量子数ｖ高达１１，反应是通过初级光解产物Ｏ（＾１Ｄ）原子与Ｎ－Ｎ－Ｏ中末端Ｎ“头对头“碰撞进行的。利用计算机进行光谱模拟，得到ＮＯ（ｖ）各振动态的布居及随时间的演变，由此求出ＮＯ（ｖ＜１１）的各不同振动态与Ｎ２Ｏ的传能常数，对所求ｋｖ（ｖ＝１－     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

He（2^3S）与N2O（X）Penning电离中的N2O^＋（A^2Σ^＋）生成速率及相…

在分子束条件下测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ）→Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离光学光谱，求得了Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）态的初生态相对振动布居。以Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２（Ｘ）→Ｎ＾＋２（Ｂ＾２Σ＾＋ｕ）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－为参考反应，测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋ＢＮ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的速率常数ＫＮ２Ｏ＾＋（Ａ）     

取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物莫斯鲍尔谱及分子光谱研究

本文报道了６种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物Ｒ－Ｎ＝ＣＨ－Ｆｅ（－Ｆｅ为二茂铁基，Ｒ为－Ｃ６Ｈ４Ｘ，（Ｘ＝Ｈ，４－Ｂｒ，４－ＯＨ，２－ＣＨ３，４－ＣＯＯＨ）及４－ＮＨＣ６Ｈ４ＮＯ２）的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱数据，其化学位移分别为（ｍｍ．ｓ＾－１）：０．３２３，０．３３２，０．３３８，０．３２４，０．３１５和０．３１０。其四极矩分裂值分别为（ｍｍ．ｓ＾－１）：２．２６３，２．２８５，２．２８７，２．２１     

在小硅化物SiX~m（X＝Be、B、C、N、O、F、Ne，m＝～4－＋2）中分子成键倾向的从头算研究

此文用从头计算法，在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平下，使用基组６—３１Ｇ、６—３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分子ＳｉＸｍ（Ｘ＝Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电子相关效应，并考虑了不同基函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频率在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平上都呈现出明显的规律性，通过与实验上存在的稳定分子ＳｉＯ相比较，可以预言ＮＳＩｉ－和ＳｉＦ＋比其它分子有较明显的成键可能性，所以，ＮＳｉ－和ＳｉＦ＋有可能形成稳定的分子。     

用￣1H NMR法研究［Co（Xacac）＿2（Me－en）］ClO＿4的重氢化

应用￣１ＨＮＭＲ技术推定了新合成的二（３－取代Ｘ基－２，４－戊二酮）．Ｎ－甲基乙二胺合钴（Ⅲ）配合物：［Ｃｏ（Ｘａｃａｃ）＿２（Ｍｅ－ｅｎ）］ＣｌＯ＿４（Ｘ＝ＣＨ＿３、Ｃｌ、ＮＯ＿２）的Δ（Ｒ）∧（Ｓ）和Δ（Ｓ）∧（Ｒ）异构体的空间构型，测定了各配合物异构体手性配位氮原子上的重氢化速率常数ｋ＿Ｄ值（３４．０℃）．结果表明，取代基Ｘ对ｋ＿Ｄ值有着显著影响。     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

自由基分子CN（A^2Пi—X^2Σ^＋）的光谱研究

利用塞曼调制磁旋转光谱技术对自由基分子ＣＮ（Ａ＾２ΠＩ－ｘ＾２Σ＾＋）（１２,６）带、（７,２）带进行了测量,标识了光谱并拟合了Ａ＾２Πｉ太分子常数,从而得到Ｖ＝７Ｔ Ｖ＝１２振转谱带的Ｔｖ、Ａｖ、Ｂｖ、Ｄｖ等参数,还获得Ａ双分裂参数Ｐｖ和ｑｖ,两个带的总拟合方差分别为０．０３９和０．０４６ｃｍ＾－１。     

含R2dtc配体和V=O基的金属簇红外光谱研究

本文报道两类含Ｒ２ｄｔｃ配体的金属簇的红外光谱特点及某些规律,含Ｒ２ｄｔｃ的立方簇合物在４００－５００ｃｍ＾－１有较宽而弱的吸收,可归结于Ｍ－μ３Ｓ振动。Ｍ－Ｓｄｔｃ在３３０－３８０ｃｍ＾－１,Ｃ－Ｎ振动在１４７０－１５１０ｃｍ＾－１。二甲基ｄｔｃ配体立方的ｖ（Ｃ－Ｎ）与ｖ（Ｃ＝Ｓ）比值他二烷基ｄｔｃ立方烷的相应振动分别蓝移和红移,可归结于甲基超共轭效应所致。「Ｖ２Ｃｕ２Ｓ４（Ｒ２ｄｔｃ）２（ＰｈＳ）２」＾２－和「ＶＣｕ４Ｓ４（Ｒ２ｄｔｃ）ｎ（ＰｈＳ）４－ｎ」＾３－（ｎ＝０,１,２）的Ｍ－μ３Ｓ振动分别出现在４８０和４６５ｃｍ＾－１,可作为区别两类化合物的一个指标。另一类含（Ｒ２ｄｔｃ）２Ｖ２Ｏ２（μ－Ｓ）２单元的金属簇中,Ｖ－Ｏ伸缩频率在８４４－９７０ｃｍ＾－１范围内,（Ｅｔ４Ｎ）「Ｖ２Ｓ２Ｏ３（Ｅｔ２ｄｔｃ     

在SrTiO3、LaAlO3和Y-ZrO2衬底上外延生长La1.85Sr0.15CuO4、La2CuO4和Nd1.85Ce0.15CuO4、Pr2CuO4薄膜

利用脉冲激光法研究了在（１００）ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）、（１００）ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）和（１００）Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）衬底上外延生长ＬａＣｕＯ４（ＬＣＯ）,Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４（ＬＳＣＯ）,Ｎｄ１．８５Ｃｅ０．１５ＣｕＯ４（ＮＣＣＯ）和Ｐｒ２ＣｕＯ４（ＰＣＯ）薄膜的工艺技术。利用Ｘ光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。Ｘ射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

U（N）SP（N）O（3）的分支律

利用群的直乘分解公式，考虑Ｕ（Ｎ）群的［２ａ１ｂ］表示按群链Ｕ（Ｎ）ＳＰ（Ｎ）Ｏ（３）的约化规则，给出了相应的比较简单的分支律递推公式．该公式在用计算机计算分支律时，不受秩和表示维数的限制．为求解这类问题的分支律提供了一种比较简单的算法．在简化同位旋１／２的单ｊ费米子体系的母分系数计算中具有十分重要的意义．用同样的方法也可以求出群链Ｕ（Ｎ）Ｏ（Ｎ）Ｏ（３）的分支律．