Ni掺杂YBa2Cu3O7-δ的内耗研究

制备了Ｎｉ掺杂浓度为０，０．００２，０．００５，０．０１，０．０２，０．０５，０．１的系列ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品。在液氦至室温范围，采用双端共振簧方法测量了它们在千赫兹范围的内耗。     

YBa2Cu3O7—δ掺Co样品的中子衍射研究

对磁性金属钴掺杂的ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｙＣｏｙ）３Ｏ７－δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明：钴原子择优占据Ｃｕ（１）晶位；随着钴一的增加，单胞中平均氧含量增加；晶胞的晶格常数α增大，ｂ减小，至ｙ＝０．０３８时，ａ＝ｂ，而ｃ是先增大再减小。     

高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7—x中的空位型缺陷

用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中空位型缺陷的性质．结果表明，空位缺陷的类型与沉积条件无关，缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加．正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出，当温度在室温以上时，几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心；当温度高于３７５Ｋ时，必须考虑其退火效应．     

YBa2Cu3O7—δ中的元素替代效应

高临界温度氧化物超导体的发现,对超导电性研究领域、凝聚态物理、以至整个物理学和其它相关学科、高新技术的发展,已经并正在继续产生着深远的影响。高温超导体中元素替代研究有着其特殊的意义。例如,通过元素替代,已发现了多种结构类型的几十种新的高温氧化物超导     

掩模法制备高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结

本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应，原位沉积Ｎ－ＹＢＣＯ作为势垒层制备了高ＴｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ边缘结，在６０Ｋ，微波辐照观察到明显的Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，在Ｔｃ附近，Ｉｃ∽（１－Ｔ／Ｔｃ），ｎ＝１．８８。     

液氮温区超导体YBa2Cu3O7—δ的获得

本文以实验为基础,简要而系统地介绍了氧化物高温超ＴＢＣＯ体系中超导体ＹＢａ２Ｃｕ３ｏ７－δ材料的实验室生产过程。     

WO3掺杂在淬火YBa2Cu3O7—x超导体的作用

同样经过空气９００℃至室温淬火，纯ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ不超导，而适量掺ＷＯ３的ＹＢＣＯ却可以在８８Ｋ以上显示超导电性，更为奇妙的是，Ｗ并没有进入ＹＢＣＯ晶格。为弄清后超导电性蝗原因，本对经过以上条件淬火的纯ＹＣＢＯ及掺３ｗｔ／ＷＯ３的试样进行了一系列研究，并对比研究相同条件下烧结但在氧气氛中慢冷却的样品。     

4单元YBa2Cu3O7薄膜超导微带天线阵列的研究

本文用并矢格林函数—矩量法设计并制作了２×２四单元ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导微带天线阵列．设计频率为７．８８ＧＨｚ．实验结果表明，天线阵匹配良好，超导天线阵的工作频率，Ｅ平面方向图及其相对于Ａｇ天线阵的增益改善与理论计算值一致．     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件构造和性能的研究

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场,应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极,通过优化沉积条件和门电极面积小型化（６×１０－６ｃｍ２）,在６４Ｋ下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场（～３７ｋＶ／ｃｍ）、大的饱和极化强度（６０μＣ／ｃｍ２）、剩余极化强度（４１μＣ／ｃｍ２）以及击穿电压～３×１０５Ｖ／ｃｍ．对于我们的场效应器件,在±９Ｖ的情况下沟道电阻被调制～３％．     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

用脉冲激光淀积制备具有光滑表面的A-轴取向YBa2Cu3O7薄膜

我们采用脉冲激光淀积方法在(100)SrTiO3基底上制备了a-轴取向外延的YBa2Cu3O7-x薄膜.通过采用活性氧,降低氧压和淀积速率,制备出了Tc超过80K、表面平均粗糙度为4.43nm的薄膜.X-射线衍射谱表明,实验得到的YBa2Cu3O7-x外延薄膜是高度A-轴取向的.     

YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相

通过在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体中加入各种含Ｓｎ氧化物,如ＳｎＯ２和Ｙ２Ｓｎ２Ｏ７等,生长织构样品,并通过粉末Ｘ射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Ｓｎ氧化物的稳定相。发现φ相（Ｂａ２Ｓｎ［Ｓｎ１／３－ｘＣｕｘＹ２／３］Ｏ６）可能是其中的一个稳定相,这与参考文献［３］的报道相符。但我们仍不能排除ＢａＳｎＯ３和Ｂａ２ＳｎＯ４作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Ｓｎ氧化物在织     

采用固态反应法合成超细YBa2Cu3O7-δ粉末

本文介绍了一种用于合成平均尺寸小于1μm的超细YBa2Cu3O7-δ（Y-123)粉末的固态反应法。合成Y－123粉末的传统方法是利用BaCO3、Y2O3和CuO粉末直接固态烧结反应。本文介绍的方法则利用BaCuO2(011)、Y2O3和CuO粉末之间的固态反应。本方法不包括传统反应法中限制反应速率的BaCO3分解反应,因而与传统固态反应法相比,其合成温度及保温时间大大降低,从而可以合成超细粉末。将011、Y2O3和CuO粉末按4：1：2的摩尔比混合后在900℃于流通氧气中烧结15小时,此时反应刚好完成而生成的Y－123粉末又不过分长大,得到的粉末平均尺寸小于1μm。     

Cu^3＋在高温超导体YBa2Cu3O7—x中存在吗？

本文简要地评述了高温超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中是否存在Ｃｕ３＋的各种研究结果和存在的争议，介绍了这方面研究的某些新进展．     

YBa2Cu3O7—δ外延薄膜的电流—电压特性

分别测量了不同磁场及其位形下Ｉ－Ｖ曲线随温度的变化关系。实验结果表明，在磁通玻璃转变温度以下，ｌｏｇＩ－ｌｏｇＶ曲线具有正曲率，在磁通玻璃转变温度以下，ｌｏｇＩ－ｌｏｇＶ曲线具有负英率；不同温度下的Ｉ－Ｖ曲线能够很好地被标度到两条曲线上，表明样品中存在磁通液态到玻璃态的转变。