喇曼散射研究发现一种新效应

据报道，Porto博士由亚硝酸钠族晶体的喇曼散射研究发现了一种新效应。他的研究目的在于把晶体的介电常数表示为电子和声子贡献的总和的一个基本公式。根据经典的图象，介电常数的变化应与声子潜的变化有关（ε0/ε≈ωLO^2/ω^2 TO）。在以NaNO2为例的晶体中，介电常数随频率和温度而改变，但声子谱却并没有变化，这是与经典公式不一致的行为。     

喇曼散射与超喇曼散射中的压缩效应

本文重点讨论了喇曼散射与超喇曼散射非线性光学过程中的压缩效应(Squeezing Effects)。 首先写出喇曼散射与超喇曼散射非线性相互作用过程的哈密顿量,然后由海森堡方程建立场算符     

受激喇曼散射

在SRS过程中引起散射中心振动能级的跃迁,为一种双光子过程。SRS光的产生伴随着散射中心的强烈振动形成的强相干振动波,一旦第一级Stokes光产生,各级散射光被调制而产生,故又可看作一种参量振荡过程。能量部分转换为物质的激发     

一种新的基于喇曼散射的分布式温度测量方法

本文根据反斯托克斯光光强随温度变化较大的原理 ,结合高灵敏度点式温度计 ,提出了利用单路反斯托克斯光信号进行分布式温度测量的方法 ,并通过理论分析得到其温度补偿系数 ,使实际系统的温度测量误差达到± 1℃ ,从而降低了系统的成本和复杂程度。     

相干喇曼散射光谱技术

引言相干喇曼光谱学(相干反斯托克斯喇曼散射 CARS 和相干斯托克斯喇曼散射 CSRS,统称为相干喇曼散射 CRS)引起了人们极大的兴趣。尤其是相干反斯托克斯喇曼散射光谱技术,以其高效率、高灵敏度、高分辨率、抗荧光干扰性强、信息量大、应用范围广等著称。因此,成为分析、检测、研究分子结构及高阶光学声子激发态的有力工具。CRS光谱学的技术基础是相干激发和可调谐激光技术。CRS 现象的发生是基于介质的三阶     

相干反斯托克斯喇曼散射

本文描述了相干反斯托克斯(CARS)喇曼光谱技术实验结果。详细报导了实验装置与实验条件。以苯、甲苯、氯苯等液态样品为例进行了光谱演示实验,并与受激喇曼散射进行了比较。结果表明CARS光谱技术具有高灵敏度、高分辨率等一系列优点。由于CARS谱落在反斯托克斯区,特别适用于强荧光介质的研究。CARS过程是一典型的四波混频过程。 CARS现象是双频激光束在喇曼介质中通过介质的三阶非线性效应相互作用的结     

液态空气的受激喇曼散射

使用染料调Q红宝石激光器激发液态空气的受激喇曼散射(SRS),在0.5247～1.0256微米的范围内获得基本上等频差间隔的十三条辐射线。     

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.     

钠分子的共振曼喇散射

自从1970年Johnson等人首次用He—Ne激光器的6328.17A和6401.07A谱线泵浦钠蒸汽时观察到了5900A～8500A范围内的荧光之后,已有许多作者发表了利用激光激发的钠蒸汽产生荧光的论文。这种对碱金属二聚物分子的光谱及动力学的研究正是为了寻找和发展新的光泵浦激光器。     

受激喇曼散射的相干性

激光的相干性是由受激辐射和谐振腔选模的结果。由此而得与时间相干性和空间相干性相对应的高度的单色性和方向性。 普通喇曼散射是一种自发辐射,由微扰理论计算得到喇曼跃迁偶极矩[P]_(fi)具有相位因子exp{-i(δ_f-δ_i)},从一个散射分子到另一个散射分子,这个因子是无规则地变化。因此喇曼散射是非相干的。散射光按整个空间分布。     

高压氢石英管喇曼池中受激喇曼散射的研究

近来由于染料激光器的出现,人们希望借助于受激喇曼散射技术获得可调谐的紫外光源,将可调谐范围扩展到紫外波段.特别是高压氢中的受激喇曼散射,位移大,效率高,但是使用时必须附加真空及充高压氢系统,因此使用时不很方便.本文报道石英管式喇曼散射管.充一次气可以长久使用.     

受激喇曼散射及其实验

受激喇曼散射(SRS)和普通喇曼散射(RS)都源于入射光子与散射分子之间的非弹性碰撞。但是,受激喇曼散射具有明显的“阈值”特征,即只有入射激光功率密度超过一定阈值才能产生“SRS”。受激喇曼斯托克斯波放大方程为     

密封式激光喇曼散射样品池

本文研究了密封式激光喇曼散射样品池,为激光喇曼散射光谱工作提供一个高效率样品池。这种样品池的效率比普通形式样品池高约100倍,效率的高低主要取决于反射镜的反射率。实验结果和理论计算相一致。     

一种新型喇曼光学限幅器

本文描述了激光束功率限幅器的被动技术。这一技术是基于后向喇曼的饱和效应。过程是完全被动的,只由光束本身决定,而不需要外界机构加以诱导限幅。     

原子铊蒸汽中的喇曼散射

美国哥伦比亚大学的温加顿（R. A. Weingarten)和弗勒斯伯格(A. Flusberg)等在美国物理学会年会上报道,他们用一台发射150毫焦耳脉冲的低发散Q开关红宝石激光器研究了原子铊蒸汽的受激喇曼散射。1.5微米处发射的斯托克斯光具有与蒸汽密度成函数关系的明显阈值;在接近阈值密度的两倍时出现饱和。使铊产生的斯托克斯光、红宝石激光器发出的未转换的激光以及在热管炉内的闪光灯泵浦的可调染料激光器输出相结合,还能获得四波参量变换,并了解到染料激光器的反斯托克斯辐射的性质和初始的斯托克斯光相似,均与铊蒸汽密度成函数关系。     

MOCVD生长GaV的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。     

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．     

液氮的受激喇曼散射研究

本文使用染料测Q红宝石激光激励液氮的受激喇曼散射，观察到一级斯托克斯、一级反斯托克斯和二级反斯托克斯线，测得散射光的喇曼频移、线宽、能量转换率和退偏振度等参数．并对所得结果进行了讨论。     

喇曼技术减少聚变靶的散射

KMS聚变公司的科学家已经证明在聚变靶附近形成的长梯度激光感生等离子体的布里渊散射可用一种方法几乎全部消除。即在照射靶之前使激光束穿过喇曼盒。由激光束与等离子体相互作用而产生的布里渊散射能够降低到达靶的辐射总量的50%还多些。喇曼方法可抵消这一效应，是把输入光束的能量扩展到比受布里渊散射的光增益带宽还要宽得多的光谱区域而成的。KMS公司有效地产生达10条喇曼谱线，导致布里渊散射接近全部消除。