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研究了La2-xSrxCu1-yFeyO4(x=0.13,0.15,0.17和y=0.0,0.002,0.004,0.006)多晶样品在不同磁场下(H=1,3和5T)正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.结果表明,不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为.随着Fe掺杂量的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度随Fe掺杂含量的变化而变化.这表明载流子浓度是影响超导的重要因素.对Fe掺杂样品,其正常态直流磁化率与温度的关系可以用X=a+bT+c/(T-T0)很好的表示.我们认为,其中a+bT项是带Pauli顺磁的贡献.对同一掺Fe样品,增加外磁场时,居里常数c增大而常数项a减小.这是由于在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbard带),它是导致居里顺磁的原因.增加磁场时它往高能方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的杂化带,导致每个Cu离子的磁矩增大,而带的Fermi面电子态度减小.我们的实验结果也表明,超导电性与能带结构密切相关. 相似文献
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对于La0.2Ba0.8-xCax(O,CO3)其中x=0.0、0.2、0.4、0.6氧化物在973K及甲烷氧化偶联(OCM)条件下,无Ca^2+的样品可用表面BaCO3和(LaO)2CO3的Raman谱及810cm^-1附近的O2^2-特征峰来表征;含Ca^2+的样品,则表现了混合碳酸盐(Ca,Ba)CO3的特征,还有位于1135cm^-1(w)和810cm^-1(w)的O2^-、O2^2-瞬时 相似文献
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用SQUID直流磁强计研究了La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-x)FexO(4-y)(x=0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.实验结果表明,不掺Fe的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为,随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0.002),然后再单调降低.这清楚地表明,载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Fe的样品,其正常态直流磁化率X与温度T的关系可以用X=a+bT+c/(T一T0)很好地表示.我们认为,式中a+bT项是由于Cud带泡利硕磁的贡献.增加磁场时,对于同一个接Fe样品,居里常数C增大而常数项a减小.这是由于掺Fe的样品在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbrd带),它是产生居里硕磁的原因.增加磁场时,它往高能量方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的Cu杂化带.这样一来,增加磁场时,每个Cu离子的磁矩增大.而Cud带的Fe 相似文献
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实验上研究了Cu掺杂的La1/3Ca1/3Mn1-xCuxOy单相样品液氦温度时的磁阻对磁场历史的依赖关系。结果表明,相对于其它掺杂的样品,x=0.15样品的磁阻强烈的依赖于磁历史,体现在两个方面,一是磁阻曲线存在着非常明显的滞后效应;二是固定场下测得的电阻随时间的变化呈对数型关系。 相似文献
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使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa_1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-deHass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m_0/m_0=0.073,m_1/m_0=0.068).随温度降低,子带上占据的电子增多,实验中发现:当样品温度为0.3K,横向磁场从0到7T扫描时,磁阻振荡出现间歇性的反常峰,磁阻振幅陡然增大5-6倍。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
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研究了Nd1-xBaxMnO3和La0.67Mg0.33Mn0.85M0.15O3的导电性,发现Mn位的自旋磁矩排列状态一大小 和对体系的导电性有强烈的影响,在Nd1-xBaxMnO3中,当Mn^3+/Mn^4-的浓度比值为2:1.1:1,1:2时,电阻率出现半导体-金属转变,推论该类体系的导电性首先由体系中Mn^3+和Mn^4+自旋磁矩形的磁结构状态决定,然后才取决于由Ba掇杂浓度所决定的载流子 相似文献
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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在0.0001-2.4GPa流体静压力范围详细研究了非晶(Fe_xCo_x)_(77.5)Nd_4B_(18.5)(0≤x≤1.0)合金的电阻率与压力的关系,得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分x变化的规律。结果表明:用少量的钴(x=0.2)替代铁,不会影响其硬磁性和热稳定性,同时却可减小电阻率的压力系数,从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在0.51GPa保压3-24b的结构弛豫,进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分x的依赖关系。 相似文献
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采用Sol-Gel方法首次在比较低的温度下制氧磷灰石结构的发光体Mg2Y8-x-y(SiO4)6O2:Eux^3^+,Biy^3^+(x,y≥0),利用XRD,IR,TG-DTA三种手段研究了发光体的形成过程。室温(293K)和液氮温度(77K)的荧光光谱表明Eu^3^+和Bi^3^+在这种基质中分别发射红光和蓝光,每mol基质中其最佳掺杂浓度分别为0.14mol和0.03mol,并且其发光都存在 相似文献
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用SQRID直流磁强研究了La1.85Cr0.15Cu1-xFexO4-y(x=0.0,0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Wiss行为。与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0. 相似文献
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在成功制备C60外延薄膜的基础上,我们又尝试了碱金属Rb对该膜的掺杂。结果表明,从室温至80K左右,Rb3C60薄膜的电阻温度系数大于0,并近似符合公式:ρ(T)=a+bT^2,与单晶样品一致。但是,当温度低于80K以后,出现了弱的对数局域。在5K、零场下,样品的Jc值一般为10^3-10^4A/cm^2,且有如下规律:Jc(T)=Jc(0)(1-T/Tc)^a,α=1.3-2.0。此外,我们还测 相似文献
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2·Cu_3O_(7-δ)样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),J_c(T)和U_(ef_f)(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa_2Cu_3O_(7-δ)相比,Y_(0.9)Eu_(0.1)·Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 相似文献
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献