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相似文献
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1.
盛立军 《光谱实验室》2012,29(1):479-483
研究无封胶白光数码管衰减机理,利用蓝白比拟法测算无封胶白光数码管荧光粉转换率.对蓝白数码管分3组进行电流老化实验,老化电流分别为20、40mA和60mA.在恒定直流为20mA,老化时间为1000h实验中,通过分析蓝、白数码管光谱曲线的变化,研究了蓝光光输出功率和黄光光输出功率衰减情况,利用实验数据,分析表明了荧光粉转换率的衰减是影响无封胶白光数码管老化的重要因素.同时分析比较了在40mA和60mA不同电流老化实验下得到的荧光粉转换率,发现工作电流越大,荧光粉转化率衰减越快,符合无封胶白光数码管在大电流作用下衰减更快的实际情况,影响使用寿命.对荧光粉转换率的研究将为无封胶白光数码管的应用及进一步研究无封胶白光数码管衰减原因提供参考.  相似文献   

2.
由于采取蓝光芯片与黄色荧光粉YAG:Ce3+复合产生的空封白光数码管存在光通量低的缺点,提出采用点胶技术,利用环氧树脂折射率高可以增加数码管光子逸出数、光衰效应低等优点,提高数码管的发光强度和发光效率.实验测试了各20个空封贴片白光数码管、不封装蓝光数码管和点胶压盖白光数码管,数码管基板固晶蓝光芯片主波长为460-462.5nm,使用透明环氧树脂胶、YAG:Ce3+黄色荧光粉,在20mA正向电流作用下,测试光通量、发光强度、发光效率3个指标,获得3种数码管的曲线比较图.结果显示,应用点胶压盖技术数码管的发光强度和发光效率比空封数码管分别提高60.94%和46.54%,测试结果较好地显示了应用点胶压盖技术数码管的优点.  相似文献   

3.
盛立军 《光谱实验室》2012,29(5):2913-2916
应用荧光粉转换法制备的白光数码管作为实验对象,利用同一批次蓝光芯片,调整荧光粉和环氧树脂不同混合比例,研究白光数码管色坐标位置和光通量关系.在20mA额定工作电流,环境温度25℃,湿度54%条件下,对被测白光数码管进行光通量和色坐标的测试,实验结果表明荧光粉比例增加致使白光光谱中黄绿光部分的发光能量增强,色坐标由(0.331,0.369)到(0.313,0.345)变化,光通量的值逐渐增加,这一实验结果和理论计算结果的发展趋势基本一致.在测试样品中最大光通量和最小光通量的值相差24.49mlm.研究结果表明利用色度学原理,调整荧光粉和环氧树脂混合比例,可以在一定程度上提高输出光通量.  相似文献   

4.
《光学技术》2013,(3):286-288
提出了一种新的白光数码管封装技术,围绕新封装技术中荧光粉厚度是否能保持相对均匀、稳定。对新封装技术制备样品的性能进行测试,并与传统以环氧树脂为配粉胶的白光数码管进行了比较。分析实验数据表明,采用点胶技术研制的白光数码管,各笔段荧光粉层厚度保持着相对的均匀和稳定,笔段间的发光强度误差较小;在相同的测试环境下,光通量的衰减程度比传统白光数码管要慢,由于硅胶良好的导热性,点胶技术白光数码管对环境的适应性更强。研究表明点胶技术白光数码管作为一种新的封装技术比旧方案更优越。  相似文献   

5.
白光LED的加速老化特性   总被引:14,自引:11,他引:14  
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。  相似文献   

6.
GaN基大功率白光LED的高温老化特性   总被引:7,自引:5,他引:2       下载免费PDF全文
周舟  冯士维  张光沉  郭春生  李静婉 《发光学报》2011,32(10):1046-1050
对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验.经6500 h的老化,样品光通量退化幅度为28% ~33%.样品的Ⅰ-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高.样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出...  相似文献   

7.
为了对比研究新型低色温无荧光粉LED光源和低色温荧光粉LED光源的可靠性,本文进行了85℃加速老化和温度步进应力实验,测试了各光电参数在老化过程中的变化规律,并分析了有无荧光粉低色温光源的老化衰减机理。实验结果表明,在20 A/cm2工作电流密度、85℃的加速老化条件下,两种类型的光源都表现出很好的稳定性,但随着功率的增加,无荧光粉光源展现出更好的光通量稳定性;随着温度的升高,无荧光粉光源在高达200℃左右仍表现出良好的可靠性,而荧光粉光源则在175℃后出现了明显的光通量衰减和色温升高。电流应力或温度应力提升以后,无荧光粉光源展现出更优异的可靠性。  相似文献   

