微波辐照TlBaCaCuO外延膜的研究

本文报道了高温超导体ＴｌＢａＣａＣｕＯ外延膜的微波（３６ＧＨｚ）辐照响应特性，在超导转变温区附近，其响应行为基本属于辐射热效应，在Ｔ＝１０７Ｋ附近，其微波响应率可达８．１４Ｖ／Ｗ，等效噪声功率ＮＥＰ约９．１５×１０＾－１１Ｗ／√Ｈｚ实验结果表明，该类器件可望用于宽电磁辐射检测。     

YBa2Cu3O7-δ外延膜中的非线性光响应

实验结果表明，在连续波He-Ne激光(λ=0.63μm)照射下，YBa₂Cu₃O_7-δ(YBCO)外延膜在超导转变温度T_c以下附近温区的光响应行为，表现为辐射热效应和非辐射热效应同时存在，尤其当样品的R-T变化率dR/dT→0温区明显地表现为一种非平衡光响应行为，且随电流的变化呈非线性关系.基于上述实验事实，在光致准粒子激发假设下，对T_c附近YBCO薄膜中的非线性光响应机制进行了讨论；给出了光辐射 关键词：     

水对Tl2Ba2CaCu2O8外延薄膜超导电性的影响

我们研究了水对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８外延薄膜超导电性的影响。将不同条件下生长的薄膜直接浸泡在水中，分别进行Ｔｃ和Ｊｃ测量。实验结果表明，结晶很好的外延薄膜的超导电性在水中非常稳定。而薄膜在水中受腐蚀的主要原因是薄膜中存在ＣａＯ和ＢａＯ组成的非晶夹杂物所致。同时还发现，薄膜受到光刻胶、银胶、铟或银电极的污染后，都会使薄膜加速受到水的腐蚀。     

VPE ZnSxSe1-x外延膜的生长及其光致发光

本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnSxSe1-x外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnSxSe1-x外延膜的质量较高。     

用钠钨青铜作基底外延生长YBa2Cu3O7—δ薄膜

用熔盐电解法生长立方钙钛矿结构的钠钨青铜单晶，该单晶体具有金属导电性。用它作基底制备的ＹＢＣＯ薄膜，起始转变温度为８９Ｋ。     

气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光

本文在77K和N2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这些ZnSe外延单晶膜的质量较高。     

GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究

本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。     

REBCO厚膜的液相外延生长研究

本文从基片和种膜、LPE的初始阶段研究和超导性能的控制这三个方面回顾总结了液相外延生长REBCO(RE=稀土元素)厚膜的研究进展.我课题组发现的高温超导体氧化物YBCO的过热现象直接证实了采用低包晶熔点的YBCO种膜可以生长包晶温度较高的REB-CO,丰富了种膜的选择范围,此现象尤为值得关注.在LPE生长的初始阶段存在种膜的部分溶解、夹杂的形成和与稀土元素种类有关的择优生长等现象,用包括曲率效应和界面能影响的粗化机制可以解释以上现象.因而生长高结晶性的LPE厚膜时选用高品质的种膜甚为重要.为优化生长工艺,须考虑种膜的品质、熔剂中的Ba/Cu比和气氛对Mg的污染和结晶取向,RE离子对Ba的替代等方面问题,以达到获得高质量的REBCO LPE厚膜的目的.     

VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态

本文报导了在透明的CaF2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。     

VPE ZnSxSe1-x外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnSxSe1-x外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex-Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex-Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.     

氩离子束减薄TlBaCaCuO多晶膜微桥

使用化学湿法刻蚀和氩离子束减薄技术制作了 TlBaCaCuO 薄膜的厚差桥,研究了桥区膜厚和临界电流的变化,发现离子束减薄对薄膜的 J_c 没有明显影响.使用这种技术调整 DCSQUID 的临界电流,在77K 观察到了量子干涉现象.     

在局域非线性响应的光折变晶体中的对称光扇

在具有非局域非线性响应的所有光折变晶体中几乎都能观察到光折变光扇效应．最近我们在具有局域非线性响应的光折变晶体（LiNbO₃∶Fe）观察到对称光扇．基于前向简并三波作用，从理论上研究了这种对称光扇的形成 关键词：     

细菌视紫红质膜快速光开关的实验研究

建立了“脉冲激光－连续探测光－连续擦除光”的实验系统。在532nm的调Q脉冲激发光和不同波长的连续探测光作用下，研究了细菌视紫红质（BR）膜的光循环过程中的快速响应特性及各中间态的快速光吸收特性。观察到了微秒量级的快速光开关现象，并分析了激发光脉冲作用结束时，各中间态上细菌视紫红质分子的分布。     

异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜

影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核．直接外延生长时,衬底温度影响到薄膜的成相．衬底温度还影响薄膜的生长动力学,并因此影响薄膜的外延生长取向．由于薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长的,因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的．衬底材料（或异质外延材料）与薄膜的相互作用是影响外延生长的最直接因素,而晶格常数失配会造成薄膜样品中存在应力并影响样品性质．利用脉冲激光淀积法,我们成功地外延生长了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５ＴｉＯ３铁电介电薄膜、Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３铁磁巨磁电阻薄膜、Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３导电薄膜等多种具有钙钛矿结构的氧化物功能薄膜．以这些钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长为例,本文讨论影响氧化物薄膜异质外延生长的因素     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

X光CCD响应特性

在北京同步辐射源上建立了Ｘ光ＣＣＤ量子效率实验标定方法,获得了１５０ｅＶ～１５００ｅＶ能区范围多个Ｘ光能点的量子效率实验结果,发展了Ｘ光ＣＣＤ量子效率简化计算模型,并对Ｘ光ＣＣＤ表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研究和修正。