退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响

为了改善有机发光器件（OLEDs）的性能，在0～600℃不同温度下对ITO透明导电玻璃进行了退火处理。SEM观察到随退火温度的升高，ITO表面粗糙度增加；四探针电阻测试结果显示，在300℃以上温度退火后ITO表面电阻率有明显增加。用退火前后的ITO玻璃作为阳极制备了OLEDs，器件结构为ITO／TPD／Alq3／Al，比较器件的电流密度-电压特性曲线测试结果表明，ITO薄膜的热处理温度对OLEDs性能有显著的影响。     

ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不同、ITO的表面质量不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当Al2O3抛光液水选分级后的粒度是0.6μm,超声时间为10min,采用导电层的厚度是50±10nm,方块电阻是40Ω/□的ITO时,器件的亮度在同一电压下提高了三倍多,器件达到100cd/m2的亮度所需驱动电压也由9V降至6V,器件的最大亮度在15V时达到了25880cd/m2,最大效率也由2.5cd/A提高至3.82cd/A.通过原子力显微镜对ITO表面形貌进行分析,可以看到,经过Al2O3抛光液处理的ITO玻璃片表面粗糙度降低了,粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合,有利于空穴的注入,从而使得器件性能得到改善.     

用KMnO4处理ITO表面制备高效有机电致发光器件

用氧化剂KMnO4溶液处理ITO表面制备了高效的有机电致发光器件(OLED).将涂有ITO的玻璃薄片浸泡到不同浓度的KMn04溶液中,并对玻璃薄片进行不同时间的超声处理,结果发现,随着KMnO4 浓度和超声时间的不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当KMnO4浓度为0.005wt%超声时间为15min时,器件的亮度提高1倍多,开启电压也有明显降低,器件的效率提高了近51%.通过原子力显微镜(AFM)对ITO表面进行了对比分析发现,经过RMnO4溶液处理后的器件表面粗糙度降低了;同时,KMnO4溶液的强氧化性提高了样片的表面活性,从而使器件的性能得以提高.     

氧等离子体处理对ITO薄膜表面性能的影响

利用原子力显微镜研究氧等离子体处理对ITO薄膜的微观表面形貌及表面润湿性能的影响。实验结果表明:经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度和峰-谷粗糙度减小,薄膜的平整度提高;而且表面吸附力增大近一倍,表面能增大,接触角减小,使ITO薄膜表面的润湿性能和吸附性能得到改善。     

ITO电极腐蚀现象及防护的研究

ITO电极腐蚀是LCD行业中普遍存在的难题。本文对腐蚀的机理进行阐述,并对涂TOP层的防护措施做分析,为生产过程中腐蚀的控制和防护做理论参考。     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

Liq/ITO结构表面与界面的AFM和XPS研究

采用真空蒸发沉积的方法,在覆盖有ITO膜的玻璃基片上沉积一层Liq.利用原子力显微镜(AFM)对制备的Liq/ITO样品表面进行扫描,发现Liq粉末表现为岛状形态,其表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,有许多针孔.用X射线光电子能谱(XPS)研究了Liq/ITO紧密接触的表面和界面电子状态.对样品In3d和Sn3d的电子状态分析也证实了ITO表面沉积Liq膜存在裂缝和针孔,这些裂缝和针孔吸附了空气中大量的气体分子;对C1s谱的分析发现,ITO膜表面存在一定的C污染;对N1s谱分析可知,界面处N原子与O、In和Sn原子有相互作用,这将会影响Liq的发光颜色.     

低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用

通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响.利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg:Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15 V的条件下,发光亮度达到了3000 cd/m2.     

ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不同、ITO的表面质量不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当Al2O3抛光液水选分级后的粒度是0.6μm,超声时间为10min,采用导电层的厚度是50±10nm,方块电阻是40Ω/□的ITO时,器件的亮度在同一电压下提高了三倍多,器件达到100cd/m2的亮度所需驱动电压也由9V降至6V,器件的最大亮度在15V时达到了25880cd/m2,最大效率也由2.5cd/A提高至3.82cd/A.通过原子力显微镜对ITO表面形貌进行分析,可以看到,经过Al2O3抛光液处理的ITO玻璃片表面粗糙度降低了,粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合,有利于空穴的注入,从而使得器件性能得到改善.     

IT0表面处理方法

不同的表面处理会影响ITO薄膜的光学和电学性能，并对整个OLED器件的效率和寿命产生影响。因此需要通过表面处理来改进ITO的表面性能。本文介绍了几种常用的表面处理方法，并对各种方法进行了比较。     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光（OLED）的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变。研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数。X射线光电子能谱的测量揭示了其本质：氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡／铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高。高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能。进一步的基于联苯二胺衍生物NPB／8-羟基喹啉铝（Alq3）的标准器件的研究证明了这一点。研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低。这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小。因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果。在本实验系统下处理条件为射频功率100W、时间25s。     

有源OLED像素电路的设计与仿真

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路，并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程，详细分析了源（Source）电压VDD、存储电容Cs，以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明，此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流，并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。     

电极性质对异质结OLED光电性能的影响

采用空热蒸发技术制备了结构为ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine (NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum (AlQ)/Mg-Ag/Al的异质结结构有机电致发光器件(OLED),研究了ITO电极性质对OLED器件启亮电压、驱动电压、发光亮度和发光效率等光电性能的影响.实验结果表明,电极性质显著影响OLED器件性能,优化的电极性质通过改善电极与有机层之间的界面特性,从而改善器件的光学和电学性能.     

ITO表面处理对OLED性能的影响

根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同时还将间接影响有机层的成膜过程及其分子组织形态及ITO膜表面有机层之间的结合.     

平板显示器中ITO透明电极制备的研究

利用光刻技术和湿法刻蚀技术制备ITO透明电极,借助视频显微仪和台阶仪观测电极形状和表面形貌.比较了不同溶液的刻蚀效果,指出采用盐酸加三氯化铁溶液刻蚀效果最佳,分别讨论了HCl含量和ReCl3含量变化对ITO膜刻蚀速率的影响.最后指出在25士2℃的环境下,刻蚀液HCl、H20和FeCl3·6H2O的配比满足3 L:1 L:(20～30 g)时,ITO膜的刻蚀速率能达到1 nm/s,所制备的透明电极边缘整齐无钻蚀,适合于制备平板显示器中的透明精细电极.     

LiF层作为空穴阻挡层的绿色OLED的光电性能研究

采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为：ITO/m-MTDATA（50nm）/LiF（xnm）/NPB（10nm）/Alq（5nm）/C545T（0.05nm）/Alq（55nm）/LiF（1nm）/Al,都获得了性能稳定的绿色OLED器件。从实验结果分析可知：绿色OLED器件的电流-电压（I-V）特性曲线、亮度-电压（L-V）曲线、亮度-电流（L-I）曲线及效率等光电性能随着LiF厚度的变化而随之改变。从其中总结规律,对OLED器件制作工艺有一定的指导作用。     

有机层界面电荷聚集及其对OLED性能的影响

采用金属Al、合金Mg:Ag以及复合层LiF-Al作为阴极材料,利用真空加热蒸镀法制备了异质结有机发光器件(OLED),研究了阴极材料与器件有机层界面电荷聚集之间的关系.结果表明,界面电荷聚集与阴极材料密切相关,LiF-Al复合层阴极器件的界面聚集电荷最少,而Al金属阴极器件的界面聚集电荷最多.同时,通过测试器件的光电性能,进一步研究了阴极材料对OLED发光特性的影响.实验结果显示,LiF-Al复合层阴极器件具有最大的发光亮度和效率、最小的启亮电压和驱动电压.