8.
色坐标对白光LED光通量的影响   总被引:6,自引:1,他引:5  
研究了在蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法中,色坐标位置对光通量的影响。在同样蓝光功率条件下,我们对标准白光点(色坐标x=0.33±0.05,y=0.33±0.05)附近不同色坐标位置的光通量进行了计算。假设(0.325,0.332)位置流明效率为100 lm/W,计算得出,最大光通量对应的色坐标位置为(0.35,0.38),光通量为112 lm;最小光通量对应的色坐标位置为(0.29,0.28),光通量为93.5 lm。相对于100 lm的变化幅度达到18.5%。通过与实验数据的对比和分析,进一步验证了白光LED光通量随色坐标增大而增加的这一趋势。  相似文献   

9.
白光LED智能调光数学模型   总被引:2,自引:2,他引:0  
周锦荣 《发光学报》2015,36(8):953-956
LED灯的光通量不仅受电流的影响,还受到结温变化的影响。针对传统LED调光存在只改变电流大小而忽略结温变化对光通量影响所存在的不足,结合LED结温和管脚温度存在特定的关系,利用实验装置采集HL001WY型Ga N基白光LED在不同管脚温度和正向电流下的光通量实验数据并进行二次项趋势回归,利用定标和归一化方法建立光通量、电流以及管脚温度三者变化关系的数学模型。计算结果表明,利用该方法建立的模型得到的计算数值与实验实际测量值的相对误差小于4.5%。  相似文献   

10.
引起白光数码管衰减的因素有多种,主要分析了封装技术对白光数码管光衰的影响。通过对传统技术制备的蓝、白光数码管光衰的测试,认为光在荧光粉层间的各向同性散射作用和环氧树脂对短波长光辐射的吸收是白光数码管衰减加剧的原因之一。针对传统技术的缺陷,提出一种新的封装技术,通过对新制备数码管的测试和分析,得出新技术制备的白光数码管比传统白光数码管更优越,更有市场价值。  相似文献   

11.
功率型白光LED光学特性退化分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200 h的老化,样品光通量退化为初始值的15%~18% 。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。  相似文献   

12.
白光LED封装材料对其光衰影响的实验研究   总被引:17,自引:2,他引:15  
吴海彬  王昌铃 《光学学报》2005,25(8):091-1094
为了确定不同封装材料对白光LED光衰等性能指标影响的程度,进行了不同材料支架、不同种类固晶胶,以及不同厂家荧光粉及配粉胶的对比试验。试验发现,使用铜支架比铁支架LED的光效高,在第8周时光衰比铁支架低10%;使用银浆固晶比用环氧树脂寿命长,但初始光通比环氧树脂低近1/3;不同厂家的荧光粉对白光LED光衰的影响程度不同;使用环氧树脂作为配粉胶比用硅胶寿命短,但初始光通量相对高出25%。分析认为,主要是由于不同固晶胶和支架使PN结至支架之间的热阻发生了变化,不同配粉胶在LED封装过程中烘烤温度不一样,以及荧光粉本身具有光衰特性导致了白光LED产生不同程度的光衰。因此,在进行白光LED的封装设计、制造过程中,应根据用户对初始光通量、光衰以及色温漂移等参量的重视程度综合考虑并选择相应的封装材料.  相似文献   

13.
为了提高LED光源色温和亮度的调节精度和准确度,结合色温由低向高变化时光色所呈现的渐变特点,提出了一种低色温白光LED灯珠、高色温白光LED灯珠加红绿蓝光LED灯珠补偿式调光的方法.将色温分成三个部分进行调节,每个部分选用不同的LED灯珠组合来进行调光.实验结果表明:不同组合情况下的LED光源的初始输出色温相对于目标值的偏差范围在1%以内;亮度可以在保证色温不变的情况下独立进行调节,初始输出值与目标值的偏差范围在1%以内;经过微调之后可以达到目标值;达到了色温和亮度独立调节的要求;光源发光稳定,不会因为长时间工作而影响调节精度.  相似文献   

14.
大功率LED的电流老化特性分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
李艳菲  张方辉  张静 《发光学报》2012,33(11):1236-1240
基于一体化封装技术,先将铝基板进行硬质阳极氧化处理使其绝缘,后将蓝光LED芯片直接封装到铝基板上,分别制成大功率白光和蓝光LED,其中白光LED由蓝光芯片涂覆YAG∶Ce荧光粉制成。将白光和蓝光LED分别用500 mA和700 mA电流加速老化1 000 h,平均每间隔24 h测试其各种光学参数,对比蓝光LED与白光LED的衰减情况。白光LED的光通量衰减比蓝光严重,但白光光功率的衰减比蓝光慢。LED的衰减分为两个阶段:第一阶段芯片与荧光粉同时衰减;第二阶段主要是芯片的衰减,荧光粉衰减较慢。  相似文献   

15.
可见光无线通信(visible light communication,VLC)是将LED照明技术和光通信技术相结合的一种新兴技术。针对目前LED照明通信光源显色性差、光效低且色温不可调等问题,依据多基色LED白光通信原理进行了相关研究,以Yoshi等提出的高斯分布形式作为基色LED的光谱模型,利用国际照明委员会(CIE)推荐的一般显色指数(Ra)和美国国家标准与技术研究所(National Institute of Standards and Technology,NIST)推荐的一般色质指数(Qa)评价光源的显色性。采用遗传算法,在2 700~6 500 K色温范围内优化出单个色温以及色温可调光源满足显色性最优的光谱组合,并基于RaQa大于80的原则优化出色温可调光源光视效能(luminous efficacy of radiation,LER)最优化的光谱组合。最后根据实验结果分析了光源的显色性、光视效能和色温可调性三者之间的关系。结果表明:三基色色温可调白光LED满足显色性最优的峰值波长组合为613 nm/541 nm/464 nm,此时RaQa的最小值分别为81.2和81,可以满足一般条件下的照明通信需求;四基色色温可调白光LED满足显色性最优的峰值波长组合为620 nm/562 nm/505 nm/449 nm,此时RaQa的最小值分别为96.7和92.2。在特殊照明场所或要求较高的通信速率时,应采用四基色白光LED作为照明通信光源。仿真得到了三基色和四基色白光LED的最佳光谱组合,为宽通道可见光通信光源的设计提供了参考依据。  相似文献   

16.
对某LED灯开展了空气导流技术的散热设计,进行了有、无空气导流散热条件下的仿真分析,针对热分析模型进行反复修正迭代,得到了准确的仿真结果。仿真分析与试验结果表明,在有空气导流散热的情况下,LED灯的结温较无空气导流散热时降低约8℃,LED灯的使用寿命可延长2 000 h。进一步研究发现,基板下表面的发射率、接触热阻以及LED与对流孔之间的距离等因素对LED灯的散热均有影响,最终对各个影响因素进行灵敏度分析,给出了降低结温的几点建议。  相似文献   

17.
基于相对光谱强度的非接触式LED结温测量法   总被引:3,自引:0,他引:3  
基于一体化封装高导热铝板,利用蓝光芯片及常用YAG荧光粉,制备了大功率白光LED,并研究了其在不同结温下的光谱变化规律。发现白光LED辐射光谱在波长485 nm处辐射强度具有极小值,并且此波长的辐射强度与LED结温存在良好的线性关系,以此为依据给出了该波长辐射强度与结温的关系公式,测量了LED结温,并与正向压降法及光谱法的测量结果进行对比。实验结果显示:所提出的结温测量方法与正向压降法测量结果差距不超过2 ℃,该方法保持了正向压降法的结温测量较为准确的优点,克服了光谱法的光谱漂移过小,对测试结果带来较大误差的缺点,同样也具有光谱法的实用性强、高效直观、非接触测量、不破坏灯具结构的优点。  相似文献   

18.
为提升高热流密度下LED灯具的自然对流散热性能,以一款基于热电制冷(TEC)的单颗LED小型灯具模组为研究对象,在采用实验测量和回归拟合准确获得TEC性能参数的基础上,建立了有无TEC参与散热的等效热路模型,并选择合理的数学公式对其进行性能描述,进而遵循本文设计的计算流程快速得到各种散热性能数据。LED模组的散热分析表明:在恒定的LED热功率下,施加最佳的TEC电流可获得最高的散热性能;LED热功率越低,安装TEC的散热性能越比常规方法优异。经遗传算法优化前后的性能对比分析表明:优化后结构中TEC的合理工作区明显增大,能满足LED更高功率的散热需求;当LED为0.493 W时,优化后结构的最佳结温仅为15.66℃,远低于30℃的环境温度。基于TEC实验数据建立的等效热路模型,能为装配TEC的LED模组提供快速完整的散热设计分析与结构优化的合理方案。  相似文献   

19.
GaN基白光发光二极管失效机理分析   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
薛正群  黄生荣  张保平  陈朝 《物理学报》2010,59(7):5002-5009
对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温、40 ℃和70 ℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重分析器件的芯片和荧光粉的失效机理.器件老化前后的I-V特性表明:老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大,这是由于器件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的.器件的热特性表明:高温度应力下器件的热阻迅速变大,封装材料迅速退化,这是器件退化的主要原因;光谱曲线表明温度加速了器件的  相似文献   

